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付友

作品数:2 被引量:5H指数:1
供职机构:天津大学电子信息工程学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金天津市自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇接收机
  • 2篇跨阻放大器
  • 2篇光接收
  • 2篇光接收机
  • 2篇放大器
  • 2篇BICMOS...
  • 1篇电路
  • 1篇氧化物半导体
  • 1篇锗硅
  • 1篇双极互补金属...
  • 1篇前端电路
  • 1篇金属氧化物半...
  • 1篇互补金属氧化...
  • 1篇半导体
  • 1篇RGC
  • 1篇TIA
  • 1篇BICMOS

机构

  • 2篇天津大学

作者

  • 2篇康玉琢
  • 2篇付友
  • 2篇谢生
  • 2篇郭增笑
  • 2篇毛陆虹
  • 2篇张世林

传媒

  • 1篇光电子.激光
  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 1篇2014
  • 1篇2013
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
基于标准BiCMOS工艺的1.5 Gbit/s调节型共源共栅光接收机被引量:4
2014年
基于IBM 0.18μm SiGe BiCMOS标准工艺设计实现了一种高速、低功耗的光接收机前端模拟电路。接收机芯片包括调节型共源共栅(RGC)跨阻放大器(TIA)、四级限幅放大器(LA)和输出缓冲电路(buffer)。采用高跨导SiGe异质结双极晶体管(HBT)作为输入级的RGC TIA有效隔离了探测器结电容和输入寄生电容的影响,更好地拓展了光接收机的带宽。仿真结果表明,在1.8V电源电压供电下,驱动50Ω电阻和10pF电容负载时,光接收机前端的跨阻增益为76.67dB,-3dB带宽为2.1GHz。测试结果表明,光接收机前端电路的-3dB带宽为1.2GHz,跨阻增益为72.2dB,在误码率(BER)为10-9的条件下,光接收机实现了1.5Gbit/s的数据传输速率。在1.8V电源电压下,芯片功耗仅为44mW,芯片总面积为800μm×370μm。
郭增笑谢生付友毛陆虹康玉琢张世林
关键词:光接收机BICMOS
基于BiCMOS工艺的光接收机前端电路被引量:1
2013年
基于IBM 0.18μm SiGe BiCMOS工艺设计,实现了光接收机模拟前端,电路整体结构包括差分共射跨阻放大器(TIA)、限幅放大器(LA)以及输出缓冲级(Buffer)。采用SiGe异质结双极晶体管(HBT)作为输入级的差分共射跨阻放大器大大地减小了输入电阻,更好地展宽了频带。仿真结果表明,在1.8V电源电压供电下,驱动50Ω电阻和10pF电容负载时光接收机前端跨阻增益为74.59dB,带宽为2.4GHz,功耗为39.6mW。在误码率为10-9、输入电流为50μA的条件下,光接收机前端电路实现了3Gb/s的数据传输速率。实测结果表明,光接收机的-3dB带宽为1.9GHz。芯片面积为910μm×420μm。
付友谢生郭增笑毛陆虹康玉琢张世林
关键词:光接收机跨阻放大器锗硅双极互补金属氧化物半导体
共1页<1>
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