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任攀

作品数：9 被引量：6H指数：1
供职机构：中国工程物理研究院流体物理研究所更多>>
相关领域：理学电子电信一般工业技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 3篇会议论文
  • 3篇专利

领域

  • 2篇电子电信
  • 2篇理学
  • 1篇机械工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 4篇电池
  • 3篇太阳电池
  • 3篇气体流量
  • 3篇气源
  • 3篇微波源
  • 3篇光谱
  • 3篇光学
  • 3篇光学元件
  • 3篇非接触
  • 2篇电致发光
  • 2篇电致发光谱
  • 2篇电子辐照
  • 2篇硅太阳电池
  • 2篇发光
  • 2篇表面污染
  • 1篇单晶
  • 1篇单晶硅
  • 1篇单晶硅太阳电...
  • 1篇电池效率
  • 1篇电子学

机构

  • 9篇中国工程物理...

作者

  • 9篇任攀
  • 7篇王伟平
  • 4篇刘国栋
  • 3篇张家雷
  • 3篇张宁
  • 3篇吴凡
  • 2篇付博
  • 1篇李阳龙
  • 1篇刘晨星
  • 1篇张大勇

传媒

  • 1篇激光与光电子...
  • 1篇应用激光
  • 1篇高能量密度物...
  • 1篇2015光电...
  • 1篇第十七届全国...

年份

  • 1篇2018
  • 2篇2017
  • 1篇2015
  • 4篇2014
  • 1篇2012
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
基于微波电离的介质膜层表面污染清除系统及其清除方法
本发明公开了一种基于微波电离的介质膜层表面污染清除系统及其清除方法，包括样品仓，所述样品仓外部设置有微波源、真空机构、气体流量控制系统、氧气源和惰性气体气源，氧气源和惰性气体气源均与气体流量控制系统连接，微波源、真空机构...
任攀吴凡张家雷王伟平张宁
文献传递
基于微波电离的光学元件介质膜层表面指纹污染清除系统
本实用新型公开了一种基于微波电离的光学元件介质膜层表面指纹污染清除系统，包括样品仓，所述样品仓外部设置有微波源、真空机构、气体流量控制系统、氧气源和惰性气体气源，氧气源和惰性气体气源均与气体流量控制系统连接，微波源、真空...
任攀吴凡张家雷王伟平张宁
文献传递
不同波长激光对绝缘体上硅材料损伤阈值的理论研究与数值分析
2012年
分析了不同波长激光辐照绝缘体上硅(SOI)材料时的相互作用机制。使用ANSYS软件热分析模块,通过有限元方法模拟得到波长分别是355、532、1064nm的激光辐照SOI材料后的温度场分布。讨论了不同波长激光辐照SOI材料表面时的自加热现象。
刘晨星张大勇付博李阳龙任攀
关键词：SOI材料波长效应激光损伤
LBIC技术研究硅太阳电池的电子辐照效应
电子对空间太阳电池的使用寿命有至关重要的影响.研究了单晶硅太阳电池1MeV电子辐照后的损伤效应.电学性能测试表明,单晶硅太阳电池的开路电压、短路电流及最大功率都随辐照剂量的增加而明显下降,在最大剂量2×1015...
吴凌远任攀王伟平刘国栋
关键词：航天器硅太阳电池电子辐照少子寿命
高温导致三结太阳电池电致发光谱变化
GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池是一种高效的无机太阳电池,采用晶格匹配但带隙宽度不同的半导体材料构成叠层结构,对太阳光谱各个波段的光子进行充分利用,可以实现较高的光电转换效率[1],在航天等领域有广泛应用[2].但...
任攀
高温导致三结太阳电池电致发光谱变化被引量：5
2014年
高温下半导体材料性能会发生变化,影响太阳电池光电转换效率。为了了解Ga In P/Ga As/Ge三结太阳电池在聚光和高温条件下的工作性质,研究了热加载后的三结太阳电池样品在定压下的电致发光谱,发现受热后Ga In P顶电池和Ga As中电池的电致发光谱的强度发生变化,出现峰值反转的现象。结合光照下伏-安特性、暗伏安特性及外量子效率分析了这种现象产生的原因,即加热过程在Ga In P顶电池中引入晶格结构缺陷,导致其电致发光强度变弱,同时顶电池并联电阻变小,Ga As中电池分压有所增加,发光增强,整个样品的电致发光谱出现峰值反转现象。结果表明Ga As中电池比Ga In P顶电池具有更好的耐热性。
任攀吴凌远王伟平刘国栋
关键词：光电子学太阳电池热损伤电致发光量子效率
提高空间太阳能电池效率的下转换材料Y2MoO6:Yb3+研究
采用溶胶凝胶法合成了Y2MoO6:Yb3+粉体。通过X射线衍射谱、扫描电子显微镜分析了其结构和形貌,其晶粒大小约为0.2微米。荧光激发谱测试表明样品对300-400纳米紫外光子具有良好吸收,经分析为Mo-O电荷迁移态跃迁...
吴凌远任攀刘国栋王伟平
关键词：太阳能电池光谱YB
文献传递
基于微波电离的介质膜层表面污染清除系统及其清除方法
本发明公开了一种基于微波电离的介质膜层表面污染清除系统及其清除方法，包括样品仓，所述样品仓外部设置有微波源、真空机构、气体流量控制系统、氧气源和惰性气体气源，氧气源和惰性气体气源均与气体流量控制系统连接，微波源、真空机构...
任攀吴凡张家雷王伟平张宁
文献传递
单晶硅太阳电池的电子辐照效应研究被引量：1
2014年
高能电子对空间太阳电池的使用寿命有至关重要的影响，研究了单晶硅太阳电池受1MeV电子辐照后的损伤效应。电学性能测试结果表明，单晶硅太阳电池的开路电压、短路电流及最大功率都随辐照剂量的增加而明显下降，当最大辐照剂量为2×10^15e／cm^2时，最大功率衰减了将近50％。光谱响应分析表明，电子辐照使长波光子的量子效率衰减严重，而短波光子几乎不受影响。在采用光束诱导电流法测量单晶硅太阳电池的少数载流子扩散长度时发现，经电子辐照后少数载流子扩散长度大幅下降，当辐照剂量大于10^15e／cm^2时，扩散长度小于长波光子的入射深度。证明硅材料在电子辐照过程中产生的复合中心导致少数载流子寿命下降，致部分光生载流子无法扩散到结区，是单晶硅太阳电池性能下降的关键因素。
吴凌远任攀付博王伟平刘国栋
关键词：太阳电池电子辐照单晶硅
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