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69 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
感应加热用大功率超音频变压器的设计
淬火变压器是感应加热系统必不可少的电气元件之一,由于在低电压、大电流和高频率下运行,其铁心、绕组、结构与工频变压器有较大的区别.本文对其设计中的几个重要问题进行了研究和探讨,并给出了一个实例.
赵前哲周伟松志大器
关键词:非晶磁性材料
文献传递
可短期蓄能的光伏—燃料电池混合系统的最优化及预见性能量管理
2008年
本文讨论了光伏-燃料电池混合发电系统的特征,以及超级电容的短期能量存储效应;指出了燃料电池-超级电容混合单元的优点,也即其对提高能量效率和延长燃料电池寿命的促进作用:提出了一个1.2kW的试验性系统,用于对新型最优化、预见性能量管理算法进行测试;此外,本文还简要讨论了一种新型的、用于对波动光电和负载时间序列进行预测的分类算法模型。
T. BocklischW. Hofmann李燕超周伟松
关键词:燃料电池能量管理光伏蓄能混合发电系统
变桨距风电系统功率控制的逆系统鲁棒方法被引量:9
2010年
对于具有非仿射型非线性特性的系统,逆系统方法是解决其控制问题的有效手段,但是该方法对系统参数依赖性较强。该文分析了用于变桨距风电系统功率控制的逆系统方法对系统参数扰动的鲁棒性,在此基础上,提出了逆系统鲁棒补偿方法以抑制系统参数的扰动。设计了硬件在环的VP-WGS实验平台,通过实验验证了该方法的有效性。实验结果表明:该逆系统鲁棒控制方法实现简单,可以在风速任意波动条件下有效地控制风电系统的输出功率,并且对系统参数的大范围扰动具有较强的鲁棒性。
耿华周伟松杨耕
关键词:风力发电系统鲁棒控制功率控制
p沟VDMOS的设计及抗辐照特性研究被引量:1
2011年
借助半导体仿真工具Silvaco中所提供的工艺摸拟器(Athena)和器件摸拟器(Atlas),及L-Edit版图设计工具,设计了一款击穿电压高于-90 V、阈值电压为-4 V的p沟VDMOS器件。经实际流片测试,器件的导通电阻小于200 m!,跨导为5 S,栅-源泄漏电流和零栅电压时的漏-源泄漏电流均在纳安量级水平,二极管正向压降约为-1 V。采用2-D器件仿真方法以及相关物理模型对所设计的p沟VDMOS器件的单粒子烧毁(SEB)和单粒子栅击穿(SEGR)效应进行了分析和研究,并通过对所获得的器件样片采用钴-60"射线源进行辐照实验,研究了在一定剂量率、不同总剂量水平条件下辐照对所研制的p沟VDMOS器件相关电学参数的影响情况。
郑君周伟松胡冬青刘道广何仕均许军
关键词:单粒子烧毁辐照
钢丝感应加热炉的设计被引量:4
2009年
钢丝感应加热是电、磁、热、相变相互作用的复杂动态过程,感应加热炉的设计应在满足加热工艺要求的前提下,使整个系统效率最高、损耗最低。通过对感应加热时电流趋肤效应的分析,指出加热钢丝直径与透入电流深度之比在3~6比较合适,针对钢丝等磁性材料在加热过程中随温度的增加相对导磁率减小的特点,说明钢丝加热在居里温度点以下选用较低的频率,在居里温度点以上用较高频率,可以提高感应加热炉的效率。给出感应加热时不同直径钢丝在不同温度时的最佳频率,设计出处理Φ7.1~12.6mm钢棒的感应加热生产线,生产线采用长而紧凑的感应器以减少端部磁场泄漏,并严格控制钢丝与感应器的同心度和空气间隙。
赵前哲柳亦兵刘衍平周伟松孙涛
关键词:钢丝热处理
具有开关器件反压限制功能的感应加热电源相位跟踪系统
具有开关器件反压限制功能的感应加热电源相位跟踪系统,属于感应加热电源的相位跟踪技术领域。本发明在PLL锁相跟踪电路中,在鉴相器的输入端在对实际负载电压进行采样、第一整形电路、调整延时、第二整形电路后加入一个开关器件反压限...
周伟松赵前哲
变速变桨距风电机组半实物仿真平台的研发被引量:1
2009年
为在实验室条件下对风力发电的相关技术进行研究,设计了一种通用的变速变桨距风力发电机组半实物仿真平台。该平台采用数据库仿真风力-桨距角-风机轴功率特性曲线和风速指令曲线,据此控制异步电动机变频系统模拟风力机发出机械转矩。理论分析及实验结果证明,该平台可以对各种风力机进行精确模拟,还可装配各种发电机和并网逆变器作为发电装置,据此可研究不同类型风电系统的能量优化技术以及并网控制问题。
李燕超周伟松杨耕杨仲庆
关键词:半实物仿真变频变桨距
短期蓄能的光伏——燃料电池混合系统的最优化及预见性能量管理
2007年
本文讨论了光伏-燃料电池混合发电系统的特征,以及超级电容的短期能量存储效应;指出了燃料电池-超级电容混合单元的优点,也即其对提高能量效率和延长燃料电池寿命的促进作用;提出了一个1.2KW的试验性系统,用于对新型最优化、预见性能量管理算法进行测试;此外,本文还简要讨论了一种新型的、用于对波动光电和负载时间序列进行预测的分类算法模型。
T. BocklischW. Hofmann李燕超周伟松
关键词:燃料电池能量管理光伏蓄能混合发电系统
功率金属氧化物半导体场效应晶体管
本发明提供了功率金属氧化物半导体场效应晶体管,该功率MOSFET包括:衬底、外延区、阱区、源区、沟道区、栅介质、栅、隔离介质及源极金属,其中,沟道区的掺杂量不低于2e18/cm<Sup>3</Sup>。该功率MOSFET...
万欣周伟松刘道广许军薄涵亮梁仁荣王敬
文献传递
150A/150V低导通电阻VDMOS器件的研究
本文详细介绍了150A/150V低导通电阻大功率VDMOS 器件的设计、工艺制造及封装的关键技术。通过对研制样品进行全参数的测试,获得导通电阻小于 13 毫欧,VDS大于150V,ID大于150A的好结果。
刘道广王均平黄新陈思敏周伟松张斌王培清
关键词:导通电阻电力电子器件绝缘栅双极晶体管VDMOS器件
文献传递
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