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杨宝均: 作品数：46 被引量：72H指数：5; 供职机构：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所更多>>; 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家攀登计划更多>>; 相关领域：电子电信理学机械工程更多>>

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ZnCdTe-ZnTe多量子阱的谱线增宽: 1999年; 通过对ＺｎｘＣｄ１－ｘＴｅ－ＺｎＴｅ多量子阱的光致发光研究，讨论了该材料的谱线增宽效应。指出材料阱层的组分涨落是激子谱线非均匀增宽的主要来源，而由流体力学性质决定的涨落，在组分张落中起着非常重要的作用。; 郑泽伟范希武郑著宏杨宝均; 关键词：多量子阱激子

ZnSe蓝绿发光特性及其二极管结构研究: 申德振栗红玉张吉英于广友杨宝均范希武; 利用金属有机化学气相沉积（MOCVD）方法和带有能量大于被生长材料带宽能的光辐照装置进行ZnSe：N掺杂生长。光辐照装置是由主线为365nm线的高压汞灯作光源，由于该光的能量大于被生长材料ZnSe带宽能，也大于使用的N掺...; 关键词：; 关键词：MOCVD

组合多量子阱的发光特性研究: 1999年; 通过在７７Ｋ时对ＺｎＣｄＳｅ－ＺｎＳｅ组合多量子阱结构的发光特性的测量，我们观测到了分别来自两组量子阱的激子发光，其跃迁能量与采用包络函数法计算的结果相符。由于两组量子阱之间注入效应的存在，使得两组量子阱在变密度激发和时间分辨光谱中表现出不同的发光特性。; 于广辉范希武范希武郑著宏张吉英张吉英申德振申德振; 关键词：荧光光谱半导体激光器

光助MOCVD生长p-ZnSe及ZnSe p-n结室温蓝色电致发光: 1998年; 用光助低压ＭＯＣＶＤ进行ＺｎＳｅ及ＺｎＳｅＮ外延层生长，由发光光谱表明，在光助下生长的本征ＺｎＳｅ外延膜具有高质量；ＺｎＳｅＮ外延层中与Ｎ有关的深中心发射得到有效抑止。其ｐ－ＺｎＳｅ受主载流子浓度达３×１０１７ｃｍ－３。在制备的ｎ－ＺｎＳｅ／ＺｎＣｄＳｅ－ＺｎＳｅＱＷ／ｐ－ＺｎＳｅ结构中，在室温下观测到该二极管电脉冲下的蓝色电致发光（ＥＬ）; 张吉英申德振范希武吕有明杨宝均; 关键词：室温硒化锌

浅ZnCdSe/ZnSe量子阱的光泵受激发射: 1997年; 本文主要研究浅ＺｎＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ单量子阱在７７Ｋ温度下的光致发光．在不同激发密度下，讨论了该结构的发光机制，把７７Ｋ温度下的受激发射归结为是激子－激子散射所引起的．; 于广友范希武张吉英杨宝均郑著宏郑著宏; 关键词：光泵受激发射

低压MOCVD ZnSeTe ZnSe多量子阱的制备及质量判别被引量：2: 1997年; 宽带ⅡⅥ族半导体如ＺｎＳｅ，ＺｎＴｅ等材料在室温有大的禁带宽度，成为蓝绿波段光电器件的主要候选材料，因而有关它们的研究备受瞩目。但对于ＺｎＳｅＴｅ三元化合物和ＺｎＳｅＴｅＺｎＳｅ多层结构的报道却很少见，而且其中大都采用分子束外延（ＭＢＥ）技术。本文首次报道用低压金属有机化学气相沉积（ＭＯＣＶＤ）制备的ＺｎＳｅＴｅＺｎＳｅ多量子阱。用Ｘ射线衍射、光致发光（ＰＬ）和受激发射实验检测该结构。使用低压ＭＯＣＶＤ装置，在（１００）ＧａＡｓ衬底上以用高纯氢气作载气的二甲基锌（ＤＭＺｎ）、二乙基碲（ＤＥＴｅ）和Ｈ２Ｓｅ源材料生长５０周期ｘ＝０．０７和ｘ＝０．１６的ＺｎＳｅ１ｘＴｅｘＺｎＳｅ多层结构。生长温度和压力分别是４５０℃和３８Ｔｏｒ。Ⅱ族源和Ⅵ族源分别从不同的管道进入反应室，Ⅱ／Ⅵ（Ｈ２）是０．８／１．２，经实验验证，在这个比值可以生长成均匀的薄膜。Ｘ射线衍射的测试采用Ｄ／ＭａｘｒＡ型旋转阳极衍射仪的Ｃｕ钯Ｋα特征谱线。Ｘ射线衍射谱出现四个明显可分辨的卫星峰，这些峰位于ＧａＡｓ衬底衍射峰左侧，主要峰值半宽度小于２０ａｒｃ／ｓｅｃ。多级卫星峰的出现和小的谱线宽度表明，样品已形成具有陡峭界面的周期性多量子阱结?; 赵晓薇范希武张吉英杨宝均于广友申德振; 关键词：化学气相沉积法多量子阱硒化锌碲化锌半导体

ZnTe—ZnS应变超晶格的光学性质被引量：1: 1993年; 研究了常压MOCVD方法生长在GaAs(100)衬底上的ZnTe-ZnS应变超晶格光学性质。在77K温度下观测到了与载流子有关的带间跃迁复合。随着激发密度增加,高能子能带上的载流子参与发光过程增强。通过Kroing-Penney模型计算了ZnTe-ZnS应变超晶格的能带结构,并拟合实验结果解释了发光的起因。; 吕有明陈连春关郑平杨爱华杨宝均范希武; 关键词：应变超晶格载流子

MOCVD技术制备的ZnS：Mn电致发光薄膜结晶性及Mn^（2＋）分布: 1996年; 本文报导了用ＭＯＣＶＤ技术制备的ＺｎＳ：Ｍｎ电致发光薄膜为立方晶相，结晶取向性好，颗粒大．从高倍率的扫描电镜拍摄的照片观察到薄膜的表面平滑．ＳＩＭＳ测量表明Ｍｎ２＋在ＺｎＳ薄膜纵向分布均匀，但在两侧有起伏，可能的原因是在生长的初终阶段流量的突变使化合物的化学计量比偏离而产生位错，引起原子的局部堆积，并且由于初终阶段ＺｎＳ：Ｍｎ生长的衬底不同使原子堆积层厚度不同．; 赵丽娟杨宝均钟国柱郑陈玮赵国璋; 关键词：MOCVD 电致发光

VPE生长CdS外延膜的光学性质与光学双稳态: 1990年; 本文报导了在透明的CaF_2衬底上采用气相外延(VPE)方法生长的高质量CdS薄膜。通过对其发射和吸收光谱以及光双稳特性的研究,表明这种外延膜的性质与体单晶相似。; 杨宝均王寿寅李维志范希武; 关键词：CDS 外延膜光学性

电场调制下单量子阱ZnCdSe/ZnSe的激射行为研究: 1999年; 近年来，随着宽禁带Ⅱ－Ⅵ族半导体激光器取得突破性进展［１］，对ＺｎＳｅ基超晶格与量子阱的受激发射也进行了广泛的研究［２，３］，同时对电场调制下的ＺｎＳｅ基超晶格的受激发射也有过报导［４］．但对于电场调制下的ＺｎＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ基单量子阱的激射行为研...; 羊亿申德振郑著宏张吉英杨宝均范希武; 关键词：单量子阱受激发射硒化锌

杨宝均

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