刘立慧
- 作品数：9 被引量：8H指数：2
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- 纳米晶硅-氧化铝/氧化硅热电薄膜材料的制备方法
- 一种纳米晶硅-氧化铝/氧化硅热电薄膜材料的制备方法，由清洗石英玻璃衬底、真空蒸镀铝膜、退火步骤组成。采用了成本比较低的金属铝作为热蒸发材料，所制备的纳米晶硅-氧化铝/氧化硅热电薄膜材料的电阻率、塞贝克(Seebeck)系...
- 高斐郝培风刘立慧
- 文献传递
- Cu_2O薄膜的制备方法被引量：2
- 2009年
- 氧化亚铜(Cu2O)薄膜在太阳能电池及其它光电器件上有重要应用,它具有无毒、制备成本低、材料广泛易得等优点。制备Cu2O薄膜的方法主要有热蒸发、溅射、化学气相沉积和电化学沉积等,本文对Cu2O薄膜的制备方法进行了综述与展望。
- 孙杰高斐权乃承晏春愉张佳雯郝培风刘立慧
- 关键词：热蒸发溅射化学气相沉积
- 纳米晶硅-氧化铝/氧化硅热电薄膜材料的制备方法
- 一种纳米晶硅-氧化铝/氧化硅热电薄膜材料的制备方法，由清洗石英玻璃衬底、真空蒸镀铝膜、退火步骤组成。采用了成本比较低的金属铝作为热蒸发材料，所制备的纳米晶硅-氧化铝/氧化硅热电薄膜材料的电阻率、塞贝克(Seebeck)系...
- 高斐郝培风刘立慧
- nc-Si∶(Al_2O_3＋SiO_2)复合膜的制备及其热电特性
- 2010年
- 采用真空热蒸发技术在石英玻璃衬底上蒸镀约400 nm的铝膜,并在空气中580℃的条件下退火1 h。在退火过程中Al与石英中的SiO2反应形成纳米硅nc-Si∶（Al2O3＋SiO2）复合膜。利用X射线衍射（XRD）、拉曼散射（Raman）及扫描电镜（SEM）等方法研究了薄膜的结构特性。测得膜厚约为760 nm,估算出薄膜中纳米硅（nc-Si）的平均尺寸约为25 nm。实验发现该nc-Si∶（Al2O3＋SiO2）复合膜有热电特性,研究了其电阻率及Seebeck系数随温度（293-413 K）的变化关系,在293 K和413 K该薄膜的Seebeck系数分别约为-624μV/K和-225μV/K。
- 郝培风高斐苗锟刘立慧孙杰权乃承刘晓静张君善
- 关键词：热电薄膜热蒸发SEEBECK系数
- 通过氧化Cu膜制备Cu2O薄膜
- 氧化亚铜(CuO)是一种应用潜力很大的半导体材料,具有无毒,制备成本低,材料广泛易得等优点,被广泛地应用于太阳电池、高效光化学电池光电极、磁器件和光催化等。CuO太阳电池的理论转化效率可达20%,但是至今为止获得的光电转...
- 孙杰高斐权乃承晏春愉张佳雯郝培风刘立慧
- 关键词：CU膜退火
- 文献传递
- 通过氧化Cu膜制备Cu_2O薄膜被引量：2
- 2009年
- 通过热蒸镀Cu膜并在空气中退火制备Cu2O薄膜,利用X射线衍射(XRD)、能量分散X射线谱(EDX)和原子力显微镜(AFM)研究了已沉积和不同温度退火薄膜的晶体结构、成份和表面形貌。结果表明,Cu膜在200℃退火30分钟可以得到具有单一成份的Cu2O薄膜。四探针测量得到所制备的Cu2O薄膜电阻率为0.22Ωcm。用紫外可见光分光光度计(UV-vis)研究了Cu2O薄膜的光学特性,得出其光学带隙为2.4eV。
- 孙杰高斐权乃承晏春愉张佳雯郝培风刘立慧
- 关键词：CU膜退火
- 真空热蒸发制备ZnS薄膜及其特性的研究被引量：4
- 2010年
- 用真空热蒸发在不同衬底温度下制备了ZnS薄膜,利用X射线衍射(XRD)、X射线能谱(EDAX)、紫外可见分光光度计(UV-vis)和原子力显微镜(AFM)研究了ZnS薄膜的晶体结构、成分、光学性能和形貌,分析了衬底温度对ZnS薄膜结构与光学特性的影响。结果表明,所制备的ZnS薄膜呈立方闪锌矿结构,衬底温度为300℃所制备的ZnS薄膜原子比(S/Zn)为0.95/1;薄膜表面均匀致密,呈多晶态,晶粒尺寸为18.2nm;在可见区有好的透射性能,光学禁带宽度为3.82eV。
- 权乃承高斐孙杰刘立慧郝培风
- 关键词：ZNS薄膜热蒸发光学带隙
- 非均匀的纳米晶硅(nc-Si)薄膜的横向热伏效应
- 2010年
- 采用磁控溅射技术在石英衬底上沉积1层200nm厚的非晶硅(a-Si)薄膜,并用真空热蒸发在其上沉积两个横向接触的厚度不同(分别为50和100nm)的Al膜。将已沉积好的薄膜在N2气氛中600℃下退火45min,得到两个横向接触的具有不同晶化程度的纳米晶硅(nc-Si)薄膜。利用X射线衍射(XRD)、Raman光谱、扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)研究了所制备样品的结构特性。由较厚Al膜诱导的nc-Si薄膜的Si晶粒平均尺寸为25nm,晶化率为56%;由较薄Al膜诱导的nc-Si薄膜的Si晶粒平均尺寸为15nm,晶化率为23%。实验发现在没有温度梯度的情况下,这两个不同晶化程度的nc-Si薄膜之间具有横向热伏效应。温度为273K时,其开路电压为1.2mV,短路电流为40nA;当温度达到373K时,其开路电压达到25mV,短路电流达到1.171μA。
- 刘立慧高斐郝培风刘晓静张君善权乃承孙杰
- 关键词：开路电压短路电流
- 横向非均匀纳米硅（nc-Si）薄膜和氧化亚铜薄膜的制备及其特性研究
- 本论文分为两个部分。第一部分研究了横向非均匀热伏纳米硅薄膜;第二部分研究了氧化亚铜(Cu2O)光伏薄膜。 采用磁控溅射技术在石英衬底上沉积一层200nm厚的非晶硅(a-Si)薄膜,并用真空热蒸发在其上沉积两个横向接触的厚...
- 刘立慧
- 关键词：磁控溅射光学带隙
- 文献传递
