康朝阳
- 作品数：27 被引量：56H指数：5
- 供职机构：河南理工大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金安徽省自然科学基金安徽省高校省级自然科学研究项目更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术文化科学更多>>
- Ag(核)@Au(壳)纳米颗粒的制备及高温原位XAFS研究被引量：1
- 2012年
- 用化学液相还原法制备Ag核Au壳的核壳结构Ag@Au纳米颗粒。用UV-vis、透射电子显微镜(TEM)、差示扫描量热仪(DSC)和X射线吸收精细结构谱(XAFS)进行表征。结果表明成功制备出均一稳定单分散的Ag@Au纳米颗粒,Ag核颗粒平均粒径约8 nm,Au外壳的厚度约3.5 nm。DSC谱显示核壳颗粒在合金化过程中300°C附近时,扩散最剧烈,500°C时已完全形成合金。从高温原位XAFS的径向结构函数(RSF)可清晰看到Au原子周围的局域结构在合金化过程中发生明显变化。用替代位法进行拟合,发现Au-Au键长由2.86增加到2.89,配位数由原来的8.0减为6.1,同时出现了2.1个Au-Ag配位键,而无序度在不断增大,且整个合金化过程主要是以代位扩散为主。
- 王海洋姚涛柳守杰陈香存康朝阳孙治湖韦世强潘国强
- 4H-SiC衬底表面SiC薄膜的同质外延生长被引量：5
- 2012年
- 以4H-SiC为衬底,在不同衬底温度下进行SiC薄膜的同质外延生长。利用反射式高能电子衍射(RHEED)、扫描电子显微镜(SEM)、拉曼(Raman)等测试手段,对生长样品的结构和结晶质量进行了表征。根据测试结果发现,在衬底温度为1200℃时能够得到质量较高的薄膜,在另外两个温度(1100℃和1300℃)条件下得到的薄膜质量是较差的。
- 刘忠良康朝阳唐军徐彭寿
- 关键词：碳化硅薄膜碳化硅衬底
- 衬底温度对Al2O3(0001)表面外延6H-SiC薄膜的影响被引量：3
- 2011年
- 采用固源分子束外延技术,以α-Al2O3(0001)为衬底,在不同衬底温度下制备了6H-SiC薄膜。利用反射式高能电子衍射、原子力显微镜、X射线衍射对生长样品的结构和结晶质量进行了表征。结果表明:在衬底温度为1 100℃时生长的薄膜质量较好,在较低温度(1 000℃)和较高温度(1 200℃)条件下生长的薄膜质量较差。同时发现,衬底温度为1 000℃时生长的薄膜面内存在拉应变,随着衬底温度的升高,应变转变为压应变。在衬底温度为1 100℃生长的薄膜受到的应变较小。这可能是薄膜与衬底的晶格失配和热膨胀系数差异共同作用的结果。
- 刘忠良康朝阳唐军徐彭寿
- 关键词：碳化硅薄膜蓝宝石衬底
- Si(111)衬底上多层石墨烯薄膜的外延生长被引量：5
- 2011年
- 利用固源分子束外延(SSMBE)技术,在Si(111)衬底上沉积碳原子外延生长石墨烯薄膜,通过反射式高能电子衍射(RHEED)、红外吸收谱(FTIR)、拉曼光谱(RAMAN)和X射线吸收精细结构谱(NEXAFS)等手段对不同衬底温度(400、600、700、800℃)生长的薄膜进行结构表征.RAMAN和NEXAFS结果表明:在800℃下制备的薄膜具有石墨烯的特征,而400、600和700℃生长的样品为非晶或多晶碳薄膜.RHEED和FTIR结果表明,沉积温度在600℃以下时C原子和衬底Si原子没有成键,而衬底温度提升到700℃以上,沉积的C原子会先和衬底Si原子反应形成SiC缓冲层,且在800℃沉积时缓冲层质量较好.因此在Si衬底上制备石墨烯薄膜需要较高的衬底温度和高质量的SiC缓冲层.
- 李利民唐军康朝阳潘国强闫文盛韦世强徐彭寿
- 关键词：SI(111)衬底
- 氧气气氛下退火处理对ITO薄膜性能的影响被引量：1
- 2014年
- 采用AFM,XPS,Hall等手段分析了氧气气氛下退火处理对ITO薄膜性质的影响,并用处理的ITO制作了有机电致发光器件.结果表明,退火处理后ITO薄膜的表面粗糙度增加,光学透过率降低.ITO薄膜经0.5 h退火后电阻率增大了近2倍,对有机半导体材料的空穴注入能力显著提高,相应的有机发光器件性能得到明显改善.ITO薄膜光电性能的变化归因于ITO表面化学组分的改变.
