张立锋
- 作品数：9 被引量：34H指数：4
- 供职机构：复旦大学微电子研究院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金上海-AM基金更多>>
- 相关领域：电子电信化学工程文化科学电气工程更多>>
- 基于高K复合介质的高密度MIM电容研究
- 随着集成电路的飞速发展,传统的多晶硅-绝缘体-多晶硅(PIP)或金属-氧化物-硅衬底(MOS)结构电容由于存在寄生电容、电压线性度差等问题已经无法满足下一代射频和模拟/混合信号集成电路的要求。因此,新型的金属-绝缘体-金...
- 张立锋
- 关键词：氧化铪氧化硅
- 文献传递
- 有机添加剂对铜互连线脉冲电镀的影响被引量：5
- 2007年
- 针对集成电路电镀铜技术,研究了三种有机添加剂(加速剂、抑制剂和平整剂)对铜互连线脉冲电镀的影响及其机制。采用电化学方法LCV(线性循环伏安法)和CP(计时电势法),分析了不同添加剂浓度下电镀过程的极化情况;用SEM表征了三种添加剂对脉冲电镀铜的镀层结构形貌的影响。研究发现,适当浓度的添加剂组成能显著改善镀层的覆盖度、紧致均匀性和平整性。
- 陈敏娜曾磊汪礼康张卫徐赛生张立锋
- 关键词：铜互连脉冲电镀粗糙度极化
- 中国企业危机管理研究初探
- 张立锋
- 关键词：危机管理信用危机忧患意识企业文化
- 基于高Κ复合介质的高密度MIM电容研究
- 随着集成电路的飞速发展，传统的多晶硅-绝缘体-多晶硅(PIP)或金属-氧化物-硅衬底(MOS)结构电容由于存在寄生电容、电压线性度差等问题已经无法满足下一代射频和模拟/混合信号集成电路的要求。因此，新型的金属-绝缘体-金...
- 张立锋
- 关键词：电容器介电常数电压系数
- 文献传递
- 直流和脉冲电镀Cu互连线的性能比较被引量：4
- 2008年
- 针对先进纳米Cu互连技术的要求,比较了直流和脉冲两种电镀条件下Cu互连线的性能以及电阻率、织构系数、晶粒大小和表面粗糙度的变化。实验结果表明,在相同电流密度条件下,脉冲电镀所得Cu镀层电阻率较低,表面粗糙度较小,表面晶粒尺寸和晶粒密度较大,而直流电镀所得镀层(111)晶面的择优程度优于脉冲。在超大规模集成电路Cu互连技术中,脉冲电镀将有良好的研究应用前景。
- 徐赛生曾磊张立锋张卫汪礼康
- 关键词：CU互连脉冲电镀直流电镀
- 脉冲时间参数对电沉积铜薄膜性能的影响被引量：7
- 2007年
- 针对先进纳米铜互连技术的要求,研究了脉冲时间和关断时间对铜互连薄膜电阻率、晶粒尺寸和表面粗糙度等性能的影响。实验结果表明,占空比较小时,镀层电阻率较大,晶粒直径较小。脉冲时间选择在毫秒数量级,占空比选择在40%～60%之间容易获得较小电阻率和较大晶粒尺寸的铜薄膜。
- 徐赛生曾磊张立锋张炜张卫汪礼康
- 关键词：铜互连脉冲电镀电阻率晶粒尺寸表面粗糙度
- 高端集成电路工艺实验室管理探究被引量：2
- 2020年
- 随着集成电路产业的发展,国内集成电路人才缺口很大。各高校也都加快了建设集成电路实验室的步伐。以复旦大学微电子学院的集成电路工艺实验室为样本,从团队分工,实验室安全管理制度,工艺标准化开发以及实验室的共享和开放四个方面来研究高端集成电路工艺实验室的管理问题。为国内兄弟院校在管理集成电路实验室方面提供参考。
- 张立锋徐赛生王凡丁士进张卫
- 关键词：集成电路
- 集成电路铜互连线脉冲电镀研究被引量：10
- 2006年
- 针对先进纳米铜互连技术的要求,研究了脉冲电流密度对铜互连线电阻率、晶粒尺寸和表面粗糙度等性能的影响。实验结果表明,2～4A/dm2电流密度下的铜镀层拥有较小电阻率、较小的表面粗糙度和较大的晶粒尺寸。
- 曾磊徐赛生张立锋张玮张卫汪礼康
- 关键词：铜互连脉冲电镀电阻率X射线衍射
- 集成电路Cu互连线的XRD研究被引量：7
- 2008年
- 对硫酸盐体系中电镀得到的Cu镀层,使用XRD研究不同电沉积条件、不同衬底和不同厚度镀层的织构情况和择优取向。对比了直流电镀和脉冲电镀在有添加剂和无添加剂条件下的织构情况。实验结果表明,对于在各种条件下获得的1μm Cu镀层,均呈现(111)晶面择优,这样的镀层在集成电路Cu互连线中有较好的抗电迁移性能。
- 徐赛生曾磊张立锋顾晓清张卫汪礼康
- 关键词：铜互连X射线衍射添加剂
