龚剑锋
- 作品数：2 被引量：3H指数：1
- 供职机构：清华大学机械工程学院摩擦学国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国际科技合作与交流专项项目国家高技术研究发展计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：机械工程更多>>
- 聚苯乙烯-二氧化硅复合颗粒对铜层的化学机械抛光性能
- 2012年
- 随着集成电路线宽变窄,要求铜互连表面具有更低的表面粗糙度,对化学机械抛光(CMP)技术提出更高的要求。采用聚苯乙烯(PS)-二氧化硅(SiO2)复合颗粒作为铜层CMP的抛光磨粒,研究出PS-SiO2核壳结构的形成条件,分析新型抛光液体系中各颗粒含量、pH值等因素对Cu抛光效果的影响,通过X射线光电子能谱(XPS)、扫描电镜(SEM)等手段探讨其中的抛光机制和颗粒残留等问题。结果表明:较之PS、SiO2颗粒抛光液,复合颗粒抛光液抛光Cu后,获得更大的去除和更好的表面质量,且与抛光过程中摩擦因数的关系相符合。
- 龚剑锋潘国顺周艳刘岩
- 关键词：化学机械抛光聚苯乙烯颗粒铜
- 聚苯乙烯(PS)颗粒抛光液特性对铜表面化学机械抛光的影响被引量：3
- 2010年
- 铜互连与低-k介质在集成电路制造中的应用对表面平坦化提出更高的要求。为改善铜层化学机械抛光(Cu-CMP)效果,将聚苯乙烯(PS)颗粒应用于铜的化学机械抛光液,分析PS颗粒抛光液中氧化剂、络合剂、pH值、粒径及颗粒含量对铜的化学机械抛光性能的影响,并通过静态腐蚀及电化学手段对PS颗粒在抛光液中的化学作用进行了分析。实验结果表明,当以过氧化氢(H2O2)为氧化剂,氨基乙酸(C2H5NO2)为络合剂时,优化后的PS颗粒抛光液取得了较高的铜抛光去除速率,达到1μm/min,同时发现PS颗粒的加入增强了抛光液的化学腐蚀作用。
- 龚剑锋潘国顺戴媛静刘岩
- 关键词：化学机械抛光去除速率
