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梅笑冰

作品数:10 被引量:1H指数:1
供职机构:中国科学院物理研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
相关领域:电子电信理学更多>>

文献类型

  • 9篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 5篇电子电信
  • 4篇理学

主题

  • 5篇砷化镓
  • 3篇晶格
  • 3篇半导体
  • 3篇超晶格
  • 3篇GAAS
  • 2篇电场
  • 2篇量子
  • 2篇光致
  • 2篇光致发光
  • 2篇发光
  • 2篇分子束
  • 2篇分子束外延
  • 2篇STARK效...
  • 2篇
  • 2篇GAAS/G...
  • 1篇带隙
  • 1篇应变层
  • 1篇荧光
  • 1篇展宽
  • 1篇瞬态

机构

  • 10篇中国科学院
  • 1篇北京师范大学
  • 1篇中山大学

作者

  • 10篇梅笑冰
  • 6篇周均铭
  • 3篇江德生
  • 3篇张耀辉
  • 3篇程文芹
  • 3篇刘双
  • 2篇黄绮
  • 2篇蔡丽红
  • 2篇刘玉龙
  • 2篇李永康
  • 2篇朱恪
  • 1篇江潮
  • 1篇王太宏
  • 1篇谢小刚
  • 1篇赵铁男
  • 1篇陈弘
  • 1篇余振新
  • 1篇杨国桢
  • 1篇李锋
  • 1篇王若桢

传媒

  • 3篇Journa...
  • 3篇物理学报
  • 1篇半导体情报
  • 1篇科学通报
  • 1篇物理
  • 1篇第六届全国电...

年份

  • 1篇1995
  • 4篇1993
  • 3篇1992
  • 2篇1991
10 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
GaAs/AlGaAs量子线的制备和光致荧光谱
1995年
利用分子束外延材料的化学选择腐蚀和再生长制备出了GaAs/AIGaAs量子线并且测量了77K的光致荧光谱.也得到透射电子显微镜的照片.
程文芹蔡丽红陈弘周均铭谢小刚梅笑冰黄绮赵铁男朱恪
关键词:GAAS/ALGAAS量子线
InGaAs/GaAs应变层短周期超晶格的Wannier-Stark效应
1993年
本文利用光电流谱方法研究了10—300K温度范围内In_(0.2)Ga_(0.8)As/GaAs应变层短周期超晶格的Wannier-Stark效应,在室温及低温下均观察到明显的吸收边场致“蓝移”现象,并对Stark-ladder激子跃迁的能量位置及振子强度随电场的变化给予详细讨论。实验结果表明,利用In_(0.2)Ga_(0.8)As/GaAs应变层超晶格的Wannier-Stark效应可以制作0.98μm波长范围的电光调制器和自电光双稳器件。
刘伟张耀辉江德生王若桢周钧铭梅笑冰
关键词:化合物半导体应变层超晶格
用瞬态光致发光研究非对称双量子阱隧穿过程
1993年
半导体量子阱超晶格结构的载流子除了具有平行于阱层界面的纵向运动(纵向输运)外,还具有垂直于界面方向的横向运动(横向输运)。横向运动需要穿过势垒阻挡层,因此又称为载流子的隧道穿透效应(Tunneling,简称隧穿)。自从1973年Esaki和Tsu等人的开创性工作以来,特别是量子阱超晶格材料的问世,
黄旭光蔡志岗李庆行余振新王太宏梅笑冰杨国桢
关键词:光致发光半导体
GaAs/Ga_(0.7)Al_(0.3)As超晶格中场致激子峰展宽机制的研究
1993年
我们利用光电流谱在10—300K温度范围内研究了GaAs/Ga_(0.7)Al_(0.3)As(35A/35A)短周期超晶格中的Wannier-Stark效应,实验发现0h激子峰随电场的增加而展宽。我们把激子峰的场致展宽归因于:Wannier-Stark局域化使界面的涨落对电子态的散射增加而使激子峰展宽。这种与电场有关的散射机制会使L.Esaki和Tsu所预期的超晶格的负微分电阻效应减小。
张耀辉江德生李锋吴荣汉周均铭梅笑冰
关键词:GAAS/GAALAS超晶格电场
掺杂浓度对p-GaAs的带隙变窄的影响被引量:1
1992年
用光致荧光的方法对分子束外延生长的(110)方向的掺Be的GaAs带隙变窄随掺杂浓度的变化进行研究。结果表明:对于P-GaAs,带隙变窄主要是价带上移造成的,杂质能级(带)相对导带的位置不变。因此,电离能随着掺杂浓度的增加而减小。
程文芹梅笑冰刘双刘玉龙李永康周均铭
关键词:掺杂带隙砷化镓
掺铍GaAs量子阱的光致荧光
1993年
测量了掺铍的,阱宽约为10nm的GaAs量子阱在4.2K的光致荧光。掺杂浓度分别为1×10^(17)和5×10^(18)cm^(-3)。测量结果表明:对于无规掺杂,局域在阱中心的铍的状态密度与导带电子从n=1量子能级到阱中心中性铍的跃迁概率的乘积大于对应于介面铍的乘积。另外,实验结果也表明:当掺杂浓度升高时,由于带隙收缩的影响,阱中心铍的电离能减小。
程文芹梅笑冰周均铭刘玉龙朱恪
关键词:砷化镓光致发光荧光
GaAs/GaAlAs超晶格的Wannier-Stark效应
1992年
我们用光电流谱方法在室温和低温下观察了短周期GaAs(35A)/Ga_(0.7)Al_(0.3)A_3(35A)超晶格的Wannier-Stark效应.在中等电场下,观测到了反映等能量间距的“Stark梯”的谱形.并且发观了激子态由于场致局域化导致的由准三维向准二维转变.我们详细地讨论了跃迁强度随电场的变化,与应用夏建白等提出的计算模型得出的结果十分符合,证明了光电流谱中的结构,即使在较低的 10~4V/cm的电场下是由于 Wannier局域化引起,而不可能是鞍点激子引起的.
张耀辉江德生李锋周均铭梅笑冰
关键词:超晶格电场
硅上砷化镓分子束外延生长
刘双蔡丽红梅笑冰
关键词:砷化镓分子束外延
硅上砷化镓分子束外延工艺及器件应用
1991年
本文介绍了硅上砷化镓异质外延生长工艺及其在器件应用上的结果。由于我们非常重视从三维到二维成核状态转变的初始层的生长,从而明显降低了因砷化镓和硅之间晶格失配和不同热膨胀系数引起的高位错密度,抑制了砷化镓和硅界面处反相畴的出现。我们与清华大学合作实现了砷化镓外延层上的LED与硅衬底上MOSFET的单片光电集成。
刘双梅笑冰蔡丽红黄绮周均铭
关键词:分子束外延砷化镓
与In扩散进GaAs中相关的超导相的发现
1992年
李永康周均铭黄绮江潮梅笑冰范戆
关键词:半导体砷化镓超导相
共1页<1>
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