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刘竞秀

作品数：200 被引量：6H指数：2
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 196篇专利
  • 3篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 63篇电子电信
  • 4篇文化科学

主题

  • 125篇导通
  • 123篇导通压降
  • 100篇半导体
  • 88篇损耗
  • 74篇关断
  • 74篇关断损耗
  • 65篇功率半导体
  • 61篇功率半导体器...
  • 61篇半导体器件
  • 56篇晶体管
  • 50篇绝缘栅
  • 43篇栅电荷
  • 40篇双极型
  • 40篇功率器件
  • 38篇二极管
  • 38篇槽栅
  • 36篇双极型晶体管
  • 34篇半导体功率器...
  • 30篇绝缘栅双极型...
  • 27篇漂移区

机构

  • 200篇电子科技大学

作者

  • 200篇刘竞秀
  • 196篇张波
  • 196篇张金平
  • 186篇李泽宏
  • 94篇任敏
  • 51篇赵阳
  • 45篇王康
  • 44篇赵倩
  • 14篇廖航
  • 10篇刘玮琪
  • 6篇李肇基
  • 5篇陈钱
  • 5篇单亚东
  • 4篇杨文韬
  • 4篇陈文梅
  • 2篇李丹
  • 2篇戴钢书
  • 2篇陈伟
  • 2篇高巍
  • 2篇张玉蒙

传媒

  • 3篇电子科技大学...

年份

  • 5篇2023
  • 6篇2022
  • 18篇2021
  • 37篇2020
  • 49篇2019
  • 41篇2018
  • 12篇2017
  • 22篇2016
  • 2篇2015
  • 2篇2014
  • 2篇2013
  • 1篇2007
  • 1篇2006
  • 1篇2005
  • 1篇2003
共 200 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种横向沟槽型MOSFET器件及其制备方法
一种横向沟槽型MOSFET器件，属于半导体功率器件技术领域。本发明通过在一个栅极结构周侧形成多晶硅区或肖特基接触金属区，并使得多晶硅区或肖特基接触金属区与漂移区形成具有整流特性的异质结或者肖特基接触。由于异质结或者肖特基...
张金平邹华罗君轶赵阳刘竞秀李泽宏张波
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一种双分裂沟槽栅电荷存储型IGBT及其制造方法
本发明属于功率半导体器件技术领域，具体涉及沟槽栅电荷存储型绝缘栅双极型晶体管。本发明通过在器件沟槽内栅电极的底部和侧面引入与发射极等电位的双分裂电极以及双分裂电极和栅电极之间的介质层，在不影响IGBT器件阈值电压和开通的...
张金平底聪田丰境刘竞秀李泽宏任敏张波
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一种RC-LIGBT器件及其制作方法
一种RC-LIGBT器件及其制作方法，属于功率半导体器件及集成电路领域。本发明在传统RC-LIGBT结构的基础上，在器件集电极结构中引入了P型阱区，该P型阱区将集电极结构中的N+集电极短路区包围在里面，且通过连接金属与N...
张金平杨文韬陈钱顾鸿鸣刘竞秀李泽宏任敏张波
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一种沟槽型绝缘栅双极晶体管及其制备方法
一种沟槽型绝缘栅双极晶体管及其制备方法，属于功率半导体技术领域。本发明通过利用硅等窄禁带材料沟道迁移率高以及其与发射极金属形成的欧姆接触电阻小的特点，以窄禁带半导体材料来形成导电沟道且与发射极金属形成欧姆接触，减小了沟道...
张金平罗君轶陈子珣刘竞秀李泽宏张波
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一种超结功率器件耐压层的制作方法
本发明公开了一种超结功率器件耐压层的制作方法，属于功率半导体技术领域。本发明通过多次光刻、刻蚀沟槽和外延填充分批次制作半导体柱以及通过多次半导体材料外延并在每一外延层进行上述分批次制作半导体柱，保证了在每一次光刻、沟槽刻...
张金平顾亦舒殷鹏飞刘竞秀李泽宏任敏张波
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一种横向沟槽型绝缘栅双极晶体管及其制备方法
本发明属于功率半导体器件技术领域，涉及一种横向沟槽型绝缘栅双极晶体管及其制作方法。本发明在LIGBT器件结构的基础上，加入了载流子存储层和纵向槽栅结构，能增强电导调制效应，减小器件的导通压降；水平方向与纵向方向的沟道能提...
张金平赵阳王康刘竞秀李泽宏张波
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一种沟槽型绝缘栅双极晶体管及其制备方法
一种沟槽型绝缘栅双极晶体管及其制备方法，属于功率半导体技术领域。本发明通过在沟槽型绝缘栅双极晶体管的第二导电类型浮空区引入第二导电类型沟道MOSFET的元胞结构，其中MOSFET的栅电极与漏极短接零电位，在器件关断时，由...
张金平罗君轶王康刘竞秀李泽宏张波
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一种沟槽型绝缘栅双极晶体管及其制备方法
一种沟槽型绝缘栅双极晶体管及其制备方法，属于功率半导体技术领域。本发明通过在沟槽型绝缘栅双极晶体管的第二导电类型浮空区引入第二导电类型沟道耗尽型MOSFET，并使IGBT的栅电极与MOSFET的栅电极短接，在IGBT导通...
张金平罗君轶赵阳刘竞秀李泽宏张波
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一种碳化硅TrenchMOS器件及其制作方法
本发明公开了碳化硅Trench MOS器件及其制作方法，属于功率半导体技术领域。本发明鉴于通过外部反并联一个快恢复二极管(FRD)以及直接使用碳化硅Trench MOS器件的寄生二极管均存在不足，通过在传统器件的P<Su...
张金平邹华刘竞秀李泽宏任敏张波
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一种具有过流保护能力的横向IGBT
本发明属于功率半导体器件技术领域，涉及一种具有过流保护能力的横向IGBT。本发明提出了一种具有过流保护能力的横向IGBT结构，通过在传统的横向IGBT结构基础上集成一个PMOS结构，同时在PMOS上连接一个二极管与电阻，...
张金平王康陈子珣刘竞秀李泽宏张波
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