2024年12月25日
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曾杰
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27
被引量:8
H指数:2
供职机构:
浙江大学
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相关领域:
电子电信
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合作作者
董树荣
浙江大学
吴健
浙江大学
郑剑锋
浙江大学
马飞
浙江大学
苗萌
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一种内嵌齐纳触发结构的可控硅器件
本发明公开了一种内嵌齐纳触发结构的可控硅器件,包括P-衬底层;P-衬底层上设有并排相连的N-阱和P-阱,N-阱与P-阱的接合处上设有第三N+有源注入区;N-阱上并排设有第一N+有源注入区和第一P+有源注入区;P-阱上并排...
董树荣
吴健
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郑剑锋
文献传递
一种二极管辅助触发的具有二次导通路径的可控硅器件
本发明公开了一种二极管辅助触发的具有二次导通路径的可控硅器件,通过优化可控硅与二极管的连接和布局,利用二极管串形成的寄生可控硅路径来实现二极管辅助触发的可控硅的二次导通,提高可控硅钳位电压时钳位点的电流值来避免闩锁效应的...
苗萌
董树荣
吴健
曾杰
韩雁
马飞
郑剑锋
一种基于PNP型三极管辅助触发的双向可控硅器件
本发明公开了一种基于PNP型三极管辅助触发的双向可控硅器件,包括P衬底层和四个PNP型三极管;P衬底层上设有第一N阱、P阱和第二N阱;第一N阱上设有第一N+有源注入区、第一P+有源注入区和第二N+有源注入区;第二N阱上设...
郑剑锋
韩雁
马飞
董树荣
吴健
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曾杰
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一种基于NPN型三极管辅助触发的双向可控硅器件
本发明公开了一种基于NPN型三极管辅助触发的双向可控硅器件,包括P衬底层和四个NPN型三极管;P衬底层上设有第一N阱、P阱和第二N阱;第一N阱上设有第一N+有源注入区、第一P+有源注入区和第二N+有源注入区;第二N阱上设...
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一种内嵌P型MOS管辅助触发的可控硅器件
本发明公开了一种内嵌P型MOS管辅助触发的可控硅器件,在第二P+注入区与第二N+注入区之间的P型衬底上,加入一块不接任何电位的第二N阱,可以有效地增加寄生NPN型三极管的纵向基区宽度。本发明利用内嵌P型MOS管的可控硅特...
苗萌
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一种基于NMOS管辅助触发的双向可控硅器件
本发明公开了一种基于NMOS管辅助触发的双向可控硅器件,包括P衬底层和四个NMOS管;P衬底层上设有第一N阱、P阱和第二N阱;第一N阱上设有第一N+有源注入区、第一P+有源注入区和第二N+有源注入区;第二N阱上设有第三N...
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一种基于场限环可控硅结构的瞬态电压抑制器
本发明公开了一种基于场限环可控硅结构的瞬态电压抑制器,包括:P衬底层;P衬底层上设有并排相连的N阱和P阱;N阱上嵌有第一N+有源注入区和第一P+有源注入区;P阱上嵌有第二P+有源注入区和第二N+有源注入区;由N阱和P阱构...
董树荣
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一种内嵌齐纳触发结构的可控硅器件
本发明公开了一种内嵌齐纳触发结构的可控硅器件,包括P-衬底层;P-衬底层上设有并排相连的N-阱和P-阱,N-阱与P-阱的接合处上设有第三N+有源注入区;N-阱上并排设有第一N+有源注入区和第一P+有源注入区;P-阱上并排...
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一种二极管辅助触发的具有二次导通路径的可控硅器件
本发明公开了一种二极管辅助触发的具有二次导通路径的可控硅器件,通过优化可控硅与二极管的连接和布局,利用二极管串形成的寄生可控硅路径来实现二极管辅助触发的可控硅的二次导通,提高可控硅钳位电压时钳位点的电流值来避免闩锁效应的...
苗萌
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一种多功能涂胶机器人末端执行器
本发明公开了一种多功能涂胶机器人末端执行器。末端执行器的胶管夹装单元、气缸控制单元、装置位姿检测单元和视觉检测单元安装在底座上,执行器通过底座安装在工业机器人的末端;胶管夹装单元夹持胶管,胶管正对待涂胶工件。本发明末端执...
曾杰
毕运波
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