您的位置： 专家智库 > >

程顺昌

作品数：2 被引量：4H指数：1
供职机构：四川大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇光谱
  • 2篇红外
  • 2篇红外光
  • 2篇红外光谱
  • 1篇散射
  • 1篇散射光
  • 1篇散射光谱
  • 1篇射线
  • 1篇拉曼
  • 1篇拉曼散射
  • 1篇拉曼散射光谱
  • 1篇光学
  • 1篇光学特性
  • 1篇硅基
  • 1篇傅里叶变换红...
  • 1篇傅里叶变换红...
  • 1篇3C-SIC
  • 1篇GAMNAS

机构

  • 2篇四川大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 2篇龚敏
  • 2篇程顺昌
  • 2篇钟玉杰
  • 1篇孙小松
  • 1篇杨治美
  • 1篇石瑞英
  • 1篇曹先存
  • 1篇史同飞
  • 1篇苏平
  • 1篇何毅

传媒

  • 2篇光散射学报

年份

  • 2篇2009
共 2 条 记 录，以下是 1-2
全选 清除 导出
排序方式：
一种新型硅基3C-SiC的生长方法及光谱学表征被引量：3
2009年
采用LPCVD技术,以CH4和H2混合气体为反应源气,在n-Si(111)衬底上生长3C-SiC晶体薄膜。H2在反应过程中作为稀释气体和运输气体,CH4作为碳源,硅源有衬底硅来提供。利用X射线衍射分析仪、场发射扫描电子显微镜、激光拉曼光谱和傅里叶变换红外光谱分别研究3C-SiC薄膜的晶相结构、表面形貌及其光谱性质。结果表明此生长方法可以成功的成长出3C-SiC薄膜。
程顺昌杨治美钟玉杰何毅孙小松龚敏
关键词：拉曼散射光谱傅里叶变换红外光谱
杂质与缺陷对GaMnAs光学特性影响的研究被引量：1
2009年
提高GaMnAs材料中Mn的含量可以提高其居里温度,但随之而来也会引入很多缺陷。为了研究高含量Mn引入的缺陷对稀磁半导体材料的影响,本文对低温分子束外延技术(LT-MBE)生长的GaMnAs外延层进行了光电导以及红外等光谱的分析。通过对样品的光谱分析,发现样品中存在大量的As反位缺陷(AsGa)、Mn的间隙位缺陷(MnI)、以及在生长和退火过程中产生的Mn以及MnAs团簇等缺陷,这些缺陷都会影响外延层的光谱特性,同时也会影响器件的电学性能。
钟玉杰程顺昌苏平龚敏石瑞英曹先存史同飞
关键词：红外光谱
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0