冯松
- 作品数：8 被引量：16H指数：2
- 供职机构：内蒙古大学物理科学与技术学院更多>>
- 发文基金：内蒙古自治区教育厅基金更多>>
- 相关领域：理学动力工程及工程热物理电气工程更多>>
- 真空蒸发制备CdSe_xTe_(1-x)薄膜及其性能研究
- 2013年
- 按不同比例混合CdTe和CdSe两种化合物,利用真空蒸发法在玻璃衬底上制备了CdSex Te1-x三元化合物薄膜,分别利用XRD、SEM、EDX、XPS、紫外-可见分光光度计对薄膜的物相结构、表面形貌、元素组成以及光学性能进行了测试,分析了x值和热处理对薄膜的影响。测试结果表明,薄膜均为立方闪锌矿结构的CdSex Te1-x三元化合物,沿(111)晶面择优生长,晶格常数与x呈线性递减关系;随x值增加薄膜的光学带隙逐渐减小,x=0.57时减小到最小值1.41 eV,然后又增大;升高热处理温度,可以改善薄膜的结晶程度,增加对光的吸收范围,减小光学带隙。
- 刘永生李蓉萍邹凯田磊冯松
- 关键词：光学性能
- Pr掺杂CdS薄膜的制备及其光电性能研究被引量：3
- 2014年
- 结合化学水浴法和真空电子束热蒸发法在玻璃衬底上制备了含有不同厚度Pr掺杂层的CdS多晶薄膜,并对薄膜的结构、表面形貌和光电特性进行了研究。结果表明,未掺杂的CdS薄膜为沿[111]晶向择优生长的立方相闪锌矿结构,导电类型为N型。Pr掺杂并未改变CdS薄膜的物相结构和择优取向,但衍射峰强度增加;掺Pr后CdS薄膜的晶粒尺寸增大,致密性提高,并且薄膜在可见光范围内的透过率增加,光学带隙变大。同时还发现CdS中掺Pr后影响了薄膜的电学性能,掺杂浓度较低时CdS薄膜电阻率增大,掺杂浓度较高时薄膜的电阻率降低并且导电类型由N型转变为P型。
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- 关键词：CDS薄膜光学特性
- La掺杂对CdS薄膜性能的影响被引量：9
- 2013年
- 采用化学水浴法在玻璃衬底上制备了纯CdS薄膜和稀土La掺杂的CdS薄膜,在氮气气氛中对薄膜进行热处理。结果表明,未掺杂样品为立方闪锌矿CdS,La掺杂后衍射强峰仍为立方闪锌矿(111)晶向,但出现了微弱的六方纤锌矿结构,而且增强了短波光和近红外光的透过率,禁带宽度明显减小,同时La的掺入促进S元素百分含量的增加,使Cd/S更接近化学计量比。
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- 关键词：CDS薄膜光学特性
- 真空蒸发制备Sb掺杂CdTe薄膜被引量：2
- 2013年
- 采用真空蒸发技术在玻璃衬底上制备了Sb掺杂的CdTe薄膜,薄膜为沿(111)晶向择优生长的立方闪锌矿结构的CdTe,结果表明Sb掺杂使得薄膜表面更加均匀致密,改善了薄膜的结晶状况,增大了薄膜的光吸收范围,同时也使薄膜的带隙宽度有所减小,大大降低了薄膜的电阻率。
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- 关键词：CDTE薄膜性能研究
- 稀土元素(Gd,Y)掺杂CdS薄膜的制备及其性能研究
- 2015年
- 采用化学水浴法两次沉积CdS,结合电子束真空蒸发法在两层CdS之间引入稀土层,制备含有不同厚度稀土Gd、Y掺杂层的CdS多晶薄膜。利用XRD、SEM、EDX、UV-VIS透射光谱和霍尔效应测试仪对薄膜的晶型、表面形貌、化学组成、光学及电学性能进行研究。结果表明:未掺杂的薄膜为沿(111)晶面择优生长的立方相闪锌矿结构,导电类型为n型。含有稀土Gd(Y)掺杂层的CdS多晶薄膜为立方相和六方相的混合结构,导电类型仍为n型,薄膜的均匀性和致密性得到改善,薄膜中Cd和S的原子比更接近CdS的化学计量比,稀土掺杂可提高CdS薄膜在可见光范围内的透过率,使薄膜载流子浓度增大、导电性能明显增强。
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- 关键词：CDS薄膜稀土掺杂光学特性
- Dy掺杂的CdS薄膜的制备及性能分析
- 2012年
- 采用化学水浴法在玻璃衬底上制备纯的和稀土Dy掺杂的CdS薄膜，并在N：气氛中，对以上制备的薄膜进行T=350℃、t=40min的热处理。实验结果表明，水浴温度在70℃-80℃间制备的CdS薄膜，表面致密、光滑，膜的质量最好，且为沿[111]晶向择优生长的立方闪锌矿结构。掺Dy虽未改变CdS薄膜的晶体结构，但改善了薄膜的表面形貌，使得薄膜的致密性增强、颗粒大小匀称，同时Dy的掺入增大了CdS薄膜在可见光范围内的透光率。
- 田磊李蓉萍冯松安晓晖任愿夏中秋
- 关键词：CDS薄膜
- 真空蒸发制备Sb掺杂CdTe薄膜及其特性研究
- 采用真空蒸发法在玻璃衬底上制备纯的和金属Sb掺杂的CdTe薄膜,在氩气的保护下对薄膜进行不同条件的热处理。并采用X射线衍射仪、原子力显微镜、扫描电子显微镜、光电子能谱仪、紫外可见分光光度计和霍尔效应测试仪对薄膜的晶体结构...
- 冯松
- 关键词：CDTE薄膜
- 文献传递
- Sb掺杂ZnTe薄膜结构及其光电性能被引量：2
- 2015年
- 采用真空蒸发工艺在玻璃衬底上制备了ZnTe和掺Sb-ZnTe多晶薄膜,并在氮气气氛中对薄膜进行热处理。分别利用XRD、SEM、紫外-可见分光光度计、霍尔效应测试仪对薄膜的晶体结构、表面形貌、元素组成以及光学、电学性能进行表征,研究Sb掺杂量和热处理对薄膜性能的影响。结果表明:未掺杂薄膜为沿(111)晶面择优生长的立方相闪锌矿结构,导电类型为P型。Sb掺杂并未改变ZnTe薄膜晶体结构和导电类型,但衍射峰强度降低;Sb含量直接影响着Sb在ZnTe中的存在形式,掺Sb后抑制了薄膜中Te和Zn的结合,使薄膜中Te的含量增加;室温下薄膜的光学透过率和光学带隙取决于掺Sb浓度和退火温度,并且掺Sb后ZnTe薄膜的载流子浓度显著增加,导电能力明显增强。
- 邹凯李蓉萍刘永生田磊冯松
- 关键词：光学性能电学性能
