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彭海涛

作品数：20 被引量：31H指数：4
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
发文基金：咸阳师范学院科研基金国家部委资助项目河北省自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 13篇期刊文章
  • 6篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 14篇电子电信

主题

  • 15篇激光
  • 14篇激光器
  • 11篇半导体
  • 11篇半导体激光
  • 11篇半导体激光器
  • 6篇腔面
  • 6篇功率半导体
  • 6篇大功率半导体
  • 6篇大功率半导体...
  • 4篇热沉
  • 4篇芯片
  • 3篇灾变
  • 3篇微通道
  • 3篇微通道热沉
  • 3篇可靠性
  • 3篇夹具
  • 3篇功率
  • 2篇电光
  • 2篇电光转换
  • 2篇电光转换效率

机构

  • 19篇中国电子科技...
  • 3篇河北工业大学
  • 3篇咸阳师范学院
  • 1篇西安电子科技...

作者

  • 20篇彭海涛
  • 8篇杨红伟
  • 7篇陈宏泰
  • 4篇李雅静
  • 4篇张世祖
  • 3篇王媛媛
  • 3篇张岩
  • 2篇家秀云
  • 2篇徐会武
  • 2篇李亮
  • 2篇陈国鹰
  • 2篇王彦照
  • 2篇蒋红旺
  • 2篇黄科
  • 1篇张力江
  • 1篇商庆杰
  • 1篇王英顺
  • 1篇花吉珍
  • 1篇杨志
  • 1篇赵懿昊

