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马云峰
作品数:
22
被引量:2
H指数:1
供职机构:
北京工业大学
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发文基金:
北京市教委基金资助项目
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相关领域:
理学
电子电信
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合作作者
王越
北京工业大学应用数理学院
蒋毅坚
北京工业大学
邸大伟
北京工业大学应用数理学院
徐宏
北京工业大学激光工程研究院
张春萍
北京工业大学
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马云峰
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邸大伟
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2013
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一种生长Ca<Sub>0.28</Sub>Ba<Sub>0.72</Sub>(Nb<Sub>1-x</Sub>Ta<Sub>x</Sub>)<Sub>2</Sub>O<Sub>6</Sub>系列晶体的方法
一种生长Ca<Sub>0.28</Sub>Ba<Sub>0.72</Sub>(Nb<Sub>1?x</Sub>Ta<Sub>x</Sub>)<Sub>2</Sub>O<Sub>6</Sub>系列晶体的方法属于晶体生长领域...
王越
马云峰
蒋毅坚
徐宏
文献传递
一种无坩埚快速生长厘米量级Ti:Ta<Sub>2</Sub>O<Sub>5</Sub>晶体的方法
一种无坩埚快速生长厘米量级Ti:Ta<Sub>2</Sub>O<Sub>5</Sub>晶体的方法,属于Ti:Ta<Sub>2</Sub>O<Sub>5</Sub>晶体生长领域。先将TiO<Sub>2</Sub>和Ta<S...
蒋毅坚
徐宏
马云峰
王越
文献传递
BiFe1-XCoXO3晶体光学浮区法生长及其物理性质研究
邸大伟
马云峰
韩文辉
王越
几种高温易挥发氧化物晶体的垂直区熔法生长及性能研究
ZnO∶Ga晶体是一种集透明导电、超快速衰减闪烁和紫外发射等各项优异性能于一体的多功能、直接带隙、宽禁带半导体材料。多组分、重掺杂的厘米级ZnO∶Ga的单晶生长及其电学、光学性质随掺Ga浓度变化规律亟待系统性深入研究。钽...
马云峰
关键词:
半导体
氧化物晶体
垂直区熔法
电学性质
光学性质
一种用放电等离子烧结研究镓掺杂氧化锌陶瓷最佳烧结工艺的方法
本发明提供一种用放电等离子烧结研究镓掺杂氧化锌陶瓷最佳烧结工艺的方法。将ZnO和Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>粉料按Ga<Sub>0.00075</Sub>Zn<Sub>0.99925</Sub>...
王越
陈龙
蒋毅坚
梅晓平
曾勇
马云峰
文献传递
光学浮区法制备BiFe_(1-x)Co_xO_3及其性质研究
2013年
采用光学浮区法生长了BiFe1-xCoxO3(x=0、0.01、0.03、0.05、0.07、0.09、0.11)晶体。研究了生长温度、旋转速度、生长速度、有无气体冷却等工艺条件对熔区稳定和样品品质的影响。通过生长参数的优化,获得了尺寸为西(8—12)mm×(60—120)mm的晶体。测试的磁滞回线表明,随着Co掺杂比例的提高,室温下反铁磁性能逐渐增强,当x=0.11时,饱和磁化强度达到了5.5emu/g;介电温谱显示,5%Co掺杂样品的尼尔温度达到320毒的最低值,介电常数因Co替代Fe的比例增加而发生变化。
邸大伟
王越
马云峰
韩文辉
关键词:
磁化强度
二步烧结法制备SCNN陶瓷及其性能
2012年
在传统工艺设备制备的基础上,运用二步烧结法制备出钨青铜结构压电陶瓷Sr2-xCaxNaNb5O15(SCNN),通过对x=0.05~0.30的陶瓷研究,获得了具有较高压电系数(80pC/N)和介电常数(>1600)的SCNN陶瓷.X线衍射实验及扫描电镜实验的结果表明,该陶瓷具有极高的致密性.
王越
黄强
范修军
马云峰
关键词:
无铅压电陶瓷
一种生长BiFe1‐xCoxO3系列晶体的方法
一种生长BiFe<Sub>1‐x</Sub>Co<Sub>x</Sub>O<Sub>3</Sub>系列晶体的方法属于晶体生长领域。将粉料Fe<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>、Bi<Sub>2</Sub>...
王越
邸大伟
马云峰
蒋毅坚
文献传递
光学浮区法生长CaxBa1-xNb2O6晶体及其性能研究
四方钨青铜(TTB)结构的晶体CaxBa1-xNb2O6(CBN)具有优良的压电、介电、铁电、电光及光折变等性质。居里温度随晶体实际组分变化(x=0.224~0.366)在124~347℃之间,比常见的TTB结构的Srx...
马云峰
关键词:
介电性质
文献传递
一种生长Ca<Sub>x</Sub>Ba<Sub>1-x</Sub>Nb<Sub>2</Sub>O<Sub>6</Sub>系列晶体的方法
一种生长Ca<Sub>x</Sub>Ba<Sub>1-x</Sub>Nb<Sub>2</Sub>O<Sub>6</Sub>系列晶体的方法属于晶体生长领域。将粉料CaCO<Sub>3</Sub>、BaCO<Sub>3</S...
王越
马云峰
蒋毅坚
邸大伟
徐宏
刘国庆
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