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仲顺安

作品数：74 被引量：123H指数：6
供职机构：北京理工大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家部委预研基金国家部委资助项目更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术交通运输工程航空宇航科学技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 54篇期刊文章
  • 11篇会议论文
  • 7篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 38篇电子电信
  • 19篇自动化与计算...
  • 2篇电气工程
  • 2篇交通运输工程
  • 2篇文化科学
  • 1篇石油与天然气...
  • 1篇机械工程
  • 1篇动力工程及工...
  • 1篇航空宇航科学...
  • 1篇医药卫生
  • 1篇兵器科学与技...

主题

  • 8篇电路
  • 7篇信号
  • 5篇浮点
  • 4篇水声
  • 4篇通信
  • 4篇图像
  • 4篇无线
  • 4篇集成电路
  • 4篇放大器
  • 4篇傅里叶
  • 4篇傅里叶变换
  • 4篇CMOS
  • 3篇低噪
  • 3篇信号同步
  • 3篇帧同步
  • 3篇直流
  • 3篇声通信
  • 3篇水声通信
  • 3篇水声通信系统
  • 3篇通信系统

机构

  • 71篇北京理工大学
  • 3篇北方工业大学
  • 1篇北京大学
  • 1篇明尼苏达大学
  • 1篇清华大学
  • 1篇中国石油天然...
  • 1篇重庆通信学院
  • 1篇中国人民解放...

作者

  • 73篇仲顺安
  • 13篇陈越洋
  • 9篇党华
  • 6篇陈禾
  • 6篇丁英涛
  • 5篇胡正伟
  • 4篇谢君堂
  • 4篇王兴华
  • 4篇王竹萍
  • 3篇吴海霞
  • 3篇赵显利
  • 3篇张卫平
  • 3篇尹力
  • 3篇张懋
  • 3篇刘志哲
  • 2篇王皓磊
  • 2篇赵昊
  • 2篇毛鹏
  • 2篇费泽松
  • 2篇刘晓清

传媒

  • 30篇北京理工大学...
  • 3篇计算机工程
  • 2篇集成电路通讯
  • 1篇电讯技术
  • 1篇传感器技术
  • 1篇太阳能学报
  • 1篇电子与信息学...
  • 1篇工业控制计算...
  • 1篇光子学报
  • 1篇红外技术
  • 1篇机械与电子
  • 1篇军民两用技术...
  • 1篇中国科学（E...
  • 1篇北京理工大学...
  • 1篇信号处理
  • 1篇传感技术学报
  • 1篇微电子学
  • 1篇半导体光电
  • 1篇现代电子技术
  • 1篇信息网络安全

