赵恂
- 作品数：60 被引量：506H指数：13
- 供职机构：国防科学技术大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家部委资助项目更多>>
- 相关领域：一般工业技术电气工程金属学及工艺理学更多>>
- SiC颗粒表面Mo涂层的制备与分析被引量：1
- 2016年
- 采用磁控溅射法在碳化硅（SiC）颗粒表面成功制备了金属钼（Mo）涂层,分析了Mo涂层的成分和形貌;为改善初始涂层成分和形貌,对镀Mo改性SiC复合粉体进行了不同工艺的结晶化热处理,重点研究了热处理对SiC颗粒表面Mo涂层形貌和成分的影响。结果表明,磁控溅射法能够在SiC颗粒表面沉积Mo涂层,随磁控溅射时间的延长,SiC颗粒表面Mo涂层的粗糙度增大,但磁控溅射后SiC颗粒表面Mo涂层为非晶态。热处理能够有效改善SiC颗粒表面Mo涂层的成分、形貌及结晶状态,在600-1200℃之间结晶化热处理过程中,随热处理温度升高,SiC颗粒表面Mo涂层形貌主要经历了以下4个阶段变化：Mo涂层初步致密化—Mo的结晶致密化—Mo涂层的聚集长大—Mo与SiC之间化学反应;相应的Mo原子的存在状态也经历了如下变化：非晶态Mo原子—晶态Mo原子—Mo2C和MoSi2。其中800-900℃之间为最佳热处理温度,此时Mo涂层致密均匀包覆完整。SiC表面连续均匀致密的Mo涂层,有利于改善SiC颗粒增强金属基复合材料中基体与增强体之间的界面结合并控制不利界面反应,有利于复合材料综合性能的提高,必将扩大SiC颗粒作为增强体的应用范围。
- 刘猛白书欣李顺赵恂熊德赣
- 关键词：碳化硅表面改性磁控溅射
- SiC_p/Cu电子封装材料研究进展被引量：9
- 2013年
- 详细介绍了SiCp/Cu电子封装材料的主要制备方法及应用情况,目前国内外SiCp/Cu电子封装材料的主要制备方法有粉末冶金法、放电等离子烧结法、无压浸渗法、压力浸渗法和反应熔渗法,其中包覆粉末热压烧结法和压力浸渗法是目前研发应用较广泛的两种方法。分析了SiC与Cu之间的界面反应机理,并指明SiCp/Cu电子封装材料的制备要解决的主要问题就是在SiC与Cu之间设置界面阻挡层,进而详细阐述了SiCp/Cu电子封装材料主要界面改性方法及其调控效果,并指出目前应用最好的两种方法是物理气相沉积法和化学气相沉积法。
- 刘猛李顺白书欣赵恂熊德赣
- 关键词：电子封装材料SICPCU
- AlSiC电子封装材料及构件研究进展被引量：25
- 2006年
- AlSiC电子封装材料及构件具有高热导率、低膨胀系数和低密度等优异性能,使封装结构具有功率密度高、芯片寿命长、可靠性高和质量轻等特点,应用范围从功率电子封装到高频电子封装。综述了国内外制备AlSiC电子封装材料及构件所涉及的预制件成形、液相浸渗铸造、力学性能、气密性、机械加工、表面处理和构件连接等方面的研究进展。
- 熊德赣程辉刘希从赵恂鲍小恒杨盛良堵永国
- 关键词：预制件液相浸渗机械加工表面处理
- 块状Sm_2Fe_(17)N_v磁体的制备被引量：5
- 2001年
- 为发挥 Sm2 Fe1 7Nx 高温性能好的特点 ,探索了一种制取块状 Sm2 Fe1 7Nx 磁体的新思路 ,即先制备 Sm2 Fe1 7多孔烧结体 ,然后将烧结体在低温下氮化。初步实验得到了磁能积为6.69k J/ m3的 Sm2 Fe1 7Nx 永磁体 ,表明这是一条很有前途的制取高性能 Sm2 Fe1 7Nx
- 白书欣张虹赵恂纪东明张家春夏立芳雷廷权
- 关键词：磁性能磁性材料
- 界面设计对Si_p/Al复合材料组织和性能的影响被引量：5
- 2014年
