王忠烈
- 作品数：17 被引量：46H指数：3
- 供职机构：北京大学信息科学技术学院微电子研究院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术理学电气工程更多>>
- 高功率脉冲激光致硅表面氧的退吸研究
- 1984年
- 引言近儿午来,离子注入硅的激光退火研究,引起了人们广泛的兴趣。许多文献报导,高功率脉冲激光退火,能够消除离子注入硅引起的辐射损伤,并使非品态转变为单品。但是,对于激光退火硅样品表面的氧沾污和扩散问题却研究不多。从仅有的研究中发现,不同作者所得结果颇不一致。文献[4,5]从深能级的瞬态谱研究结果证实。
- 王忠烈
- 关键词：激光退火硅表面共振散射深能级硅薄膜
- MeV Si离子注入对BF_2注入Si样品特性的影响
- 1996年
- 本文利用卢瑟福背散射及沟道（ＲＢＳ／Ｃ）技术，二次离子质谱（ＳＩＭＳ）技术等研究了ＭｅＶＳｉ离子束轰击对ＢＦ２注入Ｓｉ样品特性的影响．结果表明，退火后在ＢＦ２注入形成的ＰＮ结结区内仍有大量的二次缺陷．退火前附加一次ＭｅＶＳｉ离子轰击可以有效地消除ＢＦ２注入区内的二次缺陷，抑制Ｂ原子的扩散，并提高Ｂ原子的电激活率．
- 赵清太王忠烈
- 关键词：硅
- 致密物质和中子星
- 1979年
- 根据恒星演化理论,晚期恒星有可能演化为一些致密天体:白矮星、中子星和黑洞。中子星的密度与核密度相当。从1967年发现脉冲星,并很快确认它是快速自转中子星以来,国际上对中子星产生了极大兴趣并作了大量研究。中子星的研究主要依赖于密物质状态和引力理论。爱因斯坦所创立的广义相对论是研究中子星结构的强有力的理论工具。现在我们综述这一领域的成就和发展动向,以此纪念伟大的科学家——爱因斯坦。
- 葛蕴藻王忠烈李宗伟
- 关键词：恒星演化致密天体超新星爆发夸克星中子数
- 脉冲激光法外延生长锰氧化物薄膜被引量：1
- 1999年
- 利用脉冲激光法在LaAlO3衬底上外延生长了La－Ca－Mn—O、La－Sr－Mn－O等巨磁电阻薄膜.测定了这些薄膜的电阻—温度特性，观测到了其铁磁转变及巨磁电阻效应实验发现，较高的淀积温度使薄膜的峰值转变温度Tp降低、峰值电阻率增大。
- 李美亚熊光成王忠烈范守善赵清太林揆训
- 关键词：巨磁电阻
- SIMOX结构的低温(550℃)退火形成
- 1991年
- 本文研究了低温(550℃)退火对于SIMOX结构形成的影响。实验中发现:低温退火制备的SIMOX结构与高温(1100℃)退火制备的有明显不同。通过低温退火,可以获得质量优于高温退火的顶部硅层。低温退火可以避免在顶部硅层中氧沉淀及延伸位错等缺陷的形成。本文还讨论了退火期间SIMOX结构的形成过程。
- 陈南翔王忠烈黄敞
- 关键词：低温退火硅片
- SIMOX技术及CMOS/SIMOX器件的研究与发展被引量：2
- 1992年
- SIMOX技术是最具有发展前途的SOI技术之一。在发展薄硅层、深亚微米OMOS/SOI集成电路中,SIMOX技术占有极其重要的地位。本文综述了SIMOX基片的形成、高质量SIMOX基片的制备方法。阐述了薄硅层OMOS/SIMOX器件的工艺特点以及器件的性能特点。本文也就SIMOX技术及GMOS/SIMOX器件的研究现状及发展趋势进行了讨论。
- 王阳元陈南翔王忠烈
- 关键词：集成电路离子注入绝缘体
- 脉冲激光法外延生长（K<,0.5>Na<,0.5>）<,0.2>（Sr<,0.75>Ba<,0.25>）<,0.9>Nb<,2>O<,6>光波导薄膜
- 利用脉冲激光淀积技术，在MgO衬底上成功地外延生长了（K<,0.5>Na<,0.5>）<,0.2>（Sr<,0.75>Ba<,0.25>）<,0.9>...
- 李美亚王忠烈范守善
- 关键词：脉冲激光淀积X射线衍射
- La_(0.5)Sr_(0.5)CoO_3薄膜的外延生长及其机理研究被引量：6
- 1999年
- 利用脉冲激光制膜法，在多种衬底和温度条件下，系统研究了Ｌａ０．５Ｓｒ０．５ＣｏＯ３（ＬＳＣＯ）薄膜的结构和外延生长特性，在ＬａＡｌＯ３，ＳｒＴｉＯ３和ＭｇＯ衬底上实现了ＬＳＣＯ薄膜的外延生长．外延生长的薄膜具有低的电阻率和金属性导电特征．研究表明，外延生长的最佳温度范围为７００—８００℃，最佳衬底为ＬａＡｌＯ３．并着重探讨了衬底材料和淀积温度等多种因素对ＬＳＣＯ薄膜的生长与性能的影响及其机理．
- 李美亚王忠烈熊光成范守善赵清太范守善
- 关键词：LSCO超导体
- La_(0.5)Sr_(0.5)CoO_3薄膜的外延生长及其电性能的研究被引量：2
- 1999年
- 系统研究了在LaAlO3 ,SrTiO3 和MgO衬底上、在不同的温度条件下利用脉冲激光法制备的La0 .5 Sr0 .5 CoO3 薄膜的外延生长和电输运特性 ,测定了薄膜的电阻 温度关系 .研究表明薄膜的电输运性质对其外延结构具有密切的依赖性 ,外延生长的薄膜具有低的电阻率和金属性导电特征 ;在LaAlO3 衬底上在 70 0℃左右外延生长的薄膜具有最佳的性能 ;探讨了这一薄膜的外延生长与其电输运性能的关系及其机理 .
- 李美亚熊光成王忠烈范守善赵清太林揆训
- 关键词：高TC电性能LSCO氧化物超导体
- MeV高能B^+离子注入Si中二次缺陷的抑制与消除被引量：2
- 1990年
- 本文研究了MeV高能B^+离子注入Si中二次缺陷的退火行为。提出一种新型的双重注入退火方法,抑制或消除了MeV高能B^+离子注入Si样品中的二次缺陷。还对这种二次缺陷的被抑制与被消除的物理机制进行了讨论。
- 卢武星钱亚宏田人和王忠烈
- 关键词：离子注入SI退火
