苏剑峰
- 作品数：27 被引量：36H指数：3
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- 相关领域：理学一般工业技术电子电信文化科学更多>>
- β-BaB_2O_4纳米线束的制备与荧光性能（英文）
- 2015年
- 采用水热法和退火相结合的方法制备了β-Ba B2O4纳米束,并采用X射线衍射、热重分析、扫描和透射电子显微镜对纳米束进行表征。结果表明,单晶纳米线的直径约为30 nm,长约为450 nm。对影响产物形貌的因素的研究表明,退火温度和反应时间对产物形貌的影响极大。产物的室温荧光光谱是从310 nm到450 nm的宽带发光,峰值位于370 nm。这种新型纳米束结构在光学方面具有潜在的应用价值。
- 唐春娟刘利娜苏剑峰肖宏宇张永胜李广海
- 关键词：偏硼酸钡水热法退火荧光
- 温度梯度法宝石级金刚石的合成及表征被引量：8
- 2012年
- 利用温度梯度法,在5.0—5.7GPa,1250—1600℃条件下,研究了FeNiMnCo触媒合成宝石级金刚石的温度和压力区间,给出了P-T相图.基于有限元法的温度场模拟及碳素浓度梯度拟合结果表明,I型温度场只适合生长大尺寸优质板状及小尺寸塔状金刚石单晶;II型温度场可以合成出大尺寸优质板状或塔状金刚石单晶.该结论被Ib型及掺硼宝石级金刚石晶体生长实验所证实.提出碳素浓度梯度是决定晶体生长速度及合成晶体品质的关键因素.研究得到了只有触媒中温度场分布与晶体尺寸、形貌相匹配时,才能合成出优质宝石级金刚石单晶的晶体生长规律.揭示了{110}和{113}高指数晶面在Ib型金刚石"V"形区内的分布规律.通过傅里叶红外光谱检测发现,FeNiMnCo触媒合成金刚石的氮含量较低,较低的氮含量是由铁会降低金刚石氮含量所致.氮含量低有利于金刚石的光谱透过性.
- 肖宏宇苏剑峰张永胜鲍志刚
- 关键词：金刚石触媒温度梯度法有限元法
- II-VI族化合物纳米结构的可控合成及光学性能
- 唐春娟苏剑峰刘利娜张永胜王昶清张东梅臧春和
- 该项目属于凝聚态物理学科，是自选项目，主要从事纳米结构的可控合成及其光学性能等基础性研究。如何采用简单的制备方法，可控合成纳米材料的结构和形貌，是当前纳米材料科学研究的热点之一。因为无机纳米材料的功能和性质不仅取决于它的...
- 关键词：
- 关键词：纳米材料光学性能凝聚态物理学
- 化学液相法可控合成半导体复杂纳米结构及其物性研究
- 唐春娟张永胜臧春和苏剑峰孙孟乐亢金轩范松博
- 复杂纳米结构是由简单纳米结构自组装形成的具有特殊结构的纳米花样结构，这些特殊的纳米结构具有许多奇异物性，并且可以通过调整纳米结构单元的尺寸和相互作用参数，实现人工对物性的控制，并取得了一系列重大成果。一系列复杂纳米结构的...
- 关键词：
- 关键词：半导体材料
- 一种碳@硅酸铁空心结构复合物及其制备方法
- 本发明公开了一种碳@硅酸铁空心结构复合物及其制备方法，该复合物内层为碳空心球，外层为由多个无定形硅酸铁纳米片纵横交错组成的球壳；该碳@硅酸铁空心结构复合物的直径为600nm，碳空心球的碳层厚度为9‑11nm；单个硅酸铁纳...
