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方亮: 作品数：154 被引量：362H指数：9; 供职机构：重庆大学更多>>; 发文基金：国家自然科学基金重庆市科技攻关计划重庆市自然科学基金更多>>; 相关领域：电子电信理学一般工业技术金属学及工艺更多>>

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铝合金上制备Ni-Co-P/Si3N4镀层的化学复合镀方法: 一种铝合金上制备Ni-Co-P/Si3N4镀层的化学复合镀方法，包括粉末前处理、脱脂、弱碱腐蚀、除垢、沉锌、褪锌、二次沉锌、化学镀膜；其特征是化学镀液由主盐硫酸镍6-28g/L...; 方亮胡佳李赟唐安琼殷波; 文献传递

大功率LED灯具散热用二元混合纳米导热硅脂及其制备方法: 一种大功率LED灯具散热用二元混合纳米导热硅脂及其制备方法。它是以甲基硅油作为基底，加入一定组份的高导热微米粉体或化合物粉体、纳米金属粉体作为导热填料，并使用一定的表面活性剂，经过一定的工艺流程合成的二元混合纳米导热硅脂...; 方亮钟前刚何建胡佳李赟; 文献传递

30CrMnMoTi高温锰系磷化膜形成过程研究: 对30CrMnMoTi 钢进行了高温锰系磷化处理,利用扫描电镜观察了磷化膜的形貌随磷化时间的变化过程,并对磷化机理进行了初步探讨。研究表明:磷化过程分为基体的腐蚀、磷化晶核的产生和长大、磷化膜的增厚3个阶段;磷化的初始阶...; 张文婷方亮郭培赵兴强金雷李廷先; 关键词：磷化; 文献传递

Ag-N共掺p型ZnO的第一性原理研究被引量：4: 2013年; 采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势法对Ag-N共掺杂ZnO体系以及间隙N和间隙H掺杂p型ZnO:(Ag,N)体系的缺陷形成能和离化能进行了研究.结果表明,在AgZn和NO所形成的众多受主复合体中,AgZn-NO受主对不仅具有较低的缺陷形成能同时其离化能也相对较小,因此,AgZn-NO受主对的形成是Ag-N共掺ZnO体系实现p型导电的主要原因.研究发现,当ZnO:(Ag,N)体系有额外间隙N原子存在时,AgZn-NO受主对容易与Ni形成AgZn-(N2)O施主型缺陷,该施主缺陷的形成降低了Ag-N共掺ZnO的掺杂效率因而不利于p型导电.当间隙H引入到ZnO:(Ag,N)体系时,Hi易与AgZn-NO受主对形成受主-施主-受主复合结构(AgZn-Hi-NO),此复合体的形成不仅提高了AgZn-NO受主对在ZnO中的固溶度,同时还能使其受主能级变得更浅而有利于p型导电.因此,H辅助Ag-N共掺ZnO可能是一种有效的p型掺杂手段.; 李万俊方亮秦国平阮海波孔春阳郑继卞萍徐庆吴芳; 关键词：P型ZNO 第一性原理

直流磁控溅射制备P型透明导电Ca掺杂SrCu2O2薄膜光电性能研究: 利用固相反应法制备了 Ca 掺杂 SrCuO多晶陶瓷靶(SrCaCuO),并采用直流磁控溅射法在 Si 和玻璃衬底上制备了 Ca 掺杂 SrCuO薄膜。通过 X 射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见双...; 黄秋柳方亮; 关键词：透明导电膜直流磁控溅射; 文献传递

退火温度对N^+注入Zno:Mn薄膜结构及室温铁磁性的影响: 2012年; 采用射频磁控溅射法在石英玻璃衬底上制备了ZnO:Mn薄膜,结合N^+注入获得Mn-N共掺ZnO薄膜,进而研究了退火温度对其结构及室温铁磁性的影响.结果表明,退火后ZnO:(Mn,N)薄膜中Mn^(2+)和N^(3-)均处于ZnO晶格位,没有杂质相生成.退火温度的升高有助于修复N^+注入引起的晶格损伤,同时也会让N逸出薄膜,导致受主(No)浓度降低.室温铁磁性存在于ZnO:(Mn,N)薄膜中,其强弱受No浓度的影响,铁磁性起源可采用束缚磁极化子模型进行解释.; 杨天勇孔春阳阮海波秦国平李万俊梁薇薇孟祥丹赵永红方亮崔玉亭; 关键词：离子注入晶体结构室温铁磁性

衬底温度对磁控溅射氮化铝薄膜组成的影响: 采用高纯铝靶和氮/氩混合气氛,在玻璃衬底上用直流反应磁控溅射法制备了 AlN 薄膜,用 X 射线光电子能谱(XPS)分析了不同衬底温度下样品的组成。结果表明,AlN 薄膜主要含有 AlN,存在少量 AlO及一些其它杂质;...; 张淑芳方亮付光宗董建新彭丽萍; 关键词：氮化铝薄膜磁控溅射 XPS AFM; 文献传递

一种可调节刻蚀液浓度的湿法刻蚀装置: 本发明公开了一种可调节刻蚀液浓度的湿法刻蚀装置；所述湿法刻蚀装置包括刻蚀腔、刻蚀液槽、喷淋装置、刻蚀液管理系统；所述刻蚀腔用于容纳并刻蚀基板，所述刻蚀液槽用于储存刻蚀液，所述喷淋装置用于将刻蚀液槽内的刻蚀液喷入刻蚀腔内，...; 刘丹方亮黄中浩刘毅林鸿涛吴旭张淑芳吴芳; 文献传递

氨基酸离子插层的ZnAL-LDHs薄膜的制备方法: 本发明公开了一种氨基酸离子插层的ZnAl‑LDHs薄膜的制备方法，包括以下步骤：步骤S001，对镁合金表面进行预处理；步骤S002，在氮气保护下将六水硝酸锌溶液与九水硝酸铝溶液均溶于去离子水中形成混合溶液；步骤S003，...; 方亮曾宪光吴芳胡佳唐艳宋玉涵; 文献传递

一种湿法刻蚀的水洗干燥装置: 本发明公开了一种湿法刻蚀的水洗干燥装置；所述水洗干燥装置包括水洗腔和风干腔；所述水洗腔用于容纳并冲洗基板，所述风干腔用于容纳并风干基板，所述水洗腔与风干腔连通；所述水洗腔的入口处设有向基板表面吹气的气帘风刀，所述气帘风刀...; 刘丹方亮黄中浩刘毅林鸿涛吴旭张淑芳吴芳