叶葱
- 作品数：14 被引量：14H指数：3
- 供职机构：湖北大学物理与电子科学学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金湖北省自然科学基金更多>>
- 相关领域：自动化与计算机技术理学电子电信一般工业技术更多>>
- TiO_2纳米管阵列膜的制备、机理与光电性能
- 2015年
- 采用两步阳极氧化法,在金属Ti箔片表面制备出了高度有序的Ti O_2纳米管阵列膜,分析了制备出的纳米管的表面形貌与晶向结构,并阐述了其生长机理;同时,将获得的Ti O_2纳米管阵列薄膜与染料、电解液、Pt/FTO对电极组装成染料敏化太阳能电池(dye sensitized solar cells,DSSCs),并探究其光电转化性能。实验表明,氧化时间为24 h条件下获得的纳米管组装成DSSCs的光电转换效率为4.9%。进一步的,通过采用Ti Cl_4溶液对纳米管进行表面修饰,组装DSSCs的光电性能提升至8.7%,更有利于实现DSSCs的工业化应用。
- 赵春宁程义何品贾梅秀张军叶葱
- 关键词：TIO2纳米管阵列
- 高介电常数氧化铪材料在双极型阻变式存储器中的应用研究
- 论文主要研究氧化铅材料应用于双极型存储器中存在的问题，即如何在确保读写速度、可擦写次数、数据保存时间等存储性能同时，获得“低功耗”的存储器件单元，从而满足CMOS集成电路高密度存储的发展需求。
- 詹超叶葱张洁琼邓腾飞
- 关键词：高介电常数电学性能
- 文献传递
- 一步法热分解制备染料敏化太阳能电池Pt对电极被引量：2
- 2015年
- 用旋涂热分解前驱H2PtCl6·6H2O溶液制备Pt/FTO对电极,研究了旋涂退火次数对Pt/FTO对电极的载铂量、透光率和组装的染料敏化太阳能电池光电性能的影响。结果表明,用5次旋涂退火的对电极组装的电池具有最佳的能量转换效率(6.78%),高于用传统的磁控溅射对电极组装的电池。基于在最佳光电性能情况下对电极的旋涂次数和载Pt量,进一步优化H2PtCl6?6H2O前驱液的浓度和使用体积。采用一步滴涂退火处理,得到了具有高透光性、低载Pt量和高的组装电池效率的Pt/FTO对电极。用此一步法制备的Pt/FTO对电极,组装成的电池能量转换效率达到6.92%。
- 李思倩黄杰谢剑张军叶葱王浩
- 关键词：材料合成与加工工艺TIO2纳米管阵列染料敏化太阳能电池热分解光电性能
- 二元氧化物忆阻存储器件的掺杂效应及结构优化
- 二元氧化物忆阻存储器件在非易失性存储器应用中具有广阔的发展前景,通过材料改性和结构优化等多方面来进一步提升阻变存储器的各项性能是目前的研究热点。我们研究了以稀土元素Gd作电极的Gd/Gd：SiO2/TiN器件,结果表明与...
- 叶葱夏晴张儒林张立
- 基于阈值电压的忆阻器模型研究被引量：3
- 2018年
- 为了使忆阻器模型更加接近实际器件,提高其电学特性仿真的准确性。文章在惠普实验室提出的忆阻器物理模型的基础上,在Matlab中对忆阻器进行建模,并对忆阻器的模型根据实际器件具有的电压阈值特性进行了改进,仿真结果表明基于改进电压阈值的模型所呈现的电学特性更加准确地反映了忆阻器的输入输出特性。
- 臧新风沈谅平王浩马国坤叶葱
- 关键词：MATLAB阈值
- 氧化锆基阻变存储器中金掺杂效应的第一性原理研究
- 2018年
- 氧空位在过渡金属氧化物阻变存储器的电阻转变中有重要作用.采用第一性原理计算方法,研究Au掺杂前后阻变层材料ZrO_2的能带结构、态密度、氧空位的形成能和迁移势垒能来分析氧化锆基阻变存储器中的Au掺杂效应.研究发现,Au掺杂后ZrO_2费米能级处出现了局域化杂质带且禁带宽度减小,由此提升了ZrO_2的导电能力;Au掺杂后氧空位形成能及迁移势垒能显著降低,从而有利于氧空位的形成和迁移,进而降低ZrO_2基阻变存储器的形成(forming)电压与置位(set)电压.我们利用电子局域函数模拟ZrO_2超晶胞[001]方向包含掺杂元素Au的氧空位列,结果表明局域在杂质周围的氧空位在[001]方向形成有序导电通道.
- 韦晓迪魏巍马国坤叶葱周昊何品何品沈谅平
- 关键词：ZRO2第一性原理氧空位
- 脉冲激光沉积制备的HfO2电学性能及其漏电流机制研究
- 利用室温、原位200℃下脉冲激光沉积结合后快速退火的方法在p型Si衬底上制备了HfO2薄膜及HfO2栅介质MOS电容,研究了后热处理及原位加温对HfO2介电特性和漏电流的影响,并通过J-E电学特性测试对HfO2栅介质的漏...
- 朱建华王毅叶葱叶芸王浩
- 关键词：脉冲激光沉积HFO2薄膜
- 文献传递
- 脉冲激光沉积制备的HfO2电学性能及其漏电流机制研究
- 利用室温、原位200℃下脉冲激光沉积结合后快速退火的方法在p型Si衬底上制备了HfO2薄膜及HfO2栅介质MOS电容,研究了后热处理及原位加温对HfO2介电特性和漏电流的影响,并通过J-E电学特性测试对HfO2栅介质的漏...
- 朱建华王毅叶葱叶芸王浩
- 关键词：脉冲激光沉积HFO2薄膜快速退火介电性能
- 文献传递
- Cu衬底上ZnO纳米结构及其光催化性能
- 段金霞叶葱张军王浩
- 文献传递
- 基于忆阻器实现多样化STDP学习规则的突触电路设计被引量：3
- 2021年
- 忆阻器作为一种具有记忆效应的非线性电路元件,它受到电流刺激后的电导变化与人脑中神经突触的权重变化类似,可用于模拟人脑学习、记忆过程中的突触行为.本文提出了一种基于忆阻器所搭建的突触电路,包含了由运放、逻辑门、模拟开关等器件构成的增强模块和抑制模块,以及由忆阻器和模拟开关构成的忆阻突触模块.通过对增强和抑制模块输入直流脉冲对来模拟生物突触受到前后神经元的刺激.通过调节前后脉冲输入信号的时间差,发现输入信号间隔越短,忆阻器电导幅值变化越大,这与生物突触的STDP (spike-time-dependent-plasticity)学习曲线变化一致;为了实现突触模拟的多样性,本文进一步地构建了忆阻突触模块的四种替换电路,每种替换电路可对应模拟不同的学习规则.由此,完成了生物突触多样化STDP学习规则的模拟,解决了突触电路研究中模拟种类单一、输入条件苛刻等问题,有望运用于未来神经形态芯片的研制中.
- 张鑫夏天叶葱刘炎欣刘磊沈谅平
