梁红伟
- 作品数：135 被引量：136H指数：7
- 供职机构：大连理工大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金辽宁省自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术理学文化科学更多>>
- 一种GaN LED外延片结构及制备方法
- 本发明涉及一种LED发光结构，尤其是一种GaN？LED外延片结构及制备方法。一种GaN？LED外延片结构及制备方法，包括GaN？LED外延片结构层，和采用pGaN六角微米柱层（106）作为p型导电层的表面。与传统的平坦表...
- 王东盛梁红伟杜国同
- 文献传递
- 双异质结薄膜制备及激光器件综合实验设计被引量：1
- 2021年
- 第三代新型半导体材料是支撑5G通信技术、新能源汽车和光电应用等领域发展的核心材料。为了激发学生对科学探索的兴趣,设计了双异质结薄膜制备及激光器件特性表征的综合实验。该实验包括利用化学有机气相沉积技术制备双异质结薄膜、泵浦激光器件制作及光电性能表征等,实验内容新颖,涵盖知识点丰富。实践证明,综合实验让学生在实验方案设计、实验设备操作、数据处理分析和科研论文撰写等方面的能力得到显著提升。
- 陶鹏程周新磊徐潇宇梁红伟夏晓川黄火林韩秀友郑佳玥
- 关键词：异质结激光器件实验教学
- 关于GaN基LED外延结构中超晶格对芯片参数影响的研究
- 实验利用MOCVD设备在c面蓝宝石衬底上生长了不同结构LED外延片:在有源层前添加超晶格(SLs)掺入层的样品A和未添加SLs的样品B。样品制成标准芯片进行测量。样品B的光功率在20mA下为7.28mW,明显大于样品A的...
- 柳阳梁红伟宋世巍
- 单根磷掺杂β-Ga_(2)O_(3)微米线日盲紫外探测器性能被引量：3
- 2021年
- β-Ga_(2)O_(3)是一种新兴的超宽带隙半导体材料,由于具有4.9 eV的带隙、较高的击穿电场(8 MV/cm)及较高的热稳定性和化学稳定性等优良特性,使其成为一种很有前途的半导体材料,在高功率电子器件、气体探测器和日盲紫外(UV)光电探测器等领域有着较为广阔的应用前景。本文采用化学气相沉积法(CVD)生长出大尺寸的厘米级磷掺杂β-Ga_(2)O_(3)微米线,并对微米线的表面形貌、晶体结构和成分进行了研究,发现微米线的长度可达0.6~1 cm,直径约为40μm。基于生长出的磷掺杂β-Ga_(2)O_(3)微米线制作了单根磷掺杂微米线的日盲紫外探测器,研究表明未掺杂和磷掺杂β-Ga_(2)O_(3)微米线对254 nm紫外光都具有良好的响应,其中磷含量为2.3%微米线制作的器件,其光电探测性能最好。该磷含量微米线器件在光功率550μW/cm^(2)时,其光电流为3.1μA,暗电流为1.56 nA,光暗电流比约为2×10^(3),上升和下降时间分别为47 ms和31 ms。当光功率为100μW/cm^(2)时,器件的光响应度和外量子效率最大,分别为6.57 A/W和3213%。此外,还对器件的紫外探测机理进行了研究。
- 冯秋菊解金珠董增杰高冲梁硕刘玮梁红伟
- 关键词：化学气相沉积磷掺杂紫外探测器
- 一种衬底出光SiC衬底垂直结构发光管及制备方法
- 本发明属于半导体发光器件及其制备技术领域，涉及几种GaN基发光管及其制备方法。器件由衬底、衬底上外延生长的n型GaN缓冲层和下限制层2、GaN材料系多量子阱发光层3、p型GaN上限制层4、p型In<Sub>x</Sub>...
- 杜国同梁红伟李万程
- 文献传递
- 一种带有InGaN插入层的非故意掺杂高阻GaN薄膜及其制备方法
- 本发明提供一种带有InGaN插入层的非故意掺杂高阻GaN薄膜及其制备方法，本发明带有InGaN插入层的非故意掺杂高阻GaN薄膜包括自下而上依次设置的衬底、低温GaN成核层、GaN缓冲层、退火重构的InGaN插入层和高阻G...
- 梁红伟刘建勋柳阳夏晓川杜国同蒋建华闫晓密
- 文献传递
- 掺杂氧化镓膜的制备方法及掺杂氧化镓膜
- 本发明提供一种掺杂氧化镓膜的制备方法及掺杂氧化镓膜，该掺杂氧化镓膜的制备方法包括以下步骤：选取衬底，所述衬底中含有目标掺杂元素；采用金属有机物化学气相沉积法在所述衬底上制备氧化镓膜，得到掺杂氧化镓膜初品；对制备得到的掺杂...
- 夏晓川申人升柳阳梁红伟杜国同胡礼中
- 文献传递
- 具有纵向栅极结构的常关型HEMT器件及其制备方法
- 本发明涉及半导体器件领域，提供一种具有纵向栅极结构的常关型HEMT器件及其制备方法，所述HEMT器件包括：层叠设置的衬底、缓冲层、i‑GaN层、栅介质层和钝化层，i‑GaN层一端、且背离缓冲层的一侧为阶梯形；包覆在阶梯形...
- 黄火林孙仲豪梁红伟夏晓川杜国同边继明胡礼中
- 文献传递
- 超声喷雾热解法生长氧化锌同质p-n结及其电致发光性能研究被引量：7
- 2007年
- 采用超声喷雾热解法在单晶GaAs(100)衬底上生长ZnO同质p-n结．以醋酸锌水溶液为前驱体,分别以醋酸铵和硝酸铟为氮(N)源和铟(In)源,通过氮-铟(N-In)共掺杂沉积p型ZnO薄膜,以未故意掺杂的ZnO薄膜做为n型层获得ZnO基同质p-n结．采用热蒸发工艺在ZnO层和GaAs衬底上分别蒸镀Zn／Au和Au／Ge／Ni电极而获得发光二极管原型器件,在室温下发现了该器件正向电流注入下的连续发光现象．
- 边继明刘维峰胡礼中梁红伟
- 关键词：ZNO薄膜电致发光
- SiC衬底GaN LED生长及器件制备
- 半导体发光二极管(LED)是制备半导体照明这一新型光源的核心元器件,具有巨大的市场前景。蓝光GaNLED可采用蓝宝石(Sapphire)与碳化硅(SiC)作为外延衬底材质,并以蓝宝石基板应用较为普遍。SiC与GaN的晶格...
- 梁红伟宋世巍张克雄申人升柳阳杜国同
