王晓光
- 作品数：8 被引量：9H指数：2
- 供职机构：复旦大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金国防科技技术预先研究基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程理学更多>>
- LNO薄膜电极的制备及其特性研究被引量：6
- 2003年
- 采用水基化学溶液涂布(water basedcoating)的方法,在SiO2/Si上制备出了LaNiO3(LNO)导电金属氧化物薄膜。系统研究了退火温度、退火时间、厚度等工艺条件对LNO薄膜电学特性和结构的影响,并进一步分析了产生这些现象的原因。制备的LNO薄膜电阻率为1.77×10-3Ω·cm,且具有良好的形貌。以LNO为独立下电极,制备出了Au(Cr)/PZT/LNO/SiO2结构的铁电电容,通过其电滞回线和漏电特性的测试,可见制备的LNO薄膜可以很好地满足作为铁电电容电极的需要。
- 康晓旭林殷茵汤庭鳌钟宇黄维宁姜国宝王晓光
- 关键词：铁电体铁电存储器铁电电容
- Bi系层状结构铁电薄膜BLT的制备及性能研究
- 王晓光
- 关键词：铁电材料钛酸铋
- La_(0.5)Sr_(0.5)CoO_3的化学溶液淀积法制备与表征及其应用被引量：1
- 2005年
- 采用化学溶液淀积法制备了具有纯钙钛矿结构和良好导电性能的La_(0.5)Sr_(0.5)CoO_3(LSCO)薄膜。LSCO的电阻率随着退火温度的升高、退火时间的增长和厚度增加而减小。650°C退火可以得到7mΩ·cm的电阻率。分别在LSCO和Pt衬底上制备了Bi_4Ti_3O_(12)(BTO)薄膜,分析结果表明,使用LSCO衬底对BTO的析晶有影响,击穿电压、铁电特性均有较大改善。
- 钟宇王晓光林殷茵黄维宁汤庭鳌
- 关键词：钛酸铋铁电薄膜
- McMullen映射动力系统与具有旋转域的有理映射的Thurston型定理
- 这篇博士论文主要包含两方面： ·McMullen映射动力系统。 在这一部分，我们研究有理映射Julia集的局部连通性.我们利用Yoccoz拼图技术研究了McMullen映射的Julia集的拓扑性质.我们证明了如果Mc...
- 王晓光
- 关键词：JULIA集
- Pb(Zr_(0.6)Ti_(0.4))O_3/LaNiO_3铁电电容的制备及其疲劳特性
- 2003年
- 以 L a Ni O3( L NO)为独立下电极 ,制备出 Au( Cr) / PZT/ L NO/ Si O2 结构的铁电电容 ,与使用 Pt下电极对比 ,其抗疲劳特性得到了极大的改善 .在 1MHz频率 10 V电压下 ,经过 10 1 1 次脉冲反转 ,其 ( P* - P^ )仅下降了 11%左右 ,这主要是由于使用氧化物电极可以极大地降低 PZT与电极界面处的氧空位的形成和积聚 .通过不同频率和相同频率不同脉冲宽度条件下疲劳特性的测试 ,观察到随着测试频率的升高 ,抗疲劳特性也随之提高 ;在相同频率下 ,随着测试脉宽的加大 ,疲劳现象加剧 ;同时 。
- 康晓旭林殷茵汤庭鳌王晓光钟宇黄维宁姜国宝
- 关键词：脉宽
- Bi_(3.25)La_(0.75)Ti_3O_(12)薄膜的化学溶液淀积方法制备及表征
- 2004年
- 采用新颖的化学溶液淀积方法,配制出可长时间稳定的先体溶液,采用红外分析和热分析等手段,对成膜过程中发生的反应变化进行了分析,结果表明采用新的方法可以增加先体的稳定性,并且确定了薄膜的析晶温度。XRD测试表明薄膜在不到500℃即开始析晶,并且析晶情况与Bi含量有关。对薄膜的电学性能研究表明随着Bi含量的增加,薄膜的漏电性能和抗疲劳特性变差,矫顽场变大,而2Pr在Bi过量10%的情况下达到最大31.6μC/cm2。
- 王晓光林殷茵汤庭鳌
- 关键词：BLT铁电薄膜
- 一种新的铁电电容模型及其在1T/1C FeRAM中的应用被引量：2
- 2004年
- 随着集成铁电工艺的迅速发展和铁电电容的广泛应用 ,铁电电容模型的缺乏已成为制约基于铁电电容电路设计和优化的瓶颈。文中提出的非线性双电容铁电电容模型是线性双电容铁电电容模型的改进 ,它不仅与线性双电容模型一样易于用宏模型实现 ,而且比后者具有更高的精度和更简单的控制方式。以 1 T/1 C单元作为基于铁电电容电路设计优化的实例 ,定性分析了位线寄生电容对读出窗口的影响 ,并在 HSPICE中用非线性双电容模型进行了仿真 ,得到位线寄生电容与 1 T/1 C单元铁电电容比例 (CBL/CF E)对读出窗口的最优值 :CBL/CF E=2 .
- 程旭汤庭鳌王晓光钟宇康晓旭
- 关键词：铁电电容宏模型稳态模型FERAM
- 铁电非挥发逻辑的设计和应用
- 2004年
- 根据非挥发逻辑的概念 ,分析了非挥发逻辑必须满足的条件。根据逻辑状态在电路中存在的形式与2T/ 2CFeRAM单元结构的相似性 ,得出了基于铁电电容的铁电非挥发逻辑的基本原理。以非挥发CMOSD触发器为例 ,对非挥发D触发器单元及其外围电路进行了设计和仿真 ,给出了基于铁电电容的非挥发逻辑实现的方法。最后 ,提出了非挥发FPGA的概念 ,为非挥发逻辑在数字系统中的应用提供了原型。
- 程旭汤庭鳌钟宇王晓光康晓旭
