程宇航
- 作品数：32 被引量：171H指数：8
- 供职机构：华中科技大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：中国人民解放军总装备部预研基金中国工程物理研究院科学技术发展基金国防科技技术预先研究基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术化学工程电子电信更多>>
- RF－PECVD制备类金刚石碳膜的沉积机理被引量：3
- 1997年
- 本文综合评述了用射频等离子体化学气相沉积（ＲＦ－ＰＥＣＶＤ）法制备类金刚石碳膜过程中的等离子体化学反应和等离子体与材料表面反应机理的研究概况。着重介绍射频ＣＨ＿４等离子体中，各种离子和中性基因的产生和传输机理，以及等离子体与材料表面反应的动力学基本理论。
- 程宇航吴一平陈建国乔学亮谢长生
- 关键词：RF-PECVD类金刚石碳膜
- a-C∶H(N)类金刚石薄膜的结构及内应力分析被引量：6
- 2002年
- 采用射频等离子增强化学气相沉积法制备出a-C∶H(N)类金刚石薄膜 ,用X射线光电子能谱、红外吸收谱和慢正电子湮灭谱研究了薄膜的结构 ,用弯曲法测定了薄膜的内应力 .随着混合气体中N2 的含量从 0增加到 75 % ,薄膜中含N量可增加到 9.0 9% (摩尔分数 ) ,N原子与C原子以%DC—N ,C N和C≡N键的形式结合 .薄膜中的缺陷密度随含N量而增加 。
- 陈建国程宇航吴一平乔学亮
- 关键词：类金刚石薄膜内应力等离子增强化学气相沉积
- 立方氮化硼（c－BN）膜的制备、性能及应用被引量：8
- 1996年
- 本文综合分析了立方氮化硼（ｃ－ＢＮ）膜的制备方法，介绍了ｃ－ＢＮ膜的结构及其机械、电学、光学和热学性能。最后总结了ｃ－ＢＮ膜在机械和电子领域的应用概况。
- 程宇航吴一平陈建国乔学亮孙培祯
- 关键词：C-BN立方氮化硼超硬材料
- a-C:H(N)薄膜的制备及性能被引量：2
- 1999年
- 采用射频直流等离子化学气相沉积法用 Ｃ２ Ｈ２ 、 Ｎ２ 和 Ａｒ 组成的混合气体制备ａ Ｃ： Ｈ （ Ｎ） 薄膜， 研究了薄膜的制备工艺、结构及直流导电特性实验结果表明， ａ Ｃ： Ｈ （ Ｎ） 薄膜的沉积速率随混合气体中 Ｃ２ Ｈ２ 含量的增加而增大， 当混合气体中 Ｎ２ 含量增加到７５ ％ 时， 薄膜的含氮量增大到９０９ ％ 薄膜中 Ｃ、 Ｎ 原子以 Ｃ≡ Ｎ 和 Ｃ Ｎ 键的形式存在，
- 程宇航吴一平陈建国乔学亮谢长生许德胜
- 关键词：化学气相沉积电阻率
- 一种新型的光学增透膜——DLC及改性DLC薄膜被引量：5
- 2002年
- 光学增透薄膜是一种很重要的光学材料,传统的MgF_2和ZnS增透膜具有强度低的缺陷,已经不能满足现代科技进步的需要。回顾了近年来关于DLC薄膜和CN薄膜光学性能的研究情况,讨论了改性的DLC薄膜用做增透膜的可行性。从理论和实践两个方面进行了探讨,结果表明DLC薄膜和CN薄膜在光学增透领域具有广阔的应用前景。
- 孙增辉乔学亮程宇航
- 关键词：DLC薄膜机械性能光学性能
- 类金刚石(DLC)膜结构的研究概况被引量：5
- 1996年
- 类金刚石膜是一种非晶结构的薄膜。关于其原子排列结构仍是目前研究的主要方向。本文从实验研究和理论研究两方面综合介绍类金刚石膜的研究概况,并介绍了类金刚石膜的实验研究方法和理论模型。
- 程宇航乔学亮孙培祯
- 关键词：类金刚石膜
- 类金刚石膜的结构与性能研究被引量：22
- 1997年
- 用激光Ｒａｍａｎ谱和ＸＲＤ谱对用直流射频等离子体化学气相沉积法制备的类金刚石膜的结构进行了分析，并研究了工艺参数对膜的沉积速率、内应力和直流电阻率的影响。结果表明：类金刚石膜是由ｓｐ２和ｓｐ３键组成的非晶态碳膜，当负偏压高于３００Ｖ时，膜中ｓｐ３／ｓｐ２键的比值随负偏压的升高而降低。类金刚石膜的沉积速率与负偏压Ｖｂ成正比。膜内存在１～４．７ＧＰａ的压应力，随负偏压的升高而降低。膜的电阻率随负偏压的升高先增后降，这与膜中ｓｐ２／ｓｐ３的比值相对应。
- 程宇航吴一平陈建国乔学亮谢长生
- 关键词：类金刚石膜化学气相沉积金刚石薄膜
- 微波烧结CuTi-金刚石复合体被引量：6
- 1999年
- 采用微波烧结方法制备出CuTi-金刚石复合体，并对复合体的工艺、组织和结构进行了研究．结果表明，金刚石颗粒在烧结过程中没有发生石墨化转变，CuTi-金刚石复合体中金刚石颗粒与CuTi基体间能形成良好的结合．CuTi-金刚石复合体的致密度随金刚石含量的增加出现先增加后降低的变化趋势，当金刚石含量为18.75～25vol％时达到最大值．
- 程宇航吴一平陈建国朱文玄乔学亮范瑛潘小霞
- 关键词：微波烧结复合材料金刚石超硬材料
- 用慢正电子束测定类金刚石薄膜中的缺陷浓度
- 2008年
- 对在不同极板负偏压下采用射频-直流等离子体方法制备得到的类金刚石膜(a-C:H)的微结构进行了测量,利用慢正电子束实验装置,探测并分析了样品缺陷浓度的分布情况.结果表明,在不同偏压下制备的薄膜,其膜中缺陷浓度存在很大差别,但在900 V偏压下制得的样品,膜中的缺陷浓度最低.
- 徐燕吴艳翁惠民程宇航
- 关键词：类金刚石膜
- 类金刚石(DLC)膜的制备技术概况被引量：18
- 1996年
- 综述了类金刚石膜的制备方法,以及各种制备方法的基本原理和特点,并分析了各种方法对膜的结构和性能的影响。
- 程宇航吴一平陈建国乔学亮
- 关键词：类金刚石
