谢征微
- 作品数：49 被引量：81H指数：6
- 供职机构：四川师范大学物理与电子工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金四川省教育厅自然科学科研项目教育部科学技术研究重点项目更多>>
- 相关领域：理学机械工程电气工程电子电信更多>>
- 基于MC8051 IP核的多周期同步测频改进被引量：2
- 2010年
- 分析多周期同步测频原理及误差,在此基础上提出一种多周期同步测频的改进方法。该方法通过对标准频率计数值的修正,在不提高系统时钟频率和闸门时间的前提下,实现了测量精度的提高,并详细分析了其测量误差。最后,讨论了在FPGA中利用MC8051 IP核来实现真正意义的高性价比的SoPC频率测量问题。
- 廖磊谢征微蒋涛
- 关键词：频率测量IP核
- Rashba自旋轨道耦合对NM/FS/I/FS/NM双自旋过滤隧道结中自旋相关输运的影响
- 2014年
- 基于转移矩阵方法和量子相干输运理论,研究了含两铁磁半导体层的双自旋过滤磁性隧道结(NM/FS/I/FS/NM,NM表示非磁金属,FS表示铁磁半导体,I表示绝缘层)中的Rashba自旋轨道耦合与自旋相关隧穿现象和隧穿磁电阻(TMR)效应之间的关系.研究结果表明:当左右两FS层的Rashba自旋轨道耦合强度相等时可得到最大的正TMR,而不等时可得到大的负TMR;在绝缘层厚度达到一定值后,双自旋过滤结可以获得稳定TMR,其正负和两FS层Rashba自旋轨道耦合强度的相对大小有关.
- 石德政王瑛代珍兵谢征微李玲
- 关键词：RASHBA自旋轨道耦合隧穿磁电阻隧穿电导
- 六角星形Ag纳米结构的光学及传感特性
- 2016年
- 本文用时域有限差分法研究了六角星形Ag纳米结构的消光光谱及其传感特性。计算结果表明,随着顶角角度从20°逐渐增大到140°,六角星形Ag纳米结构消光光谱峰值波长出现蓝移现象,并且强度逐渐减弱。折射率灵敏度受顶角角度影响变化很大,但角度变化对消光光谱的半高全宽的影响较小,品质因数主要受折射率灵敏度的影响在30°时最大。对于实验中顶角钝化的情况,本文分析发现,顶角钝化程度对其消光光谱也有一定影响,品质因数会随着顶角钝化的增加而减小,传感特性减弱。
- 陈艳郑杰李玲汪林文张明朝谢征微陈卫东陈卫东
- 关键词：消光光谱品质因数
- FM/I/FM隧道结中的隧穿时间被引量：2
- 2009年
- 在相位时间定义的基础上,研究了铁磁金属-绝缘体-铁磁金属一维磁性隧道单结的隧穿时间随两铁磁层磁矩之间夹角、势垒宽度和电子入射能量的变化.研究结果表明隧穿时间随电子的入射能的增大而减小,在低能区隧穿时间随入射能的增加呈指数减小,而在高能区减小的趋势变缓和;两铁磁层磁化强度方向呈平行排列和反平行排列时的隧穿时间的差值在低能区随入射能的增加呈指数增加,但在高能区趋于零.另外隧穿时间随着势垒宽度的增加而呈线性增长.
- 郭雪林黄劲松谢征微李玲
- 关键词：磁性隧道结隧穿时间隧穿磁电阻
- 平膜状双自旋过滤隧道结的磁电阻:偏压,垒高,垒厚和分子场的影响
- 针对平膜状NM/FI/NM型双自旋过滤隧道结(DSFJ;此处NM和FI分别表示非磁电极和铁磁绝缘(半导)体层),计算了偏压V,FI垒高U<,0>,FI厚度d<,FI>和FI分子场大小h<,0>对磁电阻(TMR)的影响.结...
- 谢征微李玉现李伯臧
- 关键词：磁电阻偏压分子场
- 文献传递
- 铁磁/半导体(绝缘体)/铁磁异质结中渡越时间与两铁磁层磁矩夹角变化的关系
- 2013年
- 在群速度概念的基础上,研究了自旋极化电子隧穿通过铁磁体/半导体(绝缘体)/铁磁体异质结时,渡越时间随两端铁磁层中磁矩夹角变化的关系.研究结果表明:当中间层为半导体层时,由于半导体层中的Rashba自旋轨道耦合强度的影响,自旋向上电子和自旋向下电子的渡越时间差会在两铁磁层相对磁矩夹角为π/2和3π/2附近出现一个极小值.当中间层为绝缘体层时,势垒高度的变化会导致不同取向的自旋极化电子渡越时间差的变化,并当势垒高度超过一临界值时发生翻转.
- 吕厚祥石德政谢征微
- 关键词：铁磁体渡越时间磁矩
- 势垒形状对隧穿磁电阻及其与偏压之关系的影响:理论示例
- 在Slonczewski 自由电子模型的基础上,提出了一个可用于处理具有任意形状势垒的磁性隧道结中磁电子输运的简单方法,并以三种常见势垒,即梯形势垒,计入了镜象势的梯形势垒和抛物线势垒为例,讨论了势垒形状对隧穿磁电阻及其...
- 谢征微李伯臧
- 关键词：磁性隧道结隧穿磁电阻
- 文献传递
- 布朗粒子的速度分布函数被引量：1
- 1997年
- 本文从特征函数导出了布朗粒子的速度分布函数，并对结果进行了讨论．
- 谢征微李玲
- 关键词：速度分布函数特征函数
- 双自旋过滤隧道结在有限偏压下的隧穿电导和隧穿磁电阻被引量：5
- 2002年
- 最近的一项理论估计指出,NM/FI/FI/NM 型双自旋过滤隧道结（DSFJ,此处NM和FI分别表示非磁电极和铁磁绝缘体或半导体）,在零偏压下可能具有甚高的隧穿磁电阻（TMR）针对磁电阻元件的研制和应用的需要,计算了DSFJ的TMR和电导随偏压,FI厚度以及势垒高度的变化.结果表明:与传统的FM/NI/FM型磁性隧道结（FM和NI分别代表铁磁电极和非磁绝缘体或半导体）相比,DSFJ具有一个有利于应用的特点:其TMR在具有甚高值的问时,不随偏压的增大而单调地剧烈下降,而是先缓慢升到一个峰值后再下降.
- 谢征微李伯臧
- 关键词：隧穿电导隧穿磁电阻磁性隧道结铁磁电极
