施志贵
- 作品数：54 被引量：65H指数：6
- 供职机构：中国工程物理研究院电子工程研究所更多>>
- 发文基金：中国工程物理研究院科学技术发展基金国防科技技术预先研究基金武器装备预研基金更多>>
- 相关领域：电子电信兵器科学与技术机械工程核科学技术更多>>
- 双掩膜SOI MEMS加工方法
- 本发明提供了一种双掩膜SOIMEMS加工方法，属于微电子机械系统微加工领域。SOI晶圆包括硅结构层、硅衬底层以及位于硅结构层和硅衬底层之间的绝缘层。本发明的SOI晶圆片的硅结构层进行了浓硼掺杂，掺杂浓度大于<Image ...
- 张照云高杨彭勃施志贵苏伟
- 文献传递
- 220 GHz折叠波导慢波结构(英文)被引量：6
- 2011年
- 优化设计了一种220GHz的折叠波导慢波结构的尺寸,对其冷测特性如色散、耦合阻抗和衰减进行了分析。理论分析和软件仿真结果表明设计的折叠波导慢波结构在中心频率处具有较平缓的色散关系,较高的耦合阻抗和较低的电路衰减。互作用模拟表明,在电子注电压为20kV,电流为10mA时,27mm(50个周期)的折叠波导慢波结构在220GHz具有14.5dB的增益,3dB带宽为16.3GHz(211.9～228.2GHz)。
- 王亚军陈樟程焰林施志贵殷海荣
- 关键词：冷测特性折叠波导仿真THZ辐射
- 硅集成冲击片雷管的研制
- 介绍了一种利用硅MEMS工艺集成制造冲击片雷管的方法。首先在标准硅片上依次沉积二氧化硅、多晶硅(重掺杂)和铝,经过光刻刻蚀后形成桥单元,接下来采用阳极键合工艺在桥上粘接玻璃片,然后采用深反应离子刻蚀工艺在桥下方反向刻蚀单...
- 施志贵杨芳
- 关键词：多晶硅飞片阳极键合深反应离子刻蚀
- 文献传递
- 硅集成冲击片雷管的研制被引量：8
- 2005年
- 介绍了一种利用硅MEMS工艺集成制造冲击片雷管的方法.首先在标准硅片上依次沉积二氧化硅、多晶硅(重掺杂)和铝,经过光刻刻蚀后形成桥单元,接下来采用阳极键合工艺在桥上粘接玻璃片,然后采用深反应离子刻蚀工艺在桥下方反向刻蚀单晶硅衬底到预定深度,形成冲击片雷管的加速膛和飞片层(预留的单晶硅层).这种集成制造技术提高了冲击片雷管的加工精度和可靠性,便于大批量生产和降低制造成本.
- 施志贵杨芳
- 关键词：多晶硅飞片阳极键合深反应离子刻蚀
- 降低高阻硅探测器漏电流的方法研究
- 高阻硅探测器的漏电流是噪声的主要来源,它直接影响到对射线测量的能量分辨率好坏和灵敏度高低。另外,它也是鉴定工艺、判别成品好坏的一个简便方法。它是探测器的重要参数之一。减少漏电流,可以全面改善探测器的性能:如缩短带电粒子的...
- 施志贵
- 文献传递
- 圆片级封装中硅帽的设计和加工被引量：1
- 2015年
- 为了提高微电子机械系统(MEMS)器件的成品率和集成度,介绍了一种应用于圆片级封装的硅帽结构。重点介绍了该硅帽结构的设计和加工方法。分析了圆片级封装(WLP)采用侧引线和通孔引线两种方式的优缺点。完成了上大下小的硅通孔结构和不同开口面积的通孔引线实验。采用电感耦合等离子(ICP)干法刻蚀获得了高深宽比、高陡直度的硅通孔。采用光学显微镜测试了上、下通孔的平面结构。在完成硅帽和敏感结构的键合后,进行了引线测试,结果表明这种上大下小的通孔结构能很好地完成引线工艺,其中250μm×250μm的尺寸是最佳开口面积。
- 陈颖慧张慧施志贵屈明山
- 双框架解耦微陀螺原理样机研制
- 2010年
- 为了把驱动工作模态和检测工作模态有效隔离,以减小模态间的互相干扰,设计了一种双框架解耦微机械陀螺。通过采用可工程化的鲁棒优化结构设计和工艺补偿的制造工艺,实现了工艺误差范围内的稳健设计。这种内外框架结构的微陀螺设计,包括自激闭环驱动电路和开环检测电路,对微陀螺进行测试,得到微陀螺驱动模态品质因素>2000,检测模态品质因素>800,量程为2400°/s,线性度<0.3%,灵敏度为1°/s。
- 唐海林刘显学周浩郑英彬张茜梅施志贵吴嘉丽
- 关键词：微陀螺检测电路
- 与硅微器件集成的MEMS皮拉尼计
- 2024年
- 针对圆片级真空封装现有的检测难、易泄漏等问题,提出一种可与硅微器件工艺兼容、并行加工于同一腔体的皮拉尼(Pirani)计设计与加工方法,用于圆片级真空封装后腔体的真空度检测。采用SOI硅片对皮拉尼计结构进行加工,通过金硅键合方式对器件进行圆片级封装,同时采用硅通孔(TSV)的纵向电极引出方式,改善气密封装问题。测试结果表明,皮拉尼计电阻在线性区间的温度系数为1.58Ω/℃,检测敏感区间约为1~100 Pa,灵敏度达到61.67Ω/ln(Pa)。提出的皮拉尼计可与硅微器件并行加工,为圆片级真空封装腔体的真空度在片测试提供了一种简单可行的方案。
- 秦宜峰刘振华施志贵张青芝熊壮
- 双掩膜浓硼掺杂SOI MEMS加工方法
- 本发明提供了双掩膜浓硼掺杂SOI MEMS加工方法，属于微电子机械系统微加工领域。SOI晶圆包括硅结构层、硅衬底层以及位于硅结构层和硅衬底层之间的绝缘层。该加工方法包括：利用双掩膜首先刻蚀硅结构层上的细线宽结构部分，然后...
- 张照云彭勃施志贵高杨苏伟
- 文献传递
- 一种用于微结构制造的全干法刻蚀硅溶片制备方法
- 本发明公开了一种用于微结构制造的全干法刻蚀硅溶片制备方法，属于微电子机械系统（MEMS）加工技术领域。本发明的制备方法采用以下加工步骤：(a)玻璃电极制备；(b)硅台阶和微结构制备；(c)玻璃-硅静电键合和硼硅玻璃划槽；...
- 施志贵席仕伟张茜梅刘娟王亚军