- 采用真空气压浸渗方法制备Sip/Al复合材料,研究硅颗粒表面炭化和氮化处理对Sip/Al复合材料组织结构和性能的影响。结果表明:炭化和氮化处理可在硅颗粒表面生成炭化硅层和氮化硅层,能有效地阻止高温制备时铝对硅的溶解,提高复合材料的性能。经1300℃炭化处理2h后制得的体积分数为50%的Sip/Al复合材料,其热导率达139.98W·(m·K)-1,相比未作处理的提高约30%;经1200℃氮化处理2h后制得的体积分数为50%的Sip/Al复合材料,其热导率为128.80W·(m·K)-1,相比未作处理的提高约20%。
- 刘猛白书欣李顺赵恂熊德赣
- 关键词：SIPAL复合材料热导率
- SiO_2气凝胶纳米复合材料的研究被引量：6
- 1998年
- 在纳米结构的ＳｉＯ２气凝胶的基础上，实验合成了一系列新型的以纳米ＳｉＯ２气凝胶为骨架的多元纳米复合材料．讨论了一系列多组分ＳｉＯ２纳米气凝胶材料的微观纳米结构形式，包括胶粒尺寸、微孔尺寸分布等，同时探讨了在含金属组分的气凝胶骨架上采用气相裂解乙炔的方法制备出以Ｃ－ＳｉＯ２气凝胶为骨架的纳米复合材料与气凝胶骨架中的金属原子的关系，并初步测定了几种ＳｉＯ２纳米复合气凝胶材料的基本物理性能，进一步展望了这些纳米复合材料的可能应用前景．
- 谢凯陈一民许静盘毅赵恂
- 关键词：复合材料气凝胶纳米材料二氧化硅
- 带金属密封环的铝碳化硅封装外壳
- 本实用新型公开了一种带金属密封环的铝碳化硅封装外壳，它有壳座(2)、(22)、(222)或(2222)，其结构特点是，铝碳化硅壳座(2)、(22)、(222)或(2222)的上端口设有金属密封环(1)、(11)、(111...
- 熊德赣堵永国杨盛良白书欣赵恂
- 文献传递
- AlSiC电子封装基片的制备与性能被引量：12
- 2006年
- 采用模压成形制备SiC预制件和真空压力浸渗相结合的技术，成功制备出AISiC电子封装基片。研究磷酸铝含量和成形压力对SiC预制件抗弯强度和孔隙率的影响规律，并对所制备的AISiC电子封装基片的性能进行评价。结果表明，在磷酸铝含量为0．8%，成形压力为200MPa时，经600℃恒温2h处理的SiC预制件抗弯强度为8．46MPa，孔隙率为37％。当温度为100～500℃时，AISiC电子封装基片的热膨胀系数介于6．88×10^-6和8．14×10^-6℃^-1之间，热导率为170W／（m·K），抗弯强度为398MPa，气密性小于1×10^-8Pa·m^3／s。用钯盐活化进行化学镀镍，得到光亮、完整的镀层。镀层于450℃恒温120s后，镀层不变色，未见起皮和鼓泡。
- 熊德赣刘希从鲍小恒白书欣杨盛良赵恂
- 关键词：气密性真空压力浸渗化学镀镍
- 铝硅/铝碳化硅复合材料及其制备方法、电子封装装置
- 本发明提供了一种铝硅/铝碳化硅复合材料及其制备方法、电子封装装置。该铝硅/铝碳化硅复合材料包括激光焊接层和铝碳化硅层，激光焊接层位于铝碳化硅层的上表层；激光焊接层为经喷射沉积形成的铝硅材料。本发明提供的复合材料通过在铝碳...
- 白书欣熊德赣李顺赵恂张虹万红
- 文献传递
- SiC(Ti)纤维与铝的相容性及预制丝性能的研究
- 1993年
- 本文利用纤维测强法研究了镀铝SiC(Ti)纤维经不同规范热处理后的抗拉强度变化规律,探讨了SiC(Ti)纤维与铝的相容性。采用超声液相浸渗法成功地制备出SiC(Ti)/Al预制丝。预制丝强度及其萃取纤维强度试验和金相、扫描电镜观察等结果表明,该纤维在所定的工艺条件下强度降级甚小,纤维与铝之间的结合良好,所制出的预制丝强度达到ROM预测值。
- 潘进赵恂尹新方杨德明
- 关键词：碳化硅纤维抗拉强度铝
