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屠海令

作品数：203 被引量：298H指数：10
供职机构：国家工程研究中心更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金国家科技重大专项更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术理学电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 82篇专利
  • 79篇期刊文章
  • 36篇会议论文
  • 6篇科技成果

领域

  • 67篇电子电信
  • 17篇一般工业技术
  • 16篇理学
  • 7篇经济管理
  • 7篇金属学及工艺
  • 7篇电气工程
  • 5篇自动化与计算...
  • 3篇化学工程
  • 2篇文化科学
  • 1篇天文地球
  • 1篇矿业工程

主题

  • 65篇单晶
  • 28篇半导体
  • 27篇晶体
  • 23篇硅单晶
  • 21篇硅
  • 20篇存储器
  • 17篇电路
  • 17篇集成电路
  • 15篇衬底
  • 14篇底电极
  • 14篇砷化镓
  • 14篇激光
  • 13篇电池
  • 13篇半导体材料
  • 12篇硅片
  • 11篇单晶硅
  • 11篇直拉硅
  • 11篇直拉硅单晶
  • 10篇电极
  • 10篇石墨

机构

  • 194篇北京有色金属...
  • 5篇有色金属研究...
  • 4篇国家工程研究...
  • 3篇北京理工大学
  • 2篇清华大学
  • 2篇中国科学院
  • 2篇中国科学院微...
  • 2篇中国航天
  • 1篇贵州大学
  • 1篇北京航空航天...
  • 1篇中国航天科技...
  • 1篇有色金属技术...
  • 1篇天津和平海湾...
  • 1篇科技公司
  • 1篇有研科技集团...

作者

  • 203篇屠海令
  • 44篇杜军
  • 31篇魏峰
  • 31篇赵鸿滨
  • 15篇王敬
  • 15篇周旗钢
  • 15篇肖清华
  • 14篇郑安生
  • 13篇杨志民
  • 12篇张峰燚
  • 12篇马通达
  • 12篇刘安生
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  • 9篇王磊
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  • 8篇黎建明
  • 8篇朱悟新
  • 8篇胡广勇

传媒

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  • 3篇中国有色金属...
  • 2篇科技导报
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  • 2篇中国有色金属...
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年份

