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吴晓薇

作品数：4 被引量：12H指数：2
供职机构：南京大学更多>>
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相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

题名
作者

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 3篇理学
  • 2篇电子电信

主题

  • 3篇多孔硅
  • 3篇光致
  • 3篇光致发光
  • 3篇发光
  • 1篇电子辐照
  • 1篇电子束辐照
  • 1篇碳60
  • 1篇汽相沉积
  • 1篇微结构
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米晶
  • 1篇纳米晶粒
  • 1篇化学汽相沉积
  • 1篇光谱
  • 1篇光谱移动
  • 1篇光致发光光谱
  • 1篇硅薄膜
  • 1篇发光光谱
  • 1篇辐照
  • 1篇半导体

机构

  • 4篇南京大学

作者

  • 4篇吴晓薇
  • 4篇鲍希茂
  • 3篇阎锋
  • 1篇刘湘娜
  • 1篇杨海强
  • 1篇陈慧兰
  • 1篇何宇亮
  • 1篇洪建明
  • 1篇郑祥钦

传媒

  • 2篇Journa...
  • 2篇物理学报

年份

  • 1篇1995
  • 2篇1994
  • 1篇1993
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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用等离子体增强化学汽相沉积方法制备纳米晶粒硅薄膜光致发光被引量：6
1994年
报道用高氢稀释硅烷为反应气源，用等高子体增强化学汽相沉积（ＰＥＣＶＤ）方法淀积的含有纳米晶粒硅薄膜，未经任何后处理过程，在室温下观察到可见光致发光。将此光发射归因于纳米硅晶粒中的光生载流子在量子尺寸效应下所产生的光子能量高于硅单晶本体能隙，还对发光具有重要影响的一些淀积参数进行了研究。
刘湘娜吴晓薇鲍希茂何宇亮
关键词：硅光致发光化学汽相沉积
嵌于多孔硅的C_（60）的光致发光被引量：2
1995年
在室温下观察到嵌于多孔硅中的Ｃ６０分子有强可见光发射．除观察到了多晶状态的Ｃ６０分子峰位在７３０ｎｍ的特征谱外，还检测到了与多孔硅毗连或偶联的Ｃ６０分子的发射光谱，其主峰分别出现在６２０ｎｍ和６３０ｎｍ．嵌于多孔硅的Ｃ６０的发光强度增强可用激发载流子由多孔硅向Ｃ６０分子的转移效应解释．
阎锋鲍希茂吴晓薇陈慧兰
关键词：多孔硅碳60光致发光半导体材料
自然氧化和电子辐照对多孔硅结构有序度的影响被引量：2
1993年
多孔硅在空气中自然氧化形成Si—O—Si键,引起晶格畸变,导致有序度下降,氧化层用HF去除,有序度可恢复。大束流电子束辐照直接引起晶粒无序化,其有序度不能在HF浸泡中恢复。
官浩阎锋鲍希茂杨海强吴晓薇洪建明
关键词：多孔硅微结构电子束辐照
自然氧化引起的多孔硅光致发光光谱移动问题被引量：3
1994年
多孔硅发光是激发电子通过表面态间接的复合过程。自然氧化引入新的表面态，改变了表面态的分布，从而引起了多孔硅光致发光光谱的移动。
吴晓薇鲍希茂郑祥钦阎锋
关键词：多孔硅光致发光光谱移动
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