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刘晓卫

作品数：10 被引量：6H指数：1
供职机构：北京大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 4篇专利
  • 2篇学位论文

领域

  • 6篇电子电信

主题

  • 3篇陷阱电荷
  • 3篇MOS器件
  • 2篇电流
  • 2篇电流补偿
  • 2篇电路
  • 2篇氧化层
  • 2篇软件系统
  • 2篇谱方法
  • 2篇分析方法
  • 2篇分析软件
  • 2篇分析软件系统
  • 2篇半导体
  • 2篇半导体器件
  • 2篇MOS结构
  • 2篇测量系统
  • 2篇测试电路
  • 2篇测试仪器
  • 2篇弛豫
  • 1篇调制效应
  • 1篇势垒

机构

  • 10篇北京大学

作者

  • 10篇刘晓卫
  • 8篇许铭真
  • 8篇谭长华
  • 5篇王阳元
  • 3篇卫建林
  • 2篇张晖
  • 2篇何燕东
  • 2篇解冰
  • 2篇王永顺
  • 1篇何燕冬
  • 1篇陈之昀
  • 1篇段小蓉

传媒

  • 3篇电子学报
  • 1篇Journa...

年份

  • 1篇2003
  • 1篇2000
  • 1篇1997
  • 1篇1994
  • 2篇1993
  • 3篇1992
  • 1篇1991
共 10 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
半导体参数分析系统
本发明涉及一种半导体器件参数分析系统。包括半导体参数测试仪器，计算机，测试台，计算机与测试仪器接口卡，半导体参数分析软件系统。半导体参数测试仪器测量完整的半导体器件I-V输出特性；半导体参数分析软件系统对测得的I-V特性...
许铭真谭长华何燕东卫建林解冰刘晓卫
文献传递
陷阱电荷弛豫谱方法及其测量系统
本发明属半导体测量技术，具体地说，就是涉及MOS系统中绝缘层陷阱电荷的检测技术。陷阱电荷弛豫谱方法及其测量系统(TCRS)采用一种新的差值取样技术和高分辨率的共模输入电流补偿测试电路，首次解决了绝缘层陷阱参数的直接测量和...
谭长华许铭真王阳元张晖刘晓卫王永顺
高场势垒调制效应及其对陷阱测试分析的影响
1994年
高场应力条件下，ＶＬＳＩ／ＵＬＳＩＭＯＳ结构场发射极附近的镜像力效应和半导体／氧化层界面附近半导体一侧的表面量子化效应都将影响ＭＯＳ结构的高场隧穿势垒高度及形状，本文研究了这种高场势垒调制效应及其对ＭＯＳ结构高场隧穿特性和陷阱测试分析的影响，并给出了初步的修正分析方法．
刘晓卫许铭真谭长华王阳元
关键词：势垒高度MOS器件
多陷阱相干效应对氧化层电流弛豫谱的影响被引量：4
1992年
本文用单陷阱产生一俘获模型和一级电场因子近似弛豫函数研究了“多陷阱相干效应”对簿栅氧化层电流弛豫谱(OCRS)的影响。给出了高场下、多陷阱共存时,各陷阱OCRS峰并存的条件和峰位、峰值的修正公式。
许铭真谭长华刘晓卫王阳元
关键词：薄SIO2相干效应氧化层
差值取样数对氧化层电流弛豫谱分辨率与灵敏度的影响被引量：1
1993年
本文讨论了差值取样数对氧化层电流弛豫谱(OCRS)分辨率与灵敏度的影响,给出了差值取样数七在实际分析过程中的最佳选择原则,研究了用计算机技术改善氧化层电流弛豫谱的灵敏度问题。
许铭真谭长华刘晓卫何燕冬段小蓉王阳元
关键词：分辨率灵敏度MOS器件
VLSI/ULSI MOS结构陷阱电荷驰豫分析原理与技术研究
刘晓卫
一种新的MOS器件亚阈区表面势分析方法被引量：1
1997年
本文根据MOS器件亚阈区转移特性国数强收敛的特点，提出了一种直接利用MOS器件转移特性确定亚阈区表面势的新方法．并讨论了界面馅饼的影响．研究结果表明，对于长沟器件，该方法的系统误差小于1．3％．与C－V法的对照实验表明，两者的结果偏差小于5％．
陈之昀刘晓卫卫建林谭长华许铭真
关键词：MOS器件
半导体参数分析方法及其系统
本发明涉及一种半导体器件参数比例差值算符分析方法及其系统。先通过半导体参数测试仪器测量完整的半导体器件Ⅰ－Ⅴ输出特性,然后通过比例差值算符分析软件系统对上述Ⅰ－Ⅴ特性进行比例差值处理,得到相应的比例差值Ⅰ－Ⅴ函数特性和半...
许铭真谭长华何燕东卫建林解冰刘晓卫
文献传递
陷阱电荷弛豫谱方法及其测量系统
本发明属半导体测量技术，具体地说，就是涉及MOS系统中绝缘层陷阱电荷的检测技术。陷阱电荷弛豫谱方法及其测量系统(TCRS)采用一种新的差值取样技术和高分辨率的共模输入电流补偿测试电路，首次解决了绝缘层陷阱参数的直接测量和...
谭长华许铭真王阳元张晖刘晓卫王永顺
文献传递
MOS结构与器件的高场物理和退化研究——理论、技术与应用系统
刘晓卫
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