2024年12月26日
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徐伟
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11
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供职机构:
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
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相关领域:
电子电信
自动化与计算机技术
化学工程
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合作作者
隋妍萍
中国科学院上海微系统与信息技术...
于广辉
中国科学院上海微系统与信息技术...
张燕辉
中国科学院上海微系统与信息技术...
王斌
中国科学院上海微系统与信息技术...
陈志蓥
中国科学院上海微系统与信息技术...
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一种用于GaN单晶衬底的表面抛光方法
本发明提供一种用于氮化镓单晶衬底的电化学机械抛光的方法,包括:将氮化镓晶体和抛光盘分别作为阳极和阴极,针对GaN晶体的机械研磨和在电解液的中电化学机械抛光。本发明可在GaN晶体的表面获得表面粗糙度均方根小于0.5nm的平...
王斌
于广辉
赵智德
徐伟
隋妍萍
文献传递
一种提高金属电极与石墨烯欧姆接触的方法
本发明涉及一种提高金属电极与石墨烯欧姆接触的方法,包括:(1)将CVD方法生长的带有金属衬底的石墨烯浸到金属离子溶液中进行修饰,静置后取出并吹干;(2)将修饰好的带有金属衬底的石墨烯采用湿法转移工艺转移到绝缘衬底上;(3...
陈志蓥
于广辉
张燕辉
隋妍萍
张浩然
张亚欠
葛晓明
徐伟
文献传递
一种目标定位方法、装置、系统、设备及存储介质
本申请涉及计算机视觉技术领域,尤其涉及一种目标定位方法、装置、系统、设备及存储介质,包括:通过仿生复眼上获取第一图像集合;根据所述第一图像集合确定定位子眼集合;在所述定位子眼集合确定出至少一对双目定位子眼;获取所述双目定...
谷宇章
袁泽强
邱守猛
徐伟
张晓林
文献传递
一种通过高温高压提高石墨烯表面洁净度的方法
本发明涉及一种通过高温高压提高石墨烯表面洁净度的方法,包括:将转移完毕的有机胶、石墨烯和目标衬底的结合体放入装有除胶溶剂的密闭容器中于150kPa-2000kPa、50-500℃下加热,即得除完有机胶的石墨烯。本发明通过...
陈志蓥
于广辉
张燕辉
隋妍萍
张浩然
张亚欠
葛晓明
徐伟
文献传递
一种目标定位方法、装置、系统、设备及存储介质
本申请涉及计算机视觉技术领域,尤其涉及一种目标定位方法、装置、系统、设备及存储介质,包括:通过仿生复眼上获取第一图像集合;根据所述第一图像集合确定定位子眼集合;在所述定位子眼集合确定出至少一对双目定位子眼;获取所述双目定...
谷宇章
袁泽强
邱守猛
徐伟
张晓林
一种用于HVPE生长GaN单晶的复合籽晶模板及方法
本发明提供一种用于HVPE生长氮化镓单晶的复合掩膜籽晶模板及方法,包括复合掩膜的结构、复合掩膜窗口区的刻蚀工艺。其特征在于所述的复合掩膜由双层材料沉积而成,外层掩膜起到确保窗口形状和隔离GaN外延层的作用,内层掩膜起到保...
王斌
于广辉
赵智德
徐伟
隋妍萍
张燕辉
一种GaN单晶自支撑衬底的制备方法
本发明涉及一种氮化镓单晶自支撑衬底的制备方法,所述的方法包括应力释放的GaN籽晶模板制备和背部刻蚀剥离蓝宝石的方法。所述的应力释放的GaN籽晶模板是在蓝宝石上生长GaN籽晶,通过控制GaN籽晶的厚度和降温的条件,实现控制...
王斌
于广辉
赵志德
徐伟
张燕辉
陈志蓥
隋妍萍
文献传递
N扩散对熔液法生长GaN晶体外延速率的影响
2013年
使用钠熔液液相外延在GaN/蓝宝石衬底上生长出GaN晶体;研究晶体生长速度与生长压力的关系,使用DCXRD对样品进行表征,发现在氮气压力为3.8MPa,温度为800℃的条件下,外延速度较快且结晶质量较高;研究还发现GaN晶体外延层的生长速率不但与溶液中N的输运有关,还与熔液中N的浓度有关。
王斌
赵志德
隋妍萍
徐伟
于广辉
关键词:
氮化镓
液相外延
XRD
铜上CVD石墨烯的可控制备及其缺陷相关研究
<正>化学气相沉积(CVD)法在铜衬底上适于大面积单层石墨烯的制备[1]。由于CVD石墨烯的多晶性,增大单晶尺寸被认为是提高材料质量的有效途径。除晶界之外,石墨烯单晶内部的缺陷,比如由于衬底和石墨烯较大的热膨胀系数导致的...
张燕辉
陈志蓥
张浩然
葛晓明
徐伟
隋妍萍
于广辉
文献传递
一种GaN单晶自支撑衬底的制备方法
本发明涉及一种氮化镓单晶自支撑衬底的制备方法,所述的方法包括应力释放的GaN籽晶模板制备和背部刻蚀剥离蓝宝石的方法。所述的应力释放的GaN籽晶模板是在蓝宝石上生长GaN籽晶,通过控制GaN籽晶的厚度和降温的条件,实现控制...
王斌
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