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文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇建筑科学

主题

  • 4篇硅尖
  • 3篇湿法腐蚀
  • 3篇刻蚀
  • 3篇各向异性腐蚀
  • 3篇干法刻蚀
  • 2篇掩模
  • 2篇探针
  • 2篇微悬臂梁
  • 2篇各向异性
  • 2篇光刻
  • 2篇光刻法
  • 1篇单晶
  • 1篇单晶硅
  • 1篇微力传感器
  • 1篇微纳米加工
  • 1篇力传感器
  • 1篇纳米
  • 1篇晶面
  • 1篇感器
  • 1篇

机构

  • 6篇大连理工大学

作者

  • 6篇石二磊
  • 5篇王立鼎
  • 5篇崔岩
  • 4篇夏劲松
  • 1篇王兢
  • 1篇孟汉柏

传媒

  • 2篇光学精密工程
  • 1篇微纳电子技术

年份

  • 1篇2010
  • 1篇2009
  • 3篇2008
  • 1篇2007
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
一种硅探针的制作方法
本发明一种硅探针的制作方法属于测试技术领域,涉及到原子力显微镜探针的制作。采用干法刻蚀和湿法腐蚀相结合的方法制作探针,首先采用光刻法形成硅尖掩模,然后干法刻蚀梁至一定的深度,接着采用湿法同步腐蚀硅尖和梁,硅尖削尖后,从背...
崔岩石二磊夏劲松王立鼎
文献传递
PT/PZT/PT薄膜微力传感器被引量:12
2007年
提出了一种基于PT/PZT/PT压电薄膜微悬臂梁结构的微力传感器。运用Sol-Gel(溶胶-凝胶)法制作了PT和PZT薄膜,采用X射线衍射技术表征了PZT和PT/PZT/PT两种薄膜的成相特征,用阻抗分析仪测试了PZT和PT/PZT/PT薄膜的介电常数。结果表明,在PZT薄膜退火温度同为600℃时,PZT和PT/PZT/PT薄膜均为完整的钙钛矿结构,而且PT/PZT/PT薄膜沿(100)晶向强烈取向;在测试频率为1 kHz时,经600℃热处理条件下制备的PZT和PT/PZT/PT薄膜的相对介电常数分别为525和981。最后应用MEMS工艺制作了基于PT/PZT/PT压电薄膜微悬臂梁结构的微力传感器。在静态和准静态下对微力传感器的传感特性进行了测试。测试结果表明,力与位移或电荷具有良好的线性关系。两种尺寸微力传感器的灵敏度分别为0.045 mV/μN和0.007 mV/μN,力分辨率分别为3.7μN和16.9μN,满足了微牛顿量级微小力的测量。
崔岩孟汉柏王兢石二磊王立鼎
关键词:微悬臂梁微力传感器
一种硅探针的制作方法
本发明一种硅探针的制作方法属于测试技术领域,涉及到原子力显微镜探针的制作。采用干法刻蚀和湿法腐蚀相结合的方法制作探针,首先采用光刻法形成硅尖掩模,然后干法刻蚀梁至一定的深度,接着采用湿法同步腐蚀硅尖和梁,硅尖削尖后,从背...
崔岩石二磊夏劲松王立鼎
文献传递
掩模偏转方向对硅尖形状的影响被引量:4
2009年
为制备高纵横比的纳米硅尖,研究了掩模的偏转方向对硅尖形状的影响。设计了硅尖制备的工艺流程,采用KOH溶液湿法各向异性腐蚀(100)单晶硅的方法制备硅尖,根据实验结果和{411}晶面模型,分析了硅尖侧壁的组成晶面,讨论了掩模偏转方向对硅尖形状的影响,得到了制备高纵横比纳米硅尖的工艺参数。实验结果表明:当腐蚀溶液浓度和温度一定时,正方形掩模的方向并不影响快腐蚀晶面的类型,利用正方形掩模的偏转,可以制备出八面体和四面体的硅尖。当正方形掩模边缘沿〈110〉晶向时,在78℃、浓度为40%的KOH溶液中腐蚀硅尖,经980℃干氧氧化3h进行削尖,可制备出纵横比>2的八面体纳米硅尖阵列,硅尖侧壁由与(100)面夹角为76.37°的{411}晶面组成。
崔岩石二磊夏劲松王立鼎
关键词:硅尖各向异性掩模
硅微悬臂梁探针的制备工艺研究
随着MEMS及纳米科技的进步,悬臂梁探针在扫描探针显微镜、隧道传感器、微纳米加工、高密度数据存储中的应用越来越多,微纳米针尖的曲率半径及悬臂梁的性能决定着传感器的灵敏度。本文以硅微悬臂梁探针的制备为研究对象,采用单晶硅材...
石二磊
关键词:微纳米加工单晶硅湿法腐蚀干法刻蚀
文献传递
各向异性腐蚀制备纳米硅尖被引量:5
2008年
采用KOH溶液各向异性腐蚀单晶硅的方法制备高纵横比的纳米硅尖,研究了腐蚀溶液的浓度、添加剂异丙醇(IPA)对硅尖形状的影响。设计了硅尖制作的工艺流程,制备了形状不同、纵横比值为0.52~2.1的硅尖,并结合晶面相交模型,提出了硅尖晶面的判别方法,讨论了实验中出现的{411}和{331}晶面族两种硅尖晶面类型,实验结果和理论分析相一致。通过分析腐蚀溶液的质量分数和添加剂对{411}、{331}晶面族腐蚀速度的影响,得到了制备高纵横比纳米硅尖的工艺参数。实验结果表明:当正方形掩模边缘沿<110>晶向时,在78℃、质量分数40的KOH溶液中腐蚀硅尖,再经980℃干氧氧化3h进行锐化削尖,可制备出纵横比大于2、曲率半径达纳米量级的硅尖阵列。
石二磊崔岩夏劲松王立鼎
关键词:硅尖各向异性晶面掩模
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