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谢加雄

作品数：13 被引量：0H指数：0
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 11篇专利
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 6篇电子电信

主题

  • 11篇半导体
  • 4篇低压CMOS
  • 4篇电源
  • 4篇功率器件
  • 4篇半导体功率器...
  • 4篇表面电场
  • 3篇半导体器件
  • 3篇VDMOS器...
  • 2篇低功耗
  • 2篇电源管理
  • 2篇电阻
  • 2篇多晶
  • 2篇氧化物
  • 2篇移植性
  • 2篇锗硅
  • 2篇三极管
  • 2篇磷化铟
  • 2篇金属
  • 2篇金属氧化物
  • 2篇晶体三极管

机构

  • 13篇电子科技大学
  • 1篇微电子有限公...

作者

  • 13篇谢加雄
  • 11篇李泽宏
  • 11篇李婷
  • 9篇张波
  • 9篇任敏
  • 9篇张超
  • 8篇姜贯军
  • 8篇余士江
  • 7篇肖璇
  • 6篇刘小龙
  • 4篇张帅
  • 2篇胡涛
  • 2篇吴宽
  • 2篇邓光平
  • 2篇钱振华
  • 1篇李吉
  • 1篇张灵霞
  • 1篇邓光敏

传媒

  • 1篇2011’全...

年份

  • 1篇2013
  • 5篇2012
  • 7篇2011
共 13 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种极低导通电阻浅槽埋沟VDMOS器件
一种极低导通电阻浅槽埋沟VDMOS器件，属于半导体器件技术领域。本发明利用掩埋层沟道结构大大降低了沟道电阻，并利用金属氧化物半导体结构表面电场效应，正向电压时形成积累层而反向电压时形成耗尽层。金属氧化物半导体结构的栅氧化...
李泽宏余士江姜贯军谢加雄李婷任敏张超刘小龙张波
文献传递
一种高压BCD半导体器件的制造方法
一种高压BCD半导体器件的制造方法，属于半导体功率器件技术领域中的制造技术。包括工艺步骤如下：制备衬底；制备DNW；制备场氧；制备N阱、P阱；制备栅及场板；制备NSD；制备PSD；退火；NSD/PSD推结；制备欧姆孔；形...
李泽宏谢加雄余士江姜贯军张帅钱振华李婷张超任敏肖璇张波
文献传递
具ESD防护及过流保护功能的VDMOS设计
本文提出一种内部集成了ESD防护及过流保护功能的VDMOS器件。在对电流采样原理分析的基础上，提出了一种适用于功率器件过流保护的电路结构;利用反串联多晶二极管实现对VDMOS器件的ESD保护。通过二维数值模拟确定了器件及...
谢加雄刘小龙李婷任敏李泽宏张金平计建新
关键词：静电放电过流保护
文献传递
一种功率器件衬底背面的离子注入方法
一种功率器件衬底背面的离子注入方法，属于半导体功率器件技术领域。本发明在完成功率器件正面工艺步骤后，在完成离子注入(离子注入之前可对衬底背面进行减薄或不减薄处理)和离子激活后，不像传统工艺直接进行金属铝层淀积，而是采用腐...
李泽宏肖璇张超吴宽谢加雄李婷刘小龙
一种低压埋沟VDMOS器件
一种低压埋沟VDMOS器件，属于半导体器件技术领域。本发明利用掩埋层沟道结构大大降低了沟道电阻，并且金属氧化物半导体结构的栅氧化层非常薄，利用金属氧化物半导体结构表面电场效应，栅源极间加正向电压时形成积累层而加反向电压时...
李泽宏姜贯军余士江李婷谢加雄任敏李吉肖璇张波
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具采样及抗辐照加固功能的高压DMOS设计
功率VDMOS器件除了广泛应用于家电、工业控制等领域外,还大量应用于核环境和空天环境的电力电子系统。核环境和空天环境中存在的多种辐照效应会造成VDMOS器件的特性变差,甚至引发失效,因此开展VDMOS器件的抗辐照性能的研...
谢加雄
关键词：VDMOS总剂量辐照电流采样
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一种低功耗快恢复金属氧化物半导体二极管
一种低功耗快恢复金属氧化物半导体二极管，属于半导体器件技术领域。本发明提供的低功耗快恢复金属氧化物半导体二极管具有一个结型场效应管区(4)和一个电子积累层结构(12)；所述结型场效应管区(4)由两个深P体区(5)和之间的...
李泽宏姜贯军余士江邓光平李婷谢加雄张超任敏刘小龙张波
一种功率器件衬底背面的离子注入方法
一种功率器件衬底背面的离子注入方法，属于半导体功率器件技术领域。本发明在完成功率器件正面工艺步骤后，在完成离子注入(离子注入之前可对衬底背面进行减薄或不减薄处理)和离子激活后，不像传统工艺直接进行金属铝层淀积，而是采用腐...
李泽宏肖璇张超吴宽谢加雄李婷刘小龙
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一种非外延高压BCD器件的制备方法
一种非外延高压BCD器件的制备方法，属于半导体技术领域中的半导体制造技术。本发明提供一种在同一硅片上集成高压DMOS、高压采样器件SensorFET、低压BJT、低压CMOS、低压DMOS、MOS电容和阱电容、阱电阻以及...
李泽宏姜贯军余士江谢加雄张帅胡涛李婷张超任敏肖璇张波
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一种低功耗快恢复金属氧化物半导体二极管
一种低功耗快恢复金属氧化物半导体二极管，属于半导体器件技术领域。本发明提供的低功耗快恢复金属氧化物半导体二极管具有一个结型场效应管区(4)和一个电子积累层结构(12)；所述结型场效应管区(4)由两个深P体区(5)和之间的...
李泽宏姜贯军余士江邓光平李婷谢加雄张超任敏刘小龙张波
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