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刘昕彦

作品数：10 被引量：0H指数：0
供职机构：复旦大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 9篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 9篇电路
  • 7篇集成电路
  • 6篇电路芯片
  • 6篇芯片
  • 6篇集成电路芯片
  • 6篇二极管
  • 5篇半导体
  • 4篇晶体管
  • 4篇半导体器件
  • 3篇阵列
  • 3篇开关速度
  • 3篇发光
  • 3篇发光二极管
  • 3篇场效应
  • 3篇场效应晶体管
  • 2篇电离
  • 2篇读出电路
  • 2篇锗化硅
  • 2篇图像
  • 2篇图像传感器

机构

  • 10篇复旦大学

作者

  • 10篇张卫
  • 10篇刘昕彦
  • 10篇王鹏飞
  • 5篇臧松干
  • 2篇孙清清
  • 2篇林曦
  • 1篇丁士进

传媒

  • 1篇微电子学

年份

  • 1篇2015
  • 1篇2013
  • 3篇2012
  • 3篇2011
  • 2篇2010
共 10 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种新型高速嵌入式动态随机存储器
2012年
基于二维器件模拟工具,研究了一种采用栅控二极管作为写操作单元的新型平面无电容动态随机存储器。该器件由一个n型浮栅MOSFET和一个栅控二极管组成。MOSFET的p型掺杂多晶硅浮栅作为栅控二极管的p型掺杂区,同时也是电荷存储单元。写"0"操作通过正向偏置二极管实现,而写"1"操作通过反向偏置二极管,同时在控制栅上加负电压使栅控二极管工作为隧穿场效应晶体管(Tunneling FET)来实现。由于正向偏置二极管和隧穿晶体管开启时接近1μA/μm的电流密度,实现了高速写操作过程,而且该器件的制造工艺与闪烁存储器和逻辑器件的制造兼容,因此适合在片上系统(SOC)中作为嵌入式动态随机存储器使用。
臧松干王鹏飞林曦刘昕彦丁士进张卫
关键词：栅控二极管
近红外-可见光可调图像传感器及其制造方法
本发明属于半导体感光器件技术领域，具体涉及一种近红外-可见光可调图像传感器。本发明将硅基光电二极管与锗化硅基光电二极管集成在同一芯片上，通过增加一个传递晶体管，实现硅基光电二极管与锗化硅基光电二极管在不同时刻被同一读出电...
王鹏飞刘昕彦孙清清张卫
文献传递
凹陷沟道型PNPN场效应晶体管的集成电路及其制造方法
本发明属于集成电路技术领域，具体公开了一种半导体集成电路。该半导体集成电路包括一个栅控PNPN晶体管和一个MOS晶体管。所述集成电路中的栅控PNPN晶体管和MOS晶体管均采用凹陷型沟道结构，可在提高驱动电流的同时抑制漏电...
臧松干刘昕彦王鹏飞张卫
文献传递
凹陷沟道的碰撞电离型场效应晶体管及其制造方法
本发明属于功率半导体器件技术领域，具体为一种凹陷沟道的碰撞电离型场效应晶体管及其制造方法。包括一个半导体衬底，位于衬底底部的具有第一种掺杂类型的漏区，位于衬底内的凹槽结构，覆盖在凹槽内的栅极，位于栅极与半导体衬底之间的栅...
臧松干刘昕彦王鹏飞张卫
文献传递
凹陷沟道的碰撞电离型场效应晶体管及其制造方法
本发明属于功率半导体器件技术领域，具体为一种凹陷沟道的碰撞电离型场效应晶体管及其制造方法。包括一个半导体衬底，位于衬底底部的具有第一种掺杂类型的漏区，位于衬底内的凹槽结构，覆盖在凹槽内的栅极，位于栅极与半导体衬底之间的栅...
臧松干刘昕彦王鹏飞张卫
一种硅基MOS管控制发光二极管的器件、阵列及制造方法
本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种使用硅基MOS管控制发光二极管的半导体器件、阵列及制备方法。本半导体器件包括至少两个半导体衬底、位于所述半导体衬底之上形成的一个硅基MOS晶体管和一个发光二极管。本发明将发光二极管...
刘昕彦王鹏飞张卫
文献传递
近红外-可见光可调图像传感器
本发明属于半导体感光器件技术领域，具体涉及一种近红外-可见光可调图像传感器。本发明将硅基光电二极管与锗化硅基光电二极管集成在同一芯片上，通过增加一个传递晶体管，实现硅基光电二极管与锗化硅基光电二极管在不同时刻被同一读出电...
王鹏飞刘昕彦孙清清张卫
文献传递
一种硅基MOS管控制发光二极管的器件、阵列及制造方法
本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种使用硅基MOS管控制发光二极管的半导体器件、阵列及制备方法。本半导体器件包括至少两个半导体衬底、位于所述半导体衬底之上形成的一个硅基MOS晶体管和一个发光二极管。本发明将发光二极管...
刘昕彦王鹏飞张卫
一种亮度可调的发光器件、阵列及其制造方法
本发明属于半导体器件技术领域，具体公开了一种亮度可调的发光器件、阵列及其制造方法。所述发光器件包括包括一个半导体衬底、位于所述半导体衬底之上的MOSFET和发光二极管。发光二极管（LED）及其控制元件（MOSFET）集成...
王鹏飞林曦刘昕彦张卫
文献传递
一种鳍型隧穿晶体管集成电路及其制造方法
本发明属于半导体集成电路制造技术领域，具体为一种鳍型隧穿晶体管集成电路及其制备方法。在基于绝缘体上的硅衬底的基础上，在隧穿晶体管中采用鳍型栅结构，并且采用高k介质作为栅介质，采用低k介质作为边墙材料。本发明所提出的鳍型隧...
臧松干刘昕彦王鹏飞张卫
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