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胡美华

作品数：3 被引量：9H指数：1
供职机构：北京真空电子技术研究所更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术金属学及工艺化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 1篇化学工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 3篇陶瓷
  • 2篇氮化
  • 1篇氮化铝
  • 1篇氮化硼
  • 1篇氮化硼陶瓷
  • 1篇氧化锆
  • 1篇氧化锆陶瓷
  • 1篇陶瓷材料
  • 1篇硼陶瓷
  • 1篇气相沉积
  • 1篇金属
  • 1篇金属化
  • 1篇化学气相
  • 1篇化学气相沉积
  • 1篇ZRO
  • 1篇ALN陶瓷
  • 1篇CU
  • 1篇CVD
  • 1篇表面金属化

机构

  • 2篇北京真空电子...
  • 1篇韩国科学技术...

作者

  • 3篇高陇桥
  • 3篇胡美华
  • 2篇鲁燕萍
  • 2篇李发

传媒

  • 2篇真空电子技术
  • 1篇真空科学与技...

年份

  • 1篇1999
  • 1篇1998
  • 1篇1995
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
CVDBN陶瓷与金属接合机理研究被引量：1
1999年
利用SEM /EDX、XPS及X射线粉末衍射手段 ,对CVDBN陶瓷与金属 (无氧铜、钛 )的接合机理进行了分析 ,并用反应自由焓函数法对CVDBN陶瓷与金属的界面反应作了热力学计算。结论认为CVDBN陶瓷对无氧铜。
鲁燕萍胡美华高陇桥李发
关键词：化学气相沉积氮化硼陶瓷金属
AlN陶瓷的应用及其表面金属化被引量：7
1998年
ＡｌＮ陶瓷由于其优良的导热性能，良好的高频性能及与ＢｅＯ相比无毒性，是一种很有潜力的微波功率器件用材料。ＡｌＮ陶瓷的许多应用都涉及到了陶瓷表面金属化技术及与金属接合技术，本文对ＡｌＮ陶瓷的应用、ＡｌＮ陶瓷表面金属化及其与金属接合技术的现状及发展进行了评述。
鲁燕萍胡美华高陇桥李发
关键词：金属化氮化铝陶瓷材料
ZrO_2瓷－Cu接合体界面结构及其机理被引量：1
1995年
本文成功地研究了ＴｉＨ２活性金属法对ＺｒＯ２陶瓷和Ｃｕ的接合技术，叙述了其接合界面的微观结构层及其反应，对接合机理也进行了某些讨论。
吴英齐高陇桥胡美华
关键词：氧化锆陶瓷
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共1页<1>
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