方贺男
- 作品数：17 被引量：7H指数：1
- 供职机构：南京邮电大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金江苏省高校自然科学研究项目江苏省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学文化科学交通运输工程一般工业技术更多>>
- “模拟电子线路”中结合数学物理内容的教学方法探索
- 2015年
- "模拟电子线路"是电子信息类一门重要的专业基础课,是电子信息类专业整个知识和能力体系的重要支柱之一。本文针对"模拟电子线路"的教学进行了思考,以具体问题为例,阐述了如何强化数学物理内容,并为"模拟电子线路"的教学服务。
- 方贺男陶志阔
- 关键词：模拟电子线路电子信息
- 基于朗道二级相变理论的铁单晶磁结构分析被引量：1
- 2014年
- 利用朗道二级相变理论以及磁点群理论对于4种单晶铁,也就是阿尔法-铁、德尔塔-铁、伽马-铁以及伊普西龙-铁的磁结构进行了分析。其中,着重利用朗道二级相变理论中实现二级相变的条件和Birman的群选择定则来分析一定晶体结构的铁单晶如果发生顺磁铁磁相变后可能具有的空间对称性,进而得到铁单晶可能具有的磁结构。同时,得到的结论与之前文献报道中的结果进行了比较,发现符合得很好。
- 方贺男陶志阔
- 浅谈高等数学教学与实际问题的结合
- 2014年
- 高等数学是理工科专业学生的基础课程,可以为实际问题的学习和研究提供帮助。本文针对高等数学的教学进行了思考,以具体问题为例,阐述了如何提高学生学习高等数学的兴趣,并将知识灵活运用到应用科学问题中。
- 方贺男陶志阔王祥夫
- 关键词：高等数学
- 单晶二维材料势垒层磁性隧道结的偏压效应被引量：1
- 2021年
- 基于Bethe理论和双束近似方法,构建了适用于单晶势垒层磁性隧道结的理论模型。该理论模型将单晶势垒层视作周期性光栅,因而可以充分地计入隧穿电子的相干性。进一步地,利用该理论计算了以单晶二维材料作为势垒层的磁性隧道结的偏压效应。根据计算结果,讨论了铁磁电极对偏压效应的影响以及偏压对厚度效应的影响。研究表明,由于单晶周期性势垒对隧穿电子散射导致透射电子波具有相干性,隧穿电导和TMR将随偏压振荡,且振荡的周期随铁磁电极半交换劈裂能的增大而增大。此外,研究结果还发现,当偏压低于100 mV时,偏压对隧穿磁阻效应的影响很小;当偏压显著增大时,隧穿电导和TMR随势垒层厚度振荡的振幅和频率均随之减小。
- 吕涛涛方贺男吕杰孙星宇
- 关键词：磁性隧道结自旋极化输运自旋电子学
- 基于Fe<Sub>3</Sub>N/GaN异质结构的磁性隧道结的设计和制备方法
- 基于Fe<Sub>3</Sub>N/GaN异质结构的磁性隧道结的设计和制备方法，磁性隧道结的设计，包括衬底，和依次设置在衬底上的铁磁电极、势垒层、铁磁电极、钉扎层、保护层；制备方法包括如下步骤：步骤1，将单晶蓝宝石薄膜作...
- 方贺男李影彭祥陶志阔
- 文献传递
- 单晶二维材料势垒层磁性隧道结温度效应的理论研究被引量：1
- 2021年
- 基于传统光学衍射理论构建了适用于单晶势垒层磁性隧道结的理论模型.该理论模型将单晶势垒层视作周期性的衍射光栅,所以可以计入单晶势垒层对隧穿电子散射产生的相干性.利用此理论,研究了单晶二维材料势垒层磁性隧道结的温度效应.理论结果表明,由于隧穿电子波为势垒层散射而具有强相干性,所以隧穿电阻和TMR会随温度非单调变化.这解释了已有的实验结果,并阐明了其物理机制.此外,还研究了晶格畸变对单晶二维材料势垒层磁性隧道结温度特性的影响.这些研究结果为优化单晶二维材料势垒层磁性隧道结的温度特性奠定了坚实的理论基础.
- 方贺男孙星宇吕涛涛吕杰
- 关键词：磁性隧道结温度效应自旋电子学
- 基于Fe<Sub>3</Sub>N/GaN异质结构的自旋发光二极管及其制备方法
- 基于Fe<Sub>3</Sub>N/GaN异质结构的自旋发光二极管及其制备方法，所述自旋发光二极管结构上自下而上包括：基板、粘结层、P电极、P‑GaN层、有源层、N‑GaN层、Fe<Sub>3</Sub>N薄膜层、电极；...
- 方贺男彭祥李影陶志阔
- 文献传递
- 一种基于二维材料隧穿层的莫尔隧道结及其制备方法
- 本发明公开了一种电子器件技术领域的基于二维材料隧穿层的莫尔隧道结及其制备方法，旨在解决现有技术中磁性隧道结应用需磁场介入、对工作环境要求高以及钉扎层的制备等问题，其包括隧穿势垒层，隧穿势垒层上下两侧均从内到外依次设有金属...
- 方贺男黄旭东李功照
- 高温磁控溅射沉积Fe-N薄膜的磁电性质研究
- 2020年
- 采用直流磁控溅射的方法,以Ar和N2作为溅射气体,在400℃下于石英玻璃衬底上沉积Fe-N薄膜。利用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、扫描电镜(SEM)、超导量子干涉仪(SQUID)以及I-V曲线测量对薄膜的结构、化学环境、表面形貌以及磁电性质进行分析。结果表明:样品具有铁磁性,其饱和磁化强度和矫顽力随温度升高而降低;样品具有良好的导电性。
- 方贺男陈俊霖李影彭祥
- 关键词：FE-N薄膜磁电性质
- 一种基于GaN衬底的Fe<Sub>3</Sub>N多晶薄膜制备方法
- 本发明涉及一种基于GaN衬底的Fe<Sub>3</Sub>N多晶薄膜制备方法，属于磁性材料制备技术领域。本发明中采用了磁控溅射和高温氮化两步法来制备Fe<Sub>3</Sub>N多晶薄膜，所以在工艺比较简单可靠的前提下制...
- 方贺男陶志阔
- 文献传递
