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李建平

作品数：19 被引量：41H指数：5
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 17篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 19篇电子电信

主题

  • 12篇低噪
  • 12篇低噪声
  • 10篇低噪声放大器
  • 10篇放大器
  • 8篇单片
  • 8篇单片集成
  • 8篇单片集成电路
  • 8篇电路
  • 8篇集成电路
  • 6篇GAN
  • 5篇微波单片
  • 5篇微波单片集成
  • 5篇微波单片集成...
  • 4篇单片低噪声放...
  • 4篇电子迁移率
  • 4篇迁移率
  • 4篇晶体管
  • 4篇高电子迁移率
  • 4篇高电子迁移率...
  • 4篇GAAS

机构

  • 19篇南京电子器件...
  • 3篇东南大学
  • 1篇微波毫米波单...

作者

  • 19篇李建平
  • 12篇彭龙新
  • 3篇李忠辉
  • 3篇陈堂胜
  • 3篇吴少兵
  • 2篇杨乃彬
  • 2篇蒋幼泉
  • 2篇潘晓枫
  • 2篇黄念宁
  • 2篇任春江
  • 2篇沈宏昌
  • 2篇高建峰
  • 2篇魏同立
  • 2篇彭建业
  • 1篇林金庭
  • 1篇杨立杰
  • 1篇李拂晓
  • 1篇焦刚
  • 1篇吴礼群
  • 1篇朱赤

传媒

  • 12篇固体电子学研...
  • 2篇电子与封装
  • 1篇东南大学学报...
  • 1篇稀有金属
  • 1篇微波学报
  • 1篇第六届全国毫...
  • 1篇中国电子学会...

