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崔素贤

作品数:8 被引量:21H指数:2
供职机构:中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:理学更多>>

文献类型

  • 4篇专利
  • 3篇期刊文章
  • 1篇科技成果

领域

  • 4篇理学

主题

  • 8篇晶体
  • 5篇光学
  • 4篇热控
  • 4篇坩埚
  • 4篇晶体生长
  • 4篇光学均匀性
  • 2篇熔料
  • 2篇近化学计量比
  • 2篇补给
  • 2篇称量系统
  • 1篇氧化钛
  • 1篇液晶
  • 1篇溶液晶体生长
  • 1篇闪烁晶体
  • 1篇水热
  • 1篇水热合成
  • 1篇提拉法
  • 1篇热合成
  • 1篇铌酸锂
  • 1篇铌酸锂晶体

机构

  • 8篇中国科学院

作者

  • 8篇郑燕青
  • 8篇崔素贤
  • 8篇施尔畏
  • 5篇王绍华
  • 4篇陆治平
  • 3篇路治平
  • 2篇仲维卓
  • 2篇陈辉
  • 1篇孔令忠
  • 1篇李贇
  • 1篇吴南春
  • 1篇陈之战
  • 1篇李汶军
  • 1篇胡行方
  • 1篇王绍华

传媒

  • 3篇人工晶体学报

年份

  • 1篇2007
  • 1篇2006
  • 3篇2005
  • 1篇2004
  • 1篇2002
  • 1篇2000
8 条 记 录,以下是 1-8
排序方式:
近化学计量比铌酸锂晶体(S-LN)生长技术攻关
王绍华郑燕青施尔畏路治平崔素贤陈辉李贇孔令忠
该项目自主设计并采用双坩埚排液技术,成功生长出了高质量的2英寸S-LN晶体,取得了技术上的突破。对原料合成和预处理的科学和工艺技术进行了研究,同时对生长工艺参数的优化进行了研究。研究了S-LN晶体的生长习性和生长缺陷,并...
关键词:
关键词:近化学计量比
坩埚升降法补充熔料生长晶体的装置和方法
本发明涉及一种坩埚升降法补充熔料生长晶体的装置和方法,属于晶体生长领域。本发明生长装置中,生长坩埚10与原料补给坩埚8相连通,补给坩埚可套在生长坩埚的外部。生长坩埚的顶部或补给坩埚的底部连接坩埚升降机构3。提拉旋转系统包...
郑燕青陆治平施尔畏王绍华崔素贤
文献传递
一种熔料补充生长晶体的装置和方法
本发明涉及一种熔料补充生长晶体的装置和方法,属于晶体生长领域。本发明生长装置,包括提拉旋转系统(2、11)、加热控温系统(4、7)和称重系统(1),排液系统(3、12、9)和多坩埚系统(10、8);其中排液系统与称量系统...
郑燕青陆治平施尔畏王绍华崔素贤
文献传递
一种熔料补充生长晶体的装置和方法
本发明涉及一种熔料补充生长晶体的装置和方法,属于晶体生长领域。本发明生长装置,包括提拉旋转系统(2、11)、加热控温系统(4、7)和称重系统(1),排液系统(3、12、9)和多坩埚系统(10、8);其中排液系统与称量系统...
郑燕青陆治平施尔畏王绍华崔素贤
文献传递
高温闪烁晶体Ce∶LSO的生长研究被引量:9
2002年
Ce∶LSO晶体具有优良的闪烁性能 ,其主要特点是光产额大、发光衰减时间快、密度大、有效原子序数大、辐射长度短、发射峰与光电倍增管的接收范围相匹配 ,在γ射线探测方面有着广泛的应用。我们用提拉法生长了不同掺杂浓度的Ce∶LSO晶体 ,成功地解决了在生长过程中出现的晶体开裂及籽晶熔断问题 ,并对晶体生长过程中的表面重熔、晶体着色及Ce的偏析等现象作了讨论。荧光光谱分析表明晶体最大激发波长为 35 3nm ,发射峰由 391nm和 42 5nm处两个峰组成 ,吸收谱则显示晶体在 2 0 9~ 370nm之间具有多个吸收峰。
崔素贤郑燕青施尔畏路治平仲维卓
关键词:晶体生长提拉法高温闪烁晶体
阴离子对二氧化钛水热合成中晶相形成的影响被引量:10
2000年
二氧化钛是一种具有很大应用前景的纳米粉体材料。本文以 1mol/L四氧化钛水溶液为前驱物 ,进行了不同阴离子种类加入的二氧化钛水热合成实验。通过XRD和TEM等分析手段分别对产物的晶相和晶粒形貌进行表征 ,探索了反应介质中硫酸根、硝酸根、氯离子、氟离子、硼酸根和磷酸根离子不同加入量对二氧化钛微晶粉体的结晶晶型及形貌和晶粒度的影响。实验结果表明 :四氯化钛溶液水热合成二氧化钛对硫酸根离子、磷酸根离子和氟离子极其敏感 ,不添加时结晶相全部为金红石 ,当溶液中对应酸浓度达到约 0 .0 0 7mol/L时 ,开始出现部分锐钛矿相 ,当添加量达到 0 .0 2mol/L时 ,结晶相即全部变为锐钛矿相。氯离子、硼酸根离子和硝酸根离子不影响结晶晶型 ,仅稍稍影响结晶形貌。根据这一结果 ,通过一系列实验研究 ,可以任意控制水热产物中金红石相和锐钛矿相比例。最后 ,从晶体生长过程及生长机理的角度初步讨论了氧化钛同质变体的形成机理及阴离子影响晶型形成的机制。
郑燕青施尔畏陈之战吴南春崔素贤李汶军仲维卓胡行方
关键词:纳米晶溶液晶体生长
坩埚升降法补充熔料生长晶体的装置和方法
本发明涉及一种坩埚升降法补充熔料生长晶体的装置和方法,属于晶体生长领域。本发明生长装置中,生长坩埚10与原料补给坩埚8相连通,补给坩埚可套在生长坩埚的外部。生长坩埚的顶部或补给坩埚的底部连接坩埚升降机构3。提拉旋转系统包...
郑燕青陆治平施尔畏王绍华崔素贤
文献传递
近化学计量比LiNbO3晶体各向畴形态的研究被引量:2
2005年
本文对采用双坩埚提拉法生长的近化学计量比LiNbO3 晶体沿其各向切块腐蚀后通过直接观察和在金相显微镜下观察,对其各个面的畴结构进行了分析。我们发现晶体a面上由于镜相对称不反映畴结构,b面和c面上的腐蚀形貌则完全显露而且按一定的方向整齐地排列,证明我们生长的SLN晶体是完全单畴结构的晶体。
陈辉郑燕青路治平崔素贤王绍华施尔畏
关键词:近化学计量比LINBO3晶体光学特性
共1页<1>
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