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任奕成

作品数：14 被引量：0H指数：0
供职机构：北京大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 13篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 12篇晶体管
  • 9篇半导体
  • 8篇氧化锌薄膜
  • 8篇薄膜晶体
  • 8篇薄膜晶体管
  • 4篇电路
  • 4篇平板显示
  • 4篇沟道
  • 3篇电阻
  • 3篇掩膜
  • 3篇掩膜版
  • 3篇自对准
  • 3篇介质层
  • 2篇低电阻
  • 2篇氧化物
  • 2篇氧化物半导体
  • 2篇液晶
  • 2篇液晶显示
  • 2篇栅电极
  • 2篇迁移率

机构

  • 14篇北京大学

作者

  • 14篇任奕成
  • 13篇王漪
  • 13篇韩德栋
  • 13篇张盛东
  • 12篇康晋锋
  • 9篇王亮亮
  • 9篇蔡剑
  • 7篇王薇
  • 6篇孙雷
  • 4篇张韬
  • 4篇韩汝琦

年份

  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 11篇2012
  • 1篇2011
共 14 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种顶栅氧化锌薄膜晶体管的制备方法
本发明公开了一种顶栅氧化锌薄膜晶体管的制备方法，属于半导体行业、平板显示领域。本发明在顶栅氧化锌薄膜晶体管的制备过程中，将沟道区、栅介质层和栅电极层一起剥离，工艺步骤简单，且沟道层、栅绝缘介质层和栅电极层这三层是在真空条...
韩德栋蔡剑王薇王亮亮王漪张盛东任奕成刘晓彦康晋锋
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一种氧化锌基肖特基薄膜晶体管
本发明提供一种氧化锌基肖特基薄膜晶体管，属于半导体技术领域。该氧化锌基肖特基薄膜晶体管包括一栅电极，一栅绝缘介质层，一半导体导电沟道区，一源区和一漏区，所述栅电极位于玻璃或者塑料衬底之上，所述栅绝缘介质层位于玻璃和栅电极...
韩德栋王漪张盛东孙雷张韬任奕成康晋锋刘晓彦韩汝琦
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一种氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法
本发明公开了一种氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法，属于半导体集成电路及其制造技术领域。本发明采用射频磁控溅射方法形成两层AlZnO薄膜材料作为有源区，且该两层AlZnO薄膜的氧离子含量不同。本发明氧化物半导体薄膜晶体管...
韩德栋王漪蔡剑王亮亮任奕成张盛东孙雷刘晓彦康晋锋
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一种3D氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法
本发明公开了一种3D氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法。本发明的薄膜晶体管采用下层有源区、下层栅介质、栅电极的连续生长，以及上层栅介质、上层有源区的连续生长，能够极大减少有源层与栅介质的界面缺陷态，因而能极大地提高薄膜晶...
王漪蔡剑韩德栋王亮亮任奕成张盛东孙雷刘晓彦康晋锋
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二次光刻制备薄膜晶体管的方法
本发明提供了一种二次光刻实现薄膜晶体管的制备方法，属于半导体技术平板显示领域。该方法具体包括：首先在玻璃或者塑料衬底上生长一层半导体沟道层；然后生长一层栅绝缘介质层；再进行第一次光刻和刻蚀定义栅绝缘介质层图形；随后生长一...
韩德栋王漪张盛东孙雷张韬任奕成康晋锋刘晓彦韩汝琦
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一种底栅自对准氧化锌薄膜晶体管的制备方法
本发明公开了一种底栅自对准氧化锌薄膜晶体管的制备方法。本发明的制备方法采用底栅结构，首先生长光刻刻蚀出栅电极，然后连续生长栅介质层及有源区层，再光刻刻蚀出有源区，以栅电极为掩膜，配合源电极和漏电极的掩膜版，背部曝光即可实...
王漪王亮亮韩德栋蔡剑王薇耿友峰任奕成张盛东刘晓彦康晋锋
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一种顶栅氧化锌薄膜晶体管的制备方法
本发明公开了一种顶栅氧化锌薄膜晶体管的制备方法，属于半导体行业、平板显示领域。本发明在顶栅氧化锌薄膜晶体管的制备过程中，将沟道区、栅介质层和栅电极层一起剥离，工艺步骤简单，且沟道层、栅绝缘介质层和栅电极层这三层是在真空条...
韩德栋蔡剑王薇王亮亮王漪张盛东任奕成刘晓彦康晋锋
一种氧化锌基薄膜晶体管及其制备方法
本发明提供一种氧化锌基薄膜晶体管及其制备方法，属于半导体技术领域。该氧化锌基薄膜晶体管包括衬底、栅电极、栅介质层、沟道层和源漏电极，衬底是玻璃或者塑料；在衬底上由氧化锌或掺杂Al或者Ga氧化锌导电材料形成栅电极；半导体沟...
韩德栋王漪张盛东孙雷张韬任奕成韩汝琦
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一种塑料衬底上制备薄膜晶体管的制备方法
本发明公开了一种在塑料衬底上制备薄膜晶体管的制造方法，该方法首先在塑料衬底上引入一层隔离层可以避免外界湿气等环境影响，然后在隔离层上引入一层绝缘层可以屏蔽外界环境对薄膜晶体管电学特性的干扰。本发明在塑料衬底上制备薄膜晶体...
韩德栋王薇蔡剑王漪张盛东王亮亮任奕成刘晓彦康晋锋
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一种顶栅自对准氧化锌薄膜晶体管的制备方法
本发明公开了一种顶栅自对准氧化锌薄膜晶体管的制备方法。本发明的方法仅需要3块掩膜版，利用三次光刻制备出氧化锌薄膜晶体管；采用自对准方法将沟道区外的栅介质层和栅电极的这两层光刻胶一起剥离，然后对暴露出的沟道区两端的半导体层...
王漪蔡剑王薇韩德栋王亮亮任奕成张盛东刘晓彦康晋锋
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