年份

  • 1篇2024
  • 1篇2021
  • 2篇2019
  • 2篇2018
  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 1篇2011
  • 2篇2010
  • 1篇2009
  • 1篇2008
  • 2篇2006
  • 3篇2004
共 19 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
S波段单片低噪声放大器被引量：5
2004年
S波段单片低噪声放大器采用了 0 5 μm3英寸 ( 76.2mm)砷化镓赝配高电子迁移率晶体管工艺 ,由三级自偏电路构成 ,单电源 ( + 5V)供电 .对 3英寸圆片上的放大器芯片进行直流测试后 ,随机抽取一定数量的样品装架测量 ,并对放大器进行了增益和相位的统计 .统计表明 :在S波段带宽 30 0MHz范围内 ,增益在 2 4 5～ 2 6dB范围内 ,相位线性度小于 1°,相位偏差± 7°,噪声系数最大 1 4dB ,输入输出驻波最大 1 4,1dB压缩输出功率大于 1 0 5dBm .另外 ,还对放大器进行了高温。
彭龙新李建平蒋幼泉魏同立
关键词：赝配高电子迁移率晶体管微波单片集成电路单片低噪声放大器静电
GaAs单片二极管双平衡混频器被引量：6
2010年
采用0.25μm的GaAs工艺制作了一款单片二极管双平衡混频器。基于环形二极管双平衡混频器的基本工作原理,提出了LO巴伦与RF巴伦的区别所在,并以Marchand巴伦为LO巴伦,以triformer巴伦作为RF巴伦。在优化了局部电路后,再与环形二极管组成整体电路,并对整体电路进行了优化。最后对版图进行EM仿真,并稍作调整以改善EM仿真结果。当本振功率在13dBm时,实测得转换损耗在低本振和高本振下约为11.5dB和10.5dB,LO端口到IF端口和RF端口隔离度分别为30dB和35dB,LO端口和RF端口驻波分别小于2和3.5,实测结果与仿真结果基本一致。
陈坤彭龙新李建平
关键词：双平衡混频器微波单片集成电路
一种PHEMT噪声参量提取新方法的原理修正与完善
修正了Jianjun Gao等人提出的PHEMT噪声参量提取原理[1]的部分内容,用链式噪声相关矩阵分析了源漏寄生电容C<,ds>对本征场效应管的四个噪声参数的影响,完整地给出了包含L<,s>、L<,g>、R<,d>、L...
周正林王家波李建平许晓丽
关键词：噪声参数噪声模型场效应管
文献传递
Ku波段GaN一片式收发组件芯片被引量：2
2017年
报道了一款应用于Ku波段的GaN T/R MMIC。该芯片采用0.15μm GaN HEMT器件工艺制造,集成了T/R组件的接收通道和发射通道,芯片面积7.00mm×3.32mm。研制的MMIC集成了5位数字衰减器、5位数字移相器、前级低噪声放大器、后级低噪声放大器、驱动放大器、功率放大器、公用支路的小信号开关和收发切换的功率开关。在16~17GHz工作频带内测得该芯片接收通道增益大于21dB,噪声系数小于3.5dB;发射通道增益大于20.8dB,饱和功率大于40.8dBm,功率附加效率典型值30%。该芯片上集成的5位数字移相器、5位数字衰减器功能正常,达到设计要求。
任春江彭龙新戈勤沈宏昌潘晓枫李建平李忠辉陈堂胜
关键词：氮化镓KU波段收发
微波毫米波宽带单片低噪声放大器被引量：5
2008年
推导了反馈电路理论,利用0.25μmGaAs PHEMT工艺,研制了两种并联反馈单片低噪声放大器。第一种放大器的工作频带为6～18GHz,测得增益G≥21dB,带内增益波动ΔG≤±1.0dB,噪声系数NF典型值为2.0dB,输入驻波VSWRin≤1.5,输出驻波VSWRout≤2.0,1分贝压缩点输出功率P1dB≥11dBm。第二种放大器的工作频带为26～40GHz,测得增益G≥17dB,噪声系数NF约为2.0dB,输入、输出驻波VSWR≤2.5,1分贝压缩点输出功率P1dB≥10dBm。两种电路的测试结果验证了设计的正确性。
彭龙新李建平
关键词：低噪声单片集成电路
带数字驱动的高集成2～18GHz时延放大多功能MMIC被引量：1
2015年
基于E/D15PHEMT工艺研制了一款2~18GHz用于相控阵雷达的时延放大多功能MMIC芯片。本芯片是一款集成了放大器、单刀双置开关、六位大波长时延器、数字驱动器等功能的多功能芯片,芯片尺寸为5mm×5mm。测试结果表明:发射接收增益皆大于-2dB,P-1在整个频带内达到12dBm。时延最小步进为10ps,最大时延量630ps,时延精度在发射和接收模式下为标称值的±4%,寄生调幅小于2dB。该芯片能够抗基于HBM的250V静电电压。
潘晓枫李建平李小鹏彭建业
关键词：相控阵
毫米波GaAs单片限幅低噪声放大器被引量：5
2019年
设计了一款毫米波GaAs单片限幅低噪声放大器。限幅器采用两级反向并联二极管结构,通过优化限幅器匹配电路,增大了限幅器的耐功率,降低了限幅电路的插损。低噪声放大器为四级级联设计,输入端采用最小噪声匹配,偏置电路增加RC串联谐振电路,减小了噪声,提高了电路稳定性。测试结果表明,该毫米波GaAs单片限幅低噪声放大器在33~37GHz频带内,增益达到22dB,增益平坦为±1dB,输入驻波小于2,输出驻波小于1.5,噪声小于3.0dB,输出1dB增益压缩点(P1dB)大于5dBm,可以承受15W的脉冲输入功率。
贾晨阳彭龙新刘昊刘昊李建平李建平
关键词：毫米波PIN二极管
Ku波段GaN T/R一体多功能MMIC的研制被引量：4
2016年
<正>首次研制了国内第一块Ku波段GaN T/R一体多功能全单片芯片,该芯片集成了T/R的接收通道和发射通道。接收通道含功率输出开关、前级低噪声放大器、5位数字衰减器、后级低噪声放大器、小信号开关和5位数字移相器;发射通道含5位数字移相器、小信号开关、驱动放大器、功率放大器和功率开关,如图1所示。在16~17 GHz工作频率内测得接收通道增益≥20±0.5 dB,噪声系数≤3.5 dB;发射通道增益约44 dB,饱和功率41 dBm(脉冲宽度100μs,10%占空比),功率附加效率约30%。
彭龙新彭龙新任春江詹月詹月沈宏昌李建平彭建业
关键词：功率附加效率T/RMMIC噪声系数
基于AlN/GaN异质结的Ka波段GaN低噪声放大器研制
2021年
报道了基于AlN/GaN异质结的Ka波段低噪声放大器的研制结果。在SiC衬底上生长AlN/GaN异质结材料结构,采用电子束直写工艺制备了栅长70 nm的"T"型栅结构。器件最大电流密度为1.50 A/mm,最大跨导为650 mS/mm,通过S参数测试外推特征频率和最大频率分别为105 GHz和235 GHz。基于70 nm工艺制备的自偏压三级低噪声放大器,在33~40 GHz小信号增益大于27 dB,典型噪声系数为1.5 dB。
张亦斌吴少兵李建平李建平李忠辉陈堂胜
关键词：GAN高电子迁移率晶体管KA波段电子束直写低噪声放大器
5～22 GHz平坦高增益单片低噪声放大器被引量：6
2006年
使用0.25μm G aA s PHEM T工艺技术,设计和制造了性能优良的5-22 GH z两级并联反馈单片低噪声放大器。在工作频率5-22 GH z内,测得增益G≥18 dB,带内增益波动ΔG≤±0.35 dB,噪声系数N F≤3.2 dB,输入输出驻波V SW R≤1.7,最小分贝压缩点输出功率P1dB≥10.5 dBm,电流增益效率达2.77 mA/dB。测试结果验证了设计的正确性。
彭龙新李建平李拂晓杨乃彬
关键词：宽带低噪声反馈放大器微波单片集成电路
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