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  • 13篇2010
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  • 5篇2007
  • 11篇2006
  • 15篇2005
  • 14篇2004
  • 25篇2003
  • 9篇2002
  • 10篇2001
共 203 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种抗电磁干扰的阻变存储器及其制备方法
本发明公开了属于微电子技术领域的一种抗电磁干扰的阻变存储器及其制备方法。所述阻变存储器为三明治结构，由三层薄膜构成，包括底电极层、阻变功能层和顶电极层，所述底电极和顶电极层是电磁屏蔽材料Ti<Sub>3</Sub>C<S...
赵鸿滨屠海令魏峰杨志民张国成
半导体集成电路用金属硅化物的制备与检测评价被引量：10
2009年
金属硅化物广泛用于微电子器件中的源、漏、栅极与金属电极间的接触,是制备纳米集成电路的关键材料之一。本文叙述了半导体集成电路用功能金属硅化物的相组成、界面反应和形成机制以及热蒸发、离子注入、溅射沉积、分子束外延等多种制备技术。比较了TiSi2,Co-Si2,NiSi的材料性质及其对不同技术节点集成电路性能的影响。分析了退火温度与NiSi晶体结构和晶格常数间的关系。阐述了稀土金属硅化物的生长工艺和与硅衬底间势垒及界面特性。讨论了上述金属硅化物的性能评价与缺陷,热稳定性的检测方法。分析认为,探索32 nm及以下技术节点极大规模半导体集成电路用新型金属硅化物已成为今后研究的主攻方向。
屠海令王磊杜军
关键词：金属硅化物硅技术
MLEC锑化镓单晶性能研究被引量：2
1996年
首次报道了在水平磁场中采用ＬＥＣ工艺（ＭＬＥＣ）生长锑化镓单晶，磁场强度为０．０５～０．３２Ｔ（坩埚中心处），且连续可调，所用覆盖剂为等摩尔比的ＮａＣｌ＋ＫＣｌ混合物，覆盖厚度２～５ｍｍ，拉速０．３～１．５ｃｍ／ｈ。生长方向〈１００〉；对ＭＬＥＣ和ＬＥＣ样品进行质谱分析，研究磁场强度与晶体性能的关系，在非掺杂ＭＬＥＣ样品的ＰＬ谱中观察到明显的自由激子峰。这些结果表明，ＭＬＥＣ样品中电学参数的纵向分布比ＬＥＣ晶体更均匀；ＭＬＥＣ样品中（重掺碲）７７Ｋ电子迁移率高于ＬＥＣ晶体；
邓志杰郑安生屠海令武希康
关键词：锑化镓单晶磁场
一种单晶高K栅介质材料及其制备方法
本发明涉及一种单晶高K栅介质材料及其制备方法。本发明的单晶高K栅介质材料由单晶P型Si基片和在它上面沉积的氧化铪的单晶薄膜组成。本发明采用传统的陶瓷烧结技术制备高纯度的氧化铪靶材，以单晶P型Si片作为基片，在基片上使用激...
屠海令张心强杜军
文献传递
InP阻变存储材料的制备方法和应用
本发明公开了一种InP阻变存储材料的制备方法和应用，属于微电子制造技术领域。所述制备方法包括以下步骤：1)将单晶InP片作为靶材装入脉冲激光设备腔体内；2)将表面沉积有电极的基片装入脉冲激光设备腔体内；3)将脉冲激光设备...
赵鸿滨屠海令魏峰杨志民张国成
一种黑磷烯薄膜存储器及其制备方法
本发明涉及一种黑磷烯薄膜存储器及其制备方法。黑磷烯薄膜存储器的制备方法包括如下步骤：(1)清洗衬底；(2)在衬底上形成底电极；(3)在底电极上形成黑磷烯薄膜层；(4)通过构图工艺在黑磷烯薄膜层上形成顶电极的图形；(5)在...
赵鸿滨屠海令张国成魏峰杨志民姚俊奇
文献传递
纳米集成电路用硅及硅基材料的研究进展
综合评述了300mm硅片在晶体生长、杂质行为、缺陷控制、表面质量等方面的研究现状和硅基材料的开发进展情况,指出应变硅与绝缘体上硅(SOI)相结合是今后发展的一个趋势,而纳米集成电路用硅及硅基材料将是微电子产业蓬勃发展的基...
屠海令
关键词：纳米集成电路单晶硅硅基材料半导体材料
文献传递
一种应用于垂直温度梯度法或垂直布里奇曼法生长砷化镓单晶生长的原料腐蚀设备系统
本发明涉及一种应用于VGF/VB法GaAs单晶生长的原料腐蚀设备系统，其特征在于：它包括：纯水洗涤用槽及电阻加热设备；带排风系统的工作台；腐蚀原料盒，盒内置有固定装置，固定装置上置有原料移动手柄；以及烘干炉，所述的固定装...
屠海令苏小平张峰燚王思爱杨海王铁艳黎建明
文献传递
2-3微米IC用φ125毫米(5in)硅单晶(片)
屠海令张椿尤重远周旗钢常青冯仪朱悟新等
1.成果内容简介：集成电路作为战略性的基础工业，其技术水平和产业规模，已成为衡量一个国家经济发展、科技进步和国防实力的主要标志。半导硅体材料是集成电路等电子产品的最重要、最基础的功能材料。中国生产的硅单晶及片的直径主要为...
关键词：
关键词：晶体生长集成电路材料单晶硅单晶
一种提高直拉硅单晶棒中氧含量的方法
本发明涉及一种生产单晶硅棒时，提高掺杂氧的方法及装置。为一种提高直拉硅单晶棒中氧含量的方法及增氧器。可用于增加直拉法硅单晶中的氧含量。本方法是用石英制的增氧器置于石英坩埚的底部，在增氧器上加入多晶硅，在加热熔化多晶硅时，...
屠海令周旗钢张果虎戴小林吴志强方锋
文献传递
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