朱军山
- 作品数：12 被引量：16H指数：3
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- 发文基金：教育部“新世纪优秀人才支持计划”河北省自然科学基金深圳市科技计划项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- 金属有机化学气相沉积生长的GaN膜中V缺陷研究被引量：1
- 2006年
- 利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术,在Si(111)衬底上外延生长不同厚度的GaN。外延层薄的GaN表面存在大量的V缺陷,并且V缺陷的两侧有相互平行的带状高坡;外延层厚的GaN表面没有V缺陷,表面平整且晶体质量高。位错处存在晶格畸变,杂质易于在此处聚集,达到一定浓度就会抑制晶体在此处生长而形成V缺陷。受位错附近应力场与气流的影响,V缺陷两侧出现带状高坡。生长时间延长,GaN表面的V缺陷就会被填满,带状高坡横向生长合并成为平整的表面。用m(KOH)∶m(H2O)=1∶10的KOH溶液腐蚀后,平整的表面出现六角腐蚀坑,密度与原生坑密度相近,认为是原生坑被填满的位置腐蚀后再次出现。
- 赵丽伟滕晓云郝秋艳朱军山张帷刘彩池
- 关键词：GAN湿法化学腐蚀
- 双缓冲层法在硅上外延生长GaN研究
- 2005年
- 利用金属有机物化学金相沉积MOCVD在Si(111)衬底上,以高温AlN和低温GaN为缓冲层生长的GaN薄膜,得到GaN(0 0 0 2 )和(10-12 )的双晶X射线衍射(DCXRD)半高宽(FWHM )分别为72 1和840s。采用高分辨率DCXRD ,扫描电子显微镜(SEM )分析。结果表明,以10 40℃生长的AlN缓冲层能防止Ga与Si反应形成无定形的Si Ga结构,是后续生长的“模板”。低温的GaN缓冲层可有效减低外延层的缺陷。DCXRD测得的FWHM为0 .2 1,GaN峰强达7K。
- 朱军山胡加辉徐岳生刘彩池冯玉春郭宝平
- 关键词：SI(111)GAN
- Si(111)外延GaN的表面形貌及形成机理研究
- 2005年
- 用高温A lN作缓冲层在Si(111)上外延生长出GaN薄膜。通过对薄膜表面扫描电子显微镜(SEM)和高分辨率双晶X射线衍射(DCXRD)的分析,确定缓冲层对外延层形貌的影响,分析解释了表面形貌中凹坑的形成及缓冲层生长温度对凹坑的影响。结果表明:温度的高低通过影响缓冲层初始成核密度和成核尺寸来影响外延层表面形貌。
- 朱军山徐岳生刘彩池赵丽伟滕晓云
- 关键词：SI(111)GANMOCVD
- Ni/ITO与p型GaN的欧姆接触被引量：2
- 2005年
- 通过环形传输线方法(CTLM),电流-电压(I-V)曲线、光学透过率、表面形貌等手段,研究了N i层厚度和N i层的高温退火对N i/ITO与p型氮化镓接触特性的影响,探讨了N i/ITO-p-GaN欧姆接触的形成机制,提出了低温氧化N i金属层的方法。获得接触电阻率(cρ)小于9.5×10-5Ω.cm2,透过率达到74%(470 nm)的N i/ITO-p-GaN电极。
- 冯玉春张建宝朱军山杨建文胡加辉王文欣
- 关键词：欧姆接触
- 移动式太阳能冰箱研究
- 通过光伏电池转换,把太阳能转换成电能。我们在吸取国内外已有研究成果的基础上优化整个系统,使这种冰箱完全不用电网电能,并且可以连续工作。白天太阳能转换成充裕的电能,既能使太阳能冰箱正常工作,又能向蓄电池充电,夜晚和下雨天则...
- 朱军山徐岳生黄家乐洪在地游飞越
- 关键词：光伏电池冰箱太阳能
- 过渡层结构和生长工艺条件对S i基G aN的影响被引量：2
- 2005年
- 为了提高MOCVD外延硅基GaN材料的质量,在硅(111)衬底上以HT-A lN为缓冲层,在缓冲层上再生长变组份过渡层后外延生长GaN。过渡层为多层复合结构,分为高温变组分A lGaN、GaN、低温A lN、高温变组分A lGaN。在高温生长A lGaN和GaN层中插入一层低温生长A lN以缓解降温过程中应力对厚GaN层的影响,为了缓慢释放热应力、采用合适的慢降温工艺。当外延层的厚度小于1.7微米时GaN外延层无龟裂,而厚度不断增加时,GaN外延层产生龟裂。本文研究了A lN缓冲层生长温度、高温变组分A lGaN生长过程中生长时间的变化对所生长GaN材料的影响。采用三维视频显微镜、高分辨率双晶X射线衍射(DCXRD)、扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和室温光致荧光光谱(RT-PL)对样品进行了测试分析。测试结果表明所研制的硅基GaN表面光亮、平整,过渡层的引入有利于降低外延层中应力,提高GaN结晶质量。
- 冯玉春胡加辉张建宝王文欣朱军山杨建文郭宝平
- 关键词：SI(111)CANALNALGAN
- S i基外延G aN中缺陷的腐蚀研究被引量：4
- 2005年
- 本文采用KOH:H2O=3:20～1:25(质量比)的KOH溶液,对Si基外延GaN进行湿法腐蚀.腐蚀后用扫描电子显微镜(SEM)观察,GaN面出现了六角腐蚀坑,它是外延层中的位错露头,密度约108/cm2.腐蚀坑的密度随腐蚀时间延长而增加,说明GaN外延生长过程中位错密度是逐渐降低的,部分位错因相互作用而终止于GaN体内.观察缺陷腐蚀形貌还发现,接近裂纹处腐蚀坑的密度要高于远离裂纹处腐蚀坑的密度,围绕裂纹有许多由裂纹引起的位错.腐蚀坑的密度可以很好地反映GaN晶体的质量.晶体质量较差的GaN片,腐蚀后其六角腐蚀坑的密度高.
- 赵丽伟刘彩池滕晓云朱军山郝秋艳孙世龙王海云徐岳生胡家辉冯玉春郭宝平
- 关键词：GAN湿法腐蚀SEM
- Si(111)衬底上GaN的MOCVD生长被引量：4
- 2005年
- 利用LP-MOCVD在S i(111)衬底上,以高温A lN为缓冲层,分别用低温GaN(LT-GaN)和偏离化学计量比富Ga高温GaN(HT-GaN)为过渡层外延生长六方相GaN薄膜。采用高分辨率双晶X射线衍射(DCXRD),扫描电子显微镜(SEM),原子力显微镜(AFM)和室温光致荧光光谱(RT-PL)进行分析。结果表明,有偏离化学计量比富Ga HT-GaN为过渡层生长的GaN薄膜质量和光致荧光特性均明显优于以LT-GaN为过渡层生长的GaN薄膜,得到GaN(0002)和(10ī2)的DCXRD峰,其半峰全宽(FWHM)分别为698 s和842 s,室温下的光致荧光光谱在361 nm处有一个很强的发光峰,其半峰全宽为44.3 m eV。
- 胡加辉朱军山冯玉春张建宝李忠辉郭宝平徐岳生
- 关键词：氮化镓SI(111)金属有机化学气相沉积
- 硅基外延氮化镓失配问题的研究
- 刘彩池