您的位置： 专家智库 > >

张帅

作品数：10 被引量：21H指数：3
供职机构：上海大学材料科学与工程学院更多>>
发文基金：国家重点实验室开放基金浙江省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：一般工业技术电子电信理学电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 10篇中文期刊文章

领域

  • 4篇一般工业技术
  • 3篇电子电信
  • 2篇电气工程
  • 2篇理学
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 3篇光电转换
  • 2篇电池
  • 2篇性能研究
  • 2篇太阳电池
  • 2篇光电
  • 2篇场发射
  • 1篇电化学
  • 1篇电化学池
  • 1篇电阻
  • 1篇多晶
  • 1篇多晶硅
  • 1篇多晶硅太阳电...
  • 1篇形貌
  • 1篇形貌控制
  • 1篇掩模
  • 1篇诱捕
  • 1篇载流子
  • 1篇载流子寿命
  • 1篇三元系
  • 1篇三元系相图

机构

  • 5篇湛江师范学院
  • 4篇湖州师范学院
  • 3篇浙江大学
  • 2篇上海大学
  • 1篇中国科学院长...
  • 1篇中国人民解放...
  • 1篇浙江贝盛光伏...

作者

  • 10篇张帅
  • 9篇吕文辉
  • 1篇金亿鑫
  • 1篇杨伟光
  • 1篇黄璐
  • 1篇刘贵昂
  • 1篇史伟民
  • 1篇薛书文
  • 1篇刘进
  • 1篇宋航
  • 1篇张军
  • 1篇鲁晓刚
  • 1篇邵乐喜

传媒

  • 2篇湖州师范学院...
  • 1篇光电子．激光
  • 1篇物理学报
  • 1篇上海金属
  • 1篇液晶与显示
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇半导体光电
  • 1篇上海大学学报...
  • 1篇真空科学与技...