- 唐春娟苏剑峰王昶清孙瑞瑞
- 文献传递
- 二维钙钛矿结构调控及光物理性能研究进展被引量：2
- 2019年
- 传统的三维(3D)有机-无机卤化物钙钛矿经历了前所未有的快速发展。然而,它们对水分、光和热的固有不稳定性仍然是限制其商业化发展的关键问题。相比之下,新出现的二维(2D)钙钛矿因其巨大的环境优势而受到越来越多的关注。然而,对二维钙钛矿的研究还处于起步阶段,其结构和光物理特性仍有待深入探索。首先,介绍了二维杂化钙钛矿的结构;然后,对该结构中有机胺以及无机元素的选择进行比较讨论,并对二维杂化钙钛矿中独特的激子性质、电声耦合以及自旋轨道耦合(SOC)效应等方面的研究进行了总结;最后,根据前文论述指出下一步研究需要解决的问题,以期为将来开发和制备性能更优异的二维钙钛矿光电器件提供参考。
- 苏剑峰牛强
- 关键词：有机胺电声耦合
- C面蓝宝石衬底上6H-SiC薄膜的低压化学气相外延生长与表征被引量：2
- 2008年
- 采用低压化学气相沉积方法在C面蓝宝石衬底上异质外延生长出高结晶质量和良好表面形貌的6H-SiC薄膜,研究了C_3H_8气体流速对薄膜结晶质量的影响.随着C_3H_8气体流速的降低,薄膜的结晶质量先增加后降低,表明薄膜的生长在开始阶段受表面反应控制,而后受质量输运控制.所得到的结晶质量最好的6H-SiC薄膜,其摇摆曲线半高宽为0.6°,已经达到单晶水平.没有使用AlN过渡层,制备出结晶质量更好的SiC薄膜,表明对于蓝宝石衬底上SiC薄膜的生长,起决定性因素的是温度,过渡层不是影响SiC薄膜结晶质量的主要因素.
- 郑海务苏剑峰顾玉宗张杨傅竹西
- 关键词：无机非金属材料蓝宝石微结构
- 衬底取向对Al掺杂3C-SiC薄膜微结构的影响（英文）
- 2015年
- 采用低压化学气相沉积(LPCVD)法分别在Si(100)和Si(111)衬底上制备了Al掺杂的3C-Si C薄膜。采用X射线衍射、扫描电子显微镜、Raman光谱对所制备薄膜的微结构、形貌以及内部应力的演变进行分析。结果表明:在Si(100)衬底上制备的Al掺杂Si C薄膜具有较好的结晶质量,而且结晶质量受Al掺杂浓度的影响比较大。Al掺杂Si C薄膜的生长模式为二维层状生长模式。Si(100)衬底上所制备的Al掺杂Si C薄膜表面为层状的四边形结构,而Si(111)衬底上的Al掺杂Si C薄膜表面为层状的截角三角形结构。Si(100)衬底上的薄膜厚度略大于Si(111)衬底上的。由于Al离子的掺入和薄膜厚度的增加,Si(100)衬底上所制备的Al掺杂Si C薄膜内部的应力得到很好的释放。Si(111)衬底上的Al掺杂Si C薄膜内部的应力则由张应力模式转为压应力模式,而且纵光学声子(LO)、横光学声子(TO)特征峰分离变大,出现这种现象的原因可能与Al3+替代Si4+使Si C离子性增强和生长模式的转变有关。
- 苏剑峰肖宏宇牛强唐春娟张永胜傅竹西
- 关键词：铝掺杂碳化硅薄膜微结构
- 碳化气体引入温度对3C-SiC薄膜生长的影响(英文)
- 2007年
- 通过低压化学气相沉积方法,在Si(100)衬底上生长了高度择优取向的3C-SiC (100)薄膜。SiC (200)峰的摇摆曲线表明SiC薄膜的结晶质量随着丙烷气体引入温度(Tgi)的升高而增加。选区电子衍射像表明高Tgi下生长的薄膜比低Tgi下生长的薄膜具有更好的取向。典型的SiC薄膜高分辨像中观察到了孪晶和层错。表面场发射扫描电镜像表明随着Tgi的升高,SiC薄膜的表明形貌发生了改变。
- 郑海务郭凤丽苏剑峰顾玉宗张华荣傅竹西
- 关键词：微结构表面形貌
- 新颖的第三代太阳能电池被引量：1
- 2010年
- 为了开发清洁新能源,太阳能电池成为人们研究的热点。简要介绍了第三代太阳电池的发展现状,阐述了叠层电池、中间带太阳电池、热载流子太阳电池等第三代太阳能电池的设计原理,分析了各种新概念太阳能电池在发展中存在的问题和未来发展的方向。
- 苏剑峰牛强唐春娟王昶清张永胜
- 关键词：叠层电池
