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刘荣寰

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇专利

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇电路
  • 2篇集成电路
  • 1篇地线
  • 1篇电路工艺
  • 1篇电容
  • 1篇电容器
  • 1篇载流子
  • 1篇集成电路工艺
  • 1篇光效
  • 1篇光效率
  • 1篇过压
  • 1篇过压保护
  • 1篇发光
  • 1篇发光效率
  • 1篇放电
  • 1篇放电间隙
  • 1篇GAP

机构

  • 3篇中国科学院
  • 1篇北京师范大学

作者

  • 3篇刘荣寰
  • 2篇刘忠立
  • 2篇和致经
  • 1篇李桂英
  • 1篇于芳
  • 1篇桑丽华
  • 1篇茅冬生

传媒

  • 1篇稀有金属
  • 1篇核电子学与探...

年份

  • 1篇1999
  • 1篇1993
  • 1篇1992
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
GaP∶NLPE片的纵向载流子浓度分布
1999年
阐述了ＧａＰ∶ＮＬＰＥ片纵向载流子浓度分布的测量方法， 探讨了各层载流子浓度和载流子浓度分布对发光效率的影响。
李桂英刘荣寰杨锡震王亚非桑丽华
关键词：载流子发光效率
集成电路的保护结构
本发明公开了一种集成电路输入的过压保护结构，它由集成电路输入端与地线之间并列设置的矩形平面放电间隙和二氧化硅介质电容器组成。这种结构与现有集成电路工艺相容，特别适用于CMOS/SOS集成电路，具有保护能力强以及不易烧毁等...
刘忠立刘荣寰和致经
文献传递
加固的MOS/SOS集成电路抗γ瞬态辐照的最新实验结果
1992年
本文介绍了三个MOS/SOS集成电路,即SC4082,SC4066和SC1416的抗γ瞬态辐照的最新实验结果。其中SC4082和SC4066是类似相应体硅4000系列的CMOS/SOS电路,而SC1416是类似MC1416的高压NMOS/SOS电流驱动器。这些电路在我们早先的文章中有过介绍,但这次实验的样品,在加固上作了一些新的考虑,特别是输入保护电路作了较大的改进。
刘荣寰刘忠立茅冬生和致经于芳
关键词：集成电路
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