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钱乐
作品数:
12
被引量:1
H指数:1
供职机构:
东南大学
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相关领域:
电子电信
医药卫生
环境科学与工程
化学工程
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合作作者
李胜
东南大学
张弛
东南大学
刘斯扬
东南大学
时龙兴
东南大学
孙伟锋
东南大学
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环境科学与工...
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医药卫生
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重掺杂
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肖特基
机构
12篇
东南大学
作者
12篇
钱乐
8篇
孙伟锋
8篇
时龙兴
8篇
刘斯扬
8篇
张弛
8篇
李胜
2篇
孙岳明
2篇
王育乔
2篇
刘阳
2篇
谭佃龙
2篇
施晓秋
年份
4篇
2022
5篇
2021
2篇
2011
1篇
2010
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12
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一种高阈值的功率半导体器件及其制造方法
本发明公开了一种高阈值的功率半导体器件及其制造方法,自下而上顺次包括:漏金属电极、衬底、缓冲层、漂移区;还包括:漂移区上由漂移区凸起、柱状p区和柱状n区共同构成的复合柱体,沟道层、钝化层、介质层、重掺杂半导体层、栅金属电...
孙伟锋
张弛
辛树轩
李胜
钱乐
葛晨
刘斯扬
时龙兴
文献传递
一种耐瞬时电流冲击的异质结半导体器件
本发明涉及一种耐瞬时电流冲击的异质结半导体器件,包括:衬底,在衬底中设有衬底电阻区,在衬底上依次设有第一半导体层、第二半导体层、第三半导体层、第四半导体区,第二半导体层与第三半导体层接触形成电子沟道层,在衬底电阻区上依次...
孙伟锋
钱乐
张弛
李胜
辛树轩
葛晨
刘斯扬
时龙兴
一种高阈值的功率半导体器件及其制造方法
本发明公开了一种高阈值的功率半导体器件及其制造方法,自下而上顺次包括:漏金属电极、衬底、缓冲层、漂移区;还包括:漂移区上由漂移区凸起、柱状p区和柱状n区共同构成的复合柱体,沟道层、钝化层、介质层、重掺杂半导体层、栅金属电...
孙伟锋
张弛
辛树轩
李胜
钱乐
葛晨
刘斯扬
时龙兴
文献传递
一种具有高阈值稳定性型氮化镓功率半导体器件
本发明公开了一种具有高阈值稳定性型氮化镓功率半导体器件,包括:衬底、成核层、漂移区、沟道层、势垒层、第一p型氮化镓帽层、金属源电极、金属漏电极,所述第一p型氮化镓帽层上表面设有第二p型氮化镓帽层与n型氮化镓帽层、肖特基接...
刘斯扬
张弛
辛树轩
李胜
钱乐
葛晨
孙伟锋
时龙兴
利用废酸洗液回收的氯化亚铁生产纳米氧化铁红的方法
本发明公开了一种利用钢铁厂废酸洗液回收的氯化亚铁生产纳米氧化铁红的方法,它包括:将质量比5-35%氯化亚铁水溶液、洁净的铁片和铁黄晶种投入到反应釜中,控制反应温度10-40度,向釜中添加沉淀剂;搅拌时间0.5-5小时,搅...
王育乔
孙岳明
施晓秋
钱乐
刘阳
谭佃龙
文献传递
军团菌气溶胶检测技术初步研究
目的: 通过对三种空气微生物采样技术对嗜肺军团菌气溶胶采集效果的比较,建立与优化适于公共场所中嗜肺军团菌气溶胶污染的检测方法。 内容: 1.建立应用巢式PCR、RT-PCR技术检测嗜肺军团菌气溶胶样品的...
钱乐
关键词:
嗜肺军团菌
气溶胶
空气质量
650V p-GaN HEMT器件短路可靠性研究
随着半导体技术的不断进步,氮化镓(GaN)器件凭借其开关速度快、耐压高等优势,逐渐在高频、高压等领域发挥重要作用,并步入商业化阶段。其中,带有p型GaN帽层的高电子迁移率晶体管(p-GaN HEMT)商业化最为成熟,但其...
钱乐
关键词:
短路
可靠性
一种以雪崩抗冲击的异质结半导体器件
本发明公开了一种以雪崩抗冲击的异质结半导体器件,该器件包括衬底(1)和第二介质层(23),在衬底(1)上设有第一介质层(21),在第二介质层(23)上设有第一半导体层(24),第一半导体层(24)上设有第二半导体层(3)...
刘斯扬
辛树轩
葛晨
李胜
张弛
钱乐
孙伟锋
时龙兴
文献传递
一种具有高阈值稳定性型氮化镓功率半导体器件
本发明公开了一种具有高阈值稳定性型氮化镓功率半导体器件,包括:衬底、成核层、漂移区、沟道层、势垒层、第一p型氮化镓帽层、金属源电极、金属漏电极,所述第一p型氮化镓帽层上表面设有第二p型氮化镓帽层与n型氮化镓帽层、肖特基接...
刘斯扬
张弛
辛树轩
李胜
钱乐
葛晨
孙伟锋
时龙兴
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利用废酸洗液回收的氯化亚铁生产纳米氧化铁红的方法
本发明公开了一种利用钢铁厂废酸洗液回收的氯化亚铁生产纳米氧化铁红的方法,它包括:将质量比5-35%氯化亚铁水溶液、洁净的铁片和铁黄晶种投入到反应釜中,控制反应温度10-40度,向釜中添加沉淀剂;搅拌时间0.5-5小时,搅...
王育乔
孙岳明
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