- 曹国华蔡红新张宝庆李明康朝阳
- 关键词：ITO退火处理
- SiC缓冲层对Si表面生长的ZnO薄膜结构和光电性能的改善被引量：3
- 2009年
- 用脉冲激光沉积(PLD)技术制备了ZnO/SiC/Si和ZnO/Si薄膜并制成了紫外探测器。利用X射线衍射(XRD),光致发光(PL)谱,I-V曲线和光电响应谱对薄膜的结构和光电性能进行了研究。实验结果表明:SiC缓冲层改善了ZnO薄膜的结晶质量和光电性能,其原因可能是SiC作为柔性衬底能够减少ZnO与Si之间大的晶格失配和热失配导致的界面缺陷和界面态。
- 康朝阳赵朝阳刘峥嵘孙柏唐军徐彭寿谢家纯
- 关键词：ZNO薄膜SI(111)衬底光电性能
- 以ZrTi基合金为缓冲层的透明导电复合薄膜及其制备方法和应用
- 本发明具体涉及一种以ZrTi基非晶合金为缓冲层的透明导电复合薄膜及其制备方法和应用，属于导电薄膜技术领域。本发明所述透明导电复合薄膜包括非晶态合金薄膜插入层和透明薄膜层，其中，所述非晶态合金薄膜插入层通过沉积形成于玻璃衬...
- 宗海涛康朝阳李明曹国华汪舰贾二广聂燚
- 文献传递
- SiC/Al_2O_3界面结构的同步辐射X射线掠入射衍射研究
- 2012年
- 采用固源分子束外延技术,以Al2O3为衬底,在1100℃下制备SiC薄膜。利用同步辐射X射线掠入射(GID)实验技术对生长的样品的界面结构进行了研究。结果表明,薄膜面内存在压应变,同时发现薄膜晶体质量在远离薄膜和衬底界面区会逐渐变好。GID和X射线衍射的摇摆曲线结果表明薄膜中镶嵌块的扭转大于倾斜,说明SiC薄膜在垂直方向的晶格排列要比面内更加有序。
- 刘忠良康朝阳唐军陈香存徐彭寿潘国强
- 关键词：碳化硅薄膜蓝宝石衬底
- 具有SiC缓冲层的Si衬底上直接沉积碳原子生长石墨烯被引量：3
- 2011年
- 石墨烯是近年发现的一种新型多功能材料. 在合适的衬底上制备石墨烯成为目前材料制备的一大挑战. 本文利用分子束外延(MBE)设备, 在Si衬底上生长高质量的SiC缓冲层, 然后利用直接沉积C原子的方法生长石墨烯, 并通过反射式高能电子衍射(RHEED)、拉曼(Raman)光谱和近边 X 射线吸收精细结构谱(NEXAFS)等实验技术对不同衬底温度(800、900、1000、1100 °C)生长的薄膜进行结构表征. 实验结果表明, 在以上衬底温度下都能生长出具有乱层堆垛结构的石墨烯薄膜. 当衬底温度升高时, 碳原子的活性增强, 其成键的能力也增大, 从而使形成的石墨烯结晶质量提高. 衬底温度为1000 °C时结晶质量最好. 其原因可能是当衬底温度较低时, 碳原子活性太低不足以形成有序的六方C-sp2环. 但过高的衬底温度会使SiC缓冲层的孔洞缺陷增加, 衬底的Si原子有可能获得足够的能量穿过SiC薄膜的孔洞扩散到衬底表面, 与沉积的碳原子反应生成无序的SiC, 这一方面会减弱石墨烯的生长, 另一方面也会使石墨烯的结晶质量变差.
- 唐军康朝阳李利民徐彭寿
- 关键词：石墨烯分子束外延SI衬底碳化硅
- SiO_2/Si衬底上石墨烯的制备与结构表征被引量：8
- 2012年
- 在分子束外延设备中,利用直接沉积C原子的方法在覆盖有SiO_2的Si衬底(SiO_2/Si)上生长石墨烯,并通过Raman光谱和近边X射线吸收精细结构谱等实验技术对不同衬底温度(500℃,600℃,700℃,900℃,1100℃,1200℃)生长的薄膜进行结构表征.实验结果表明,在衬底温度较低时生长的薄膜是无定形碳,在衬底温度高于700℃时薄膜具有石墨烯的特征,而且石墨烯的结晶质量随着衬底温度的升高而改善,但过高的衬底温度会使石墨烯质量降低.衬底温度为1100℃时结晶质量最好.衬底温度较低时C原子活性较低,难以形成有序的C-sp^2六方环.而衬底温度过高时(1200℃),衬底表面部分SiO_2分解,C原子与表面的Si原子或者O原子结合而阻止石墨烯的形成,并产生表面缺陷导致石墨烯结晶变差.
- 康朝阳唐军李利民闫文盛徐彭寿韦世强
- 关键词：分子束外延SIO2/SI