年份

  • 1篇2022
  • 2篇2021
  • 1篇2020
  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 6篇2017
  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 3篇2014
  • 3篇2013
  • 4篇2012
  • 4篇2011
  • 6篇2010
  • 2篇2009
  • 4篇2008
  • 7篇2007
  • 1篇2006
  • 10篇2005
  • 3篇2004
  • 5篇2003
共 74 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
加强实践能力培养 全面推进素质教育
2000年
仲顺安
关键词：高校素质教育教学改革教学质量
基于多值逻辑的高性能片上总线设计
2012年
针对深亚微米条件下线延迟超越器件的延迟影响芯片性能的问题,提出一种新的片上总线模型和架构.采用多值逻辑传输模式实现片上模块间的通信;采用地址预置技术,提高基于四值逻辑的片上模块间的数据传输效率.ADMS仿真结果表明,相对于二值地址预置总线,在保持相同数据吞吐量时,可以使总线的数量明显减少;在保持相同总线数目时,数据吞吐量提高2倍.
吴海霞夏乾斌盛盟谢群芳仲顺安陈越洋
关键词：片上总线多值逻辑
10级流水线双精度浮点乘法器的设计被引量：1
2007年
提出了一种基于IEEE754标准的双精度浮点乘法器的流水线设计方法.该方法面向32 bit数据通路的数字信号处理器,每个64 bit双精度浮点操作数划分为2个32 bit数据,采用32 bit×32 bit无符号阵列乘法器实现有效数的相乘,并通过控制部分积与其选择信号在流水线中的同步传递,用1个66 bit加法器实现了4个部分积的相加.采用提出的舍入方法完成了有效数的舍入.整个双精度浮点乘法器的设计分为10级流水线.硬件仿真验证了该方法的正确性和有效性.
胡正伟仲顺安
关键词：乘法器流水线
纳米硅薄膜材料在场发射压力传感器研制中的应用被引量：6
2003年
设计研制了一种基于量子隧道效应机制的场发射压力传感器原型器件,用CVD技术制备了粒径为3～9 nm,厚度为30～40 nm的纳米硅薄膜,并同时把这种低维材料引入到传感器阴极发射尖锥的制作,形成纳米硅薄膜为实体的发射体结构.用HREM及TED分析了纳米硅态的显微特性,用场发射扫描电子显微镜SEM分析了发射体及阵列的微观结构,用HP4145B晶体管参数测试仪考察了传感器件的场发射特性.实验结果表明,当外加电场为5.6×103V/m时,器件有效区域发射电流密度可达53.5A/m2.
廖波谢君堂仲顺安王静静张大成李婷郝一龙罗葵
关键词：场发射特性电流密度
硅基微波集成基础器件与工艺的研究
硅基微波集成基础器件与工艺的研究,是了为适应微波、毫米波技术在军事、民用领域应用日益广泛这一需求而提出来的.研究的目的在于利用MEMS手段,在硅材料上制作性能优良、体积小、成本低廉的微波集成电路.该文内容主要分为两部分....
仲顺安
关键词：毫米波微波集成电路MEMS
文献传递
浮点数字信号处理器Data-RAM的RTL模型设计被引量：1
2007年
提出了一种双精度浮点数字信号处理器Data-RAM的RTL模型设计方法.分析了Data-RAM的结构和访问机制,采用自顶向下的方法和VHDL语言,实现了Data-RAM的RTL模型设计并验证了其功能的正确性.该模型支持3地址独立进行数据存取,支持字节、半字、字的读写访问和双字的读访问.在访问地址不冲突的前提下,最大可以在同一时钟周期进行2次64 bit的读操作和1次32 bit读写操作.Data-RAM的RTL模型设计为门级和物理级的性能设计提供了参考.
胡正伟仲顺安陈禾
关键词：数字信号处理器
K波段双通道集成CMOS发射前端芯片设计被引量：1
2019年
采用TSMC90nm CMOS工艺,设计并实现了一款具有移相功能的K波段双通道集成发射前端芯片.该芯片主要由一个功率分配器、两组参数不同的有源移相器和功率放大器构成,同时在片上集成了用于控制移相器的数字模块.测试结果表明,在中心频点25GHz处,两个通道的增益分别为19.1dB和18.9dB,输出1dB压缩点分别为9.57dBm和8.41dBm,相位误差分别为1.38°和1.47°,供电电压为1.2V,总功耗为0.32W,芯片总面积为2.2mm×1.25mm.
齐全文仲顺安王征晨李安安
关键词：K波段双通道功率放大器CMOS工艺
水声通信系统中信号同步的一种实现方法
水声通信技术是解决水下信息传送和处理的关键技术,它广泛应用于水下自治机器人(AUV)、水下通讯网络、遥控和目标检测等领域。由于水下恶劣传输条件的影响,水声通信系统中同步信号的处理是系统的一个关键问题。本文介绍了一种简单的...
尹力仲顺安陈越洋党华
关键词：水声通信位同步帧同步
基于WDM的USB驱动程序设计被引量：10
2005年
简单介绍了USB的特性。为了介绍USB驱动,重点阐述了W DM 驱动程序的原理和W indows系统内核管理机制和应用程序的区别。并给出了利用Driverstudio的C++语言编写的例程。
赵娟仲顺安郭磊
关键词：驱动程序设计DRIVERSTUDIOWDM驱动程序C++语言例程
32位单精度浮点乘法器的FPGA实现被引量：4
2005年
采用V erilog HDL语言,在FPGA上实现了32位单精度浮点乘法器的设计,通过采用改进型Booth算法和W a llace树结构,提高了乘法器的速度。本文使用A ltera Q uartus II 4.1仿真软件,采用的器件是EPF 10K 100EQ 240 1,对乘法器进行了波形仿真,并采用0.5 CM O S工艺进行逻辑综合。
胡侨娟仲顺安陈越洋党华
关键词：浮点乘法器BOOTH算法WALLACE树
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