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胡佳贤

作品数：17 被引量：3H指数：1
供职机构：浙江大学更多>>
发文基金：浙江省科技计划项目更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 12篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 2篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 8篇电子电信

主题

  • 4篇导通
  • 4篇导通电阻
  • 4篇电场
  • 4篇电阻
  • 4篇氧化层
  • 4篇栅氧化
  • 4篇栅氧化层
  • 4篇双极型
  • 4篇双极型晶体管
  • 4篇晶体管
  • 4篇绝缘栅
  • 4篇绝缘栅双极型...
  • 4篇缓冲层
  • 4篇半导体
  • 4篇场限环
  • 3篇终端结构
  • 3篇击穿电压
  • 3篇功率器件
  • 3篇VDMOS
  • 3篇场板

机构

  • 17篇浙江大学
  • 1篇广东省粤晶高...

作者

  • 17篇胡佳贤
  • 15篇韩雁
  • 15篇张世峰
  • 12篇张斌
  • 4篇韩成功
  • 3篇张斌
  • 2篇朱大中
  • 1篇郭清
  • 1篇宋波

传媒

  • 2篇固体电子学研...
  • 1篇2010年全...

年份

  • 2篇2013
  • 4篇2012
  • 7篇2011
  • 3篇2010
  • 1篇2009
共 17 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种超结结构的纵向双扩散金属氧化物半导体功率器件
本发明涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种超结结构的纵向双扩散金属氧化物半导体功率器件，包括元胞区Ⅰ和包围元胞区的过渡区Ⅱ以及包围过渡区的终端区Ⅲ；其特点在于，所述的元胞区Ⅰ内的第二导电类型柱状半导体区底部设有绝缘介质材...
胡佳贤韩雁张世峰张斌
文献传递
200V高压大电流VDMOS的研制被引量：2
2011年
介绍了自主研制的200 V/40 A VDMOS晶体管的设计优化过程及研制结果。该器件采用JFET注入和浅P-body方法降低导通电阻,提高电流密度,采用优化的N掺杂硅外延材料优化导通电阻和击穿电压。测试结果表明击穿电压高于215 V,特征导通电阻1.2Ω.mm2,导通电流可达40 A;同时设计了ESD防护,HBM值7.5 kV;芯片总面积小于31.25 mm2,可采用TO220封装。
胡佳贤韩雁张世峰张斌宋波
关键词：大电流导通电阻静电防护
一种绝缘栅双极型晶体管及其制造方法
本发明公开了一种绝缘栅双极型晶体管及其制备方法，该IGBT包括N型基区、P型基区、背P+发射区、N+集电区、栅氧化层、集电极、栅电极和发射极，所述的N型基区由依次层叠的N+扩散残留层、N-基区和N+缓冲层组成，所述的N+...
张斌韩雁张世峰胡佳贤朱大中
文献传递
一种PDP扫描驱动芯片的HV-PMOS的研究和实现
2010年
对一种适用于106.68cm PDP扫描驱动IC的HV-PMOS器件进行了分析研究。通过使用TCAD软件对HV-PMOS进行了综合仿真,得到了器件性能最优时的结构参数及工艺参数。HV-PMOS器件及整体扫描驱动IC在杭州士兰集成电路公司完成流片。PCM(Process control module)片上的HV-PMOS击穿电压达到了185V,阈值为6.5V。整体扫描驱动芯片的击穿电压达到了180V,满足了设计要求。
韩成功郭清韩雁张斌张世峰胡佳贤
超结高压功率MOSFET器件研究
功率半导体器件被广泛应用于电力、能源、消费类、航天等领域，特别是随着近年来节能减排、新能源的兴起，功率半导体器件受到了越来越多的关注。对于功率器件，击穿电压和导通电阻始终是一对矛盾;传统器件的特征导通电阻受击穿电压的限制...
胡佳贤
关键词：MOSFET器件RESURF结构导通电阻
一种绝缘栅双极型晶体管及其制造方法
本发明公开了一种绝缘栅双极型晶体管及其制备方法，该IGBT包括N型基区、P型基区、背P+发射区、N+集电区、栅氧化层、集电极、栅电极和发射极，所述的N型基区由依次层叠的N+扩散残留层、N-基区和N+缓冲层组成，所述的N+...
张斌韩雁张世峰胡佳贤朱大中
高压VDMOS结终端技术研究
功率VDMOSFET由于其优异特性而被广泛地应用于开关电源、汽车电子等领域,是功率器件的主流产品之一。功率VDMOS器件由于终端pn结的曲率效应,其高压阻断能力受到限制,为了提高高压阻断能力,结终端技术被广泛采用,是现代...
胡佳贤韩雁张世峰张斌韩成功
关键词：结终端场限环导通电阻功率器件终端结构
文献传递
高边NLDMOS结构
本发明公开了一种高边NLDMOS结构。本发明在原有高边NLDMOS的基础上，将原来在P衬底(201)与N型外延(203)之间的全区段的N型埋层(202)改为部分区段的N型埋层(202)。一般来说，N型埋层(202)的长度...
韩成功韩雁张斌张世峰胡佳贤
文献传递
高压功率集成电路隔离结构
本发明公开了一种高压功率集成电路隔离结构，包括P型衬底，所述P型衬底上方设有埋氧层，埋氧层上方设有由2m+1个P型硅岛和2m个N型硅岛相互间隔排列构成的顶层硅膜，位于最中心的P型硅岛顶部设有重掺杂P+区，重掺杂P+区两侧...
张世峰韩雁胡佳贤张斌
文献传递
一种超结结构的纵向双扩散金属氧化物半导体功率器件
本发明涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种超结结构的纵向双扩散金属氧化物半导体功率器件，包括元胞区Ⅰ和包围元胞区的过渡区Ⅱ以及包围过渡区的终端区Ⅲ；其特点在于，所述的元胞区Ⅰ内的第二导电类型柱状半导体区底部设有绝缘介质材...
胡佳贤韩雁张世峰张斌
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