年份

  • 1篇2023
  • 1篇2020
  • 1篇2019
  • 1篇2016
  • 1篇2014
  • 1篇2012
  • 3篇2011
  • 1篇2009
共 10 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
薄层晶体硅双面陷光结构的制备及其性能研究被引量：1
2019年
采用金属辅助硅化学刻蚀法,在薄层晶体硅片前后表面分别制备硅纳米陷光结构,并表征其增强薄层晶体硅对太阳光子吸收的性能.对比研究无表面织构、双面金字塔织构、双面硅纳米织构的薄层晶体硅的漫反射光谱与透射光谱,结果表明,双面硅纳米织构的薄层晶体硅具有卓越的光吸收性能,～70μm厚度的薄层晶体硅片能够吸收93.4%的AM1.5G太阳光子.该研究结果为解决晶硅太阳电池中的光学损失问题提供了一种可供选择的陷光结构.
戴恩琦张帅吕文辉
关键词：表面织构
接触电阻对碳纳米管场发射的影响被引量：3
2012年
基于改进的悬浮球模型。计算了碳纳米管和衬底间的接触电阻存在时碳纳米管顶端的局域电场,并结合FowlerNordhenim(F-N)场发射规律研究了接触电阻对碳纳米管场发射的影响.研究表明,接触电阻的存在,在高电场区域接触电阻抑制了碳纳米管的电子场发射,导致在高电场区域出现电流饱和及FN直线偏折现象.其原因可归结为接触电阻使得在碳纳米管顶端的局域电场相对于没有接触电阻时相对地减少.
吕文辉张帅
关键词：碳纳米管场发射接触电阻
载流子寿命对n型背结晶硅太阳能电池性能的影响
2020年
基于OPAL和PC1D仿真计算,研究n型背结晶硅太阳能电池中晶体硅原料的载流子寿命对其性能的影响,结果表明:随着n型晶体硅原料的载流子寿命增加,电池的短路电流、开路电压及光电转换效率逐渐增大,最终趋于饱和.结合n型背结晶硅太阳能电池的量子效率响应的仿真结果和光电转换过程,可知其物理机制是新型结构电池中光生载流子扩散输运路径长,载流子扩散输运中的复合损失不同.该研究结果可为获得高效率n型背结晶硅太阳能电池选取合适载流子寿命的n型晶体硅原料提供理论指导.
马菁菁卢正正张帅吕文辉
关键词：光电转换载流子寿命
无掩模选择性制备硅纳米线阵列及其光致发光被引量：1
2014年
基于金属辅助硅化学刻蚀发展了一种无掩模选择性区域制备硅纳米线阵列的方法,并利用该方法成功制备了图形化的硅纳米线阵列.扫描电子显微镜(scanning electron microscope,SEM)分析表明,所制备的硅纳米线阵列是高质量的多孔微纳米结构,并利用拉曼光谱仪研究了室温下硅纳米线阵列的光致发光特性.结果表明,硅纳米线阵列可实现有效的光发射,发光波峰为663 nm.该方法工艺简单、有效,可潜在地应用于构筑硅基光电集成器件.
张帅吕文辉史伟民黄璐杨伟光刘进匡华慧明秀春沈心蔚
关键词：光致发光
多晶硅太阳电池背表面刻蚀提升其性能的产线工艺研究被引量：4
2016年
对比研究了产线上多晶硅太阳电池背表面刻蚀对其光电转换性能的影响。示范性实验结果表明:多晶硅太阳电池背表面刻蚀能够改善其短路电流,从而相应的光电转换效率提升了约0.1%。依据多晶硅太阳电池背表面刻蚀前后的扫描电镜(SEM)形貌、背表面漫反射光谱及完整电池片外量子效率的测试结果,改进的光电转换的原因可能源于背表面刻蚀"镜面"化有利于太阳光子在背表面内反射和改进印刷Al浆与背表面覆盖接触。背表面刻蚀与当前晶硅电池产线工艺兼容,能够提升电池片的光电转换效率,是一种可供选择的产线升级工艺。
吕文辉陆波龚熠何一峰张帅
关键词：多晶硅太阳电池光电转换效率
图形化硅纳米线阵列场发射阴极的制备及其场发射性能被引量：3
2011年
结合光刻工艺和金属援助硅化学刻蚀法成功地制备了图形化的硅纳米线阵列场发射阴极,研究了其场发射性能。扫描电子显微镜照片显示,嵌入在硅衬底的硅纳米线阵列为垂直取向,形成图形化。场发射测试与分析表明,该阴极能够有效实现场电子发射,并且有利于获得图形化、低发散角的电子束。本研究提供了一种在硅基底上简单、有效地选域制备图形化硅纳米线阵列场发射阴极的途径,可潜在用于构筑各种真空微电子器件。
吕文辉张帅
关键词：场发射
模拟研究常闭和常开工作模式下的平面栅极型碳纳米管场发射电子源被引量：1
2009年
采用数值模拟的方法对比性地研究了常闭和常开工作模式下平面栅极型碳纳米管场发射电子源。静电场的数值计算结果显示:常闭工作模式下该电子源中阴极电极的表面电场分布不均匀,边缘处的高电场易导致其上的碳纳米管烧毁,从而引起场发射电流衰减。为了解决此问题,提出将常开工作模式用于该电子源,并证实常开工作模式能够用于该电子源,并有利于解决电流衰减问题。因此,相对于常闭工作模式,常开工作模式更适合平面栅极型碳纳米管场发射电子源。
吕文辉张帅邵乐喜刘贵昂薛书文张军宋航金亿鑫
关键词：数值模拟
金属援助硅化学刻蚀法可控制备硅纳米线阵列被引量：6
2011年
基于金属援助硅化学刻蚀机理,成功地发展了一种形貌可控地制备硅纳米线阵列的有效方法。在该方法中,通过银纳米颗粒催化层的微结构和硅化学刻蚀的时间来调控硅纳米线阵列的形貌。扫描电子显微镜(SEM)形貌表征的实验结果证实:硅纳米线阵列的孔隙率依赖银纳米颗粒催化层的微结构,硅纳米线阵列的高度依赖于硅的刻蚀时间。这种形貌可控地制备单晶硅纳米线阵列的方法简单、有效,可用于构筑硅纳米线光伏电池等各种硅基纳米电子器件。
吕文辉张帅
关键词：形貌控制
Ni-Cr-Re三元系相图的试验测定和优化计算
2023年
采用平衡合金法制备了Ni-Cr-Re三元系合金试样,并用能谱仪测定了1373和1473 K的平衡相成分。结合前人的试验结果,运用CALPHAD方法,基于相平衡数据和第一性原理计算结果,优化了Ni-Cr-Re三元系1373、1425、1473和1573 K 4个等温截面,建立了合理自洽的Ni-Cr-Re三元系热力学数据库。
张帅石建宾鲁晓刚
关键词：CALPHAD
硅纳米线阵列光阳极的制备及其光电转换性能研究被引量：2
2011年
结合光刻和金属援助硅化学刻蚀法成功地制备出了用于光伏型光电化学池的图形化硅纳米线阵列光阳极,并表征和研究了其光电转换性能。扫描电子显微镜和漫反射光谱测试表明光阳极表面为多孔状,在300nm-1000nm的光谱范围之内光反射率低于5%。基于该光阳极的光电化学池具有明显的光响应,光电转换效率为0.33%。通过光电转换过程分析,光生载流子在硅纳米线/电解液界面上的复合可能是导致较低光转换效率的主要原因。
吕文辉张帅
关键词：光电转换
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0