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樊成才

作品数：2 被引量：1H指数：1
供职机构：北京有色金属研究总院更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇专利

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇抛光
  • 2篇抛光液
  • 1篇单晶
  • 1篇单晶片
  • 1篇锑化镓
  • 1篇抛光工艺
  • 1篇抛光片
  • 1篇磷化镓
  • 1篇晶片

机构

  • 2篇北京有色金属...

作者

  • 2篇樊成才
  • 2篇李忠义
  • 1篇宋文会
  • 1篇郑安生
  • 1篇龙彪
  • 1篇孔峰

传媒

  • 1篇半导体情报

年份

  • 1篇2000
  • 1篇1998
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
非掺锑化镓抛光工艺研究被引量：1
1998年
分析了非掺锑化镓单晶片的化学抛光机制和影响获得表面质量良好的非掺锑化镓单晶片的因素，得到了非掺锑化镓的抛光工艺参数。利用该工艺可以制备表面光洁、平整、无缺陷的非掺锑化镓单晶抛光片。
樊成才李忠义孔峰
关键词：抛光液锑化镓
直径2英寸非掺<111>磷化镓单晶片抛光工艺
本发明涉及半导体单晶片的抛光工艺。本工艺是将直径2英寸非掺<111>磷化镓单晶片浸入化学预处理液中进行化学预处理;再进行镓面的抛光,最后进行磷面的抛光。本工艺解决了在同一抛光液中镓面抛光速度慢,磷面的抛光速度...
樊成才郑安生宋文会李忠义龙彪
文献传递
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