传媒

  • 4篇半导体技术
  • 4篇微纳电子技术
  • 2篇光电技术应用
  • 1篇电子科技
  • 1篇电子制作
  • 1篇光电工程

年份

  • 1篇2023
  • 1篇2022
  • 3篇2021
  • 1篇2020
  • 1篇2019
  • 6篇2015
  • 2篇2010
  • 2篇2009
  • 2篇2008
  • 1篇2007
共 20 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
大功率半导体激光器腔面抗烧毁技术被引量：4
2010年
首先介绍了连续激光器单管老化试验,试验通过测试不同老化时间激光器腔面的烧毁功率,对腔面烧毁发生的过程进行了分析。分析认为,大功率半导体激光器腔面烧毁失效的根本原因是腔面烧毁功率在老化过程中持续减小,最终低于激光器输出功率,造成激光器灾变性光学镜面破坏(COMD)。随后对腔面烧毁的微观物理机理进行了介绍,重点讨论了腔面缺陷相关的非辐射复合、量子阱带边吸收、自由载流子吸收造成的腔面温度升高以及腔面高温导致腔面缺陷密度增加并且向腔内攀移的微观过程。最后,介绍了电流非注入腔面、大光腔材料、长腔长设计、腔面离子铣钝化工艺等腔面抗烧毁技术研究情况,并对这些技术提高腔面抗烧毁功率以及改善腔面长期稳定性的效果进行了讨论。
李永杨红伟陈宏泰张世祖彭海涛
关键词：大功率半导体激光器
有铝激光器和无铝激光器特征温度对比研究被引量：1
2015年
为了测量两种有源区材料半导体激光器的温度灵敏度,文中对In Ga As P/Ga As无铝和Al Ga In As/Al Ga As/Ga As有铝的808 nm大功率半导体激光器,采用阈值电流法衡量两种有源区材料激光器的特征温度。在各种温度下实验性地测量激光器的P-I曲线,并采用线性拟合法得到阈值温度线性关系,实验结果表明有铝激光器温度性能明显优于无铝激光器。
李雅静彭海涛
高可靠性大功率808nm半导体激光器被引量：3
2021年
研制了一款基于AlGaInAs/AlGaAs应变补偿量子阱大光腔结构的808 nm半导体激光器。采用金属有机物化学气相沉积方法外延生长,在超高真空环境下进行圆片解理,然后原位沉积钝化膜,最后在镀膜机内沉积增透膜和高反膜,避免了激光器腔面在空气中解理容易使其被空气中的氧和碳等杂质污染。对封装好的半导体激光器进行了电光特性测试。测试结果表明,器件的波导宽190μm、腔长4 mm,25℃时的阈值电流为1.5 A,12 A直流驱动下的输出功率达到12.47 W,最高电光转换效率为61.3%,腔面没有出现灾变性光学烧毁。器件的快轴发散角为28°,慢轴发散角为8°。器件在45℃、14 A的驱动电流下工作8000 h没有失效,并由此推算器件在25℃、12 A的恒流驱动下,寿命大于100000 h。
张发智张岩彭海涛宁吉丰王彦照王英顺陈宏泰
关键词：半导体激光器可靠性高功率
808nm半导体激光器的腔面反射率设计被引量：6
2008年
通过对不同腔长的808nm半导体激光器单管进行P-I测试,提取出了材料内部参数,如内量子效率、内损耗、透明电流密度、模式增益等。根据得出的内部参数进行了腔面反射率设计,分析腔面反射率与功率转换效率的关系,得出了关系曲线。进行腔面镀膜实验,把实验值与计算值相比较,二者相吻合。通过这种腔面反射率设计方法,可以得到半导体激光器的最大功率转换效率,从而使其工作于优化状态下。
杜伟华杨红伟陈国鹰陈宏泰李雅静彭海涛
关键词：反射率镀膜功率转换效率腔面
芯片条显微镜检验夹具
本发明提供了一种芯片条显微镜检验夹具，芯片检验技术领域，包括夹具体和夹紧体，夹具体用于使夹持的芯片条与显微镜的检验台保持一定的距离，夹具体具有用于与所述显微镜的检验台接触的支撑平面；夹紧体设置于夹具体上，用于固定待检测的...
彭海涛
文献传递
大功率半导体激光器载体设计被引量：1
2015年
激光器工作时由于存在各种非辐射复合损耗和自由载流子吸收等损耗机制,使注入到器件中的部分电功率转换成热耗散在激光器内,直接影响激光器的效率和寿命,因此散热处理一直是一个引人注意的焦点。采用微通道载体解决大功率半导体激光器阵列连续工作时散热问题,通过ANSYS软件模拟优化结构参数,实验测得了大功率半导体激光器阵列热阻。
李雅静彭海涛
关键词：大功率半导体激光器微通道热沉散热技术
大功率半导体激光器的腔面钝化被引量：4
2009年
大功率半导体激光器的腔面退化是影响其寿命和可靠性的重要因素,长期以来一直是人们关注和研究的重点。本文利用离子铣结合腔面钝化还原层的方法对大功率半导体激光器的腔面进行处理。结果显示,离子铣腔面钝化能够在一定程度上减少半导体激光器的功率退化,168h加速老化后退化幅度降低4.5%;同时该技术对老化过程中COD阈值降低有明显的抑制作用,可有效减少使用中的突然失效。结果表明,该技术能够改善半导体激光器的腔面特性,器件的可靠性和使用寿命可望得到提高。
彭海涛家秀云张世祖花吉珍杨红伟陈宏泰安振峰
关键词：半导体激光器可靠性
一种半导体激光器芯片腔面镀膜夹具
本实用新型属于半导体激光器镀膜工艺技术领域，具体公开了一种半导体激光器芯片腔面镀膜夹具，包括基体、滑块、夹持机构和底座，基体中部设有贯穿的通孔，通孔的中部设有垂直的一对平行滑轨，内置第一滑块和第二滑块，紧贴第一滑块设置有...
彭海涛蒋红旺张发智张世祖家秀云
文献传递
微通道散热大功率半导体激光器研究被引量：1
2009年
基于GaInAs/AlGaAs应变量子阱大光腔结构激光器芯片和无氧铜微通道热沉,采用In焊料烧结工艺,制作了976nm大功率连续激光器单条。在20℃热沉冷却条件下,输入电流110A时,输出功率104.9W,电光转换效率达到最大值64%。输入电流300A时,输出功率276.6W,电光转换效率达到54.2%。对激光器单条的热阻以及特征温度进行了测试分析,根据分析结果模拟了激光器单条在大电流下的输出特性,模拟结果显示热饱和是限制激光器最大输出功率的原因。因此,为了提高大功率激光器的输出功率,需要进一步提高激光器的特征温度,并降低热阻以改善散热情况。
黄科杨红伟车相辉彭海涛王媛媛徐会武
关键词：大功率半导体激光器微通道热沉电光转换效率热阻
芯片条显微镜检验夹具
本发明提供了一种芯片条显微镜检验夹具，芯片检验技术领域，包括夹具体和夹紧体，夹具体用于使夹持的芯片条与显微镜的检验台保持一定的距离，夹具体具有用于与所述显微镜的检验台接触的支撑平面；夹紧体设置于夹具体上，用于固定待检测的...
彭海涛
文献传递
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