江若琏
- 作品数：150 被引量：125H指数：6
- 供职机构：南京大学电子科学与工程学院固体微结构物理国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程电气工程更多>>
- Si基GaN的微结构表征（英文）
- ＜正＞GaN-based materials have attracted great interest because of its direct and wide band gap,high-saturation e...
- 江若琏陈鹏赵作明沈波郑有斗
- 文献传递
- 获得大面积高质量GaN自支撑衬底的方法
- 获得大面积高质量GaN自支撑衬底的方法,首先在蓝宝石衬底上横向外延获得低位错密度GaN薄膜;然后在ELO GaN薄膜上进行氢化物气相外延,获得大面积、低位错密度的GaN厚膜;采用激光扫描辐照剥离技术,将GaN厚膜从蓝宝石...
- 张荣修向前徐剑顾书林卢佃清毕朝霞沈波刘治国江若琏施毅朱顺明韩平胡立群
- 文献传递
- 激光剥离制备自支撑氮化镓衬底的方法
- 激光剥离制备自支撑氮化镓衬底的方法,采用准分子激光器:激光波长所对应的能量小于蓝宝石带隙能,但是大于GaN的带隙能,激光辐照透过蓝宝石衬底,辐照蓝宝石－氮化镓界面处的GaN,然后加热或弱酸腐蚀,将GaN和蓝宝石分离开来,...
- 张荣修向前徐剑顾书林卢佃清毕朝霞沈波刘治国江若琏施毅朱顺明韩平胡立群
- 文献传递
- InN材料作衬底或缓冲层制备InN/锗或InN/硅薄膜及制备方法
- InN材料作衬底或缓冲层制备InN/锗或InN/硅薄膜，InN材料作衬底或缓冲层，并在上面制备InN/锗或InN/硅薄膜，InN材料缓冲层的厚度为100纳米以上，在其上制备单层或n层锗或硅薄膜，每层锗或硅薄膜的厚度为50...
- 谢自力张荣韩平王荣华刘斌修向前赵红郑有炓顾书林江若琏施毅朱顺明胡立群
- 文献传递
- Si基GaN上的欧姆接触被引量：3
- 2000年
- 研究了Si基GaN上的欧姆接触。对在不同的合金化条件下铝 (Al)和钛铝铂金(Ti Al Pt Au)接触在不同的合金化条件下的性质作了详尽的分析。Al GaN在 45 0℃氮气气氛退火 3min取得最好的欧姆接触率 7.5× 1 0 3Ω·cm2 ,而Ti Al Pt Au GaN接触在 6 5 0℃氮气气氛退火 2 0s取得最好的欧姆接触 8.4× 1 0 5Ω·cm2 ,而且Ti Al Pt Au GaN接触有较好的热稳定性。
- 赵作明江若琏陈鹏席冬娟沈波郑有炓
- 关键词：欧姆接触合金化退火热稳定性
- RRH/VLP-CVD低温外延硅薄膜的电学性质被引量：2
- 1991年
- 本文对低温外延新技术——“快速辐射加热、超低压化学气相淀积”(RRH/VLP-CVD)生长的外延硅薄膜的电学性质进行了分析研究.扩展电阻分析显示了外延层杂质浓度分布均匀,与衬底间的界面区杂质分布陡峭.在外延层上制备了霍耳样品、PN结二极管和Al-SiO_2-SiMOS结构,经测量分析所得各项重要数据与优质硅单晶所制的样品相一致.实验结果表明RRH/VLP-CVD低温外延硅薄膜具有良好的电学性质,已可用于器件的制备.
- 江若琏郑有炓马金中冯德伸江宁张荣胡立群李学宁
- 关键词：硅薄膜化学汽相淀积
- 利用In金属纳米点催化合成生长InN纳米点的方法
- 利用In金属纳米点催化合成生长InN纳米点的方法，利用MOCVD方法在蓝宝石(0001)衬底上催化合成生长InN纳米点材料，蓝宝石(0001)衬底放入生长室，预先用MOCVD生长技术在衬底表面形成金属纳米点，生长室温度在...
- 谢自力张荣修向前毕朝霞刘斌于英仪俞慧强郑有炓顾书林沈波江若琏施毅韩平朱顺明胡立群
- 文献传递
- AlGaN/GaN分布布拉格反射镜的MOCVD生长
- 文中利用MOCVD方法,采用高质量GaN作为缓冲层,在(0001)取向的蓝宝石衬底上实现了不同组分的AlxGa1-xN/GaN分布布拉格反射镜(DBR)的制备.通过XRD、SEM、AFM、反射谱等测量分析手段,研究了Al...
- 李亮周建军刘斌韩平江若琏顾书林施毅郑有炓张荣谢自力修向前姬小利刘成祥毕朝霞陈琳龚海梅张禹
- 关键词：ALGANGAN分布布拉格反射镜MOCVD
- 文献传递网络资源链接
- InN材料及其应用被引量：10
- 2004年
- 由于具有独特的本征特性,InN材料已经成为最近两年国际上最热门的研究材料之一。本文介绍了InN材料的基本性质,探讨了材料的生长技术和应用方向。最后给出了InN材料今后发展急需解决的问题以及未来的发展应用前景。
- 谢自力张荣毕朝霞刘斌修向前顾书林江若琏韩平朱顺明沈波施毅郑有炓
- 关键词：INN带隙半导体材料晶格常数晶格匹配
- AlGaN/GaN分布布拉格反射镜的设计与表征
- 设计了反射中心波长为500nm的Al0.3Ga0.7N/GaN和AlN/GaN两种分布布拉格反射镜(DBR),并采用光学传递矩阵方法对其光谱反射率进行了理论上的模拟.采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)技术在蓝宝石衬...
- 姬小利江若琏李亮谢自力周建军刘斌韩平张荣郑有炓龚海梅
- 关键词：氮化镓分布布拉格反射镜化学气相淀积
- 文献传递网络资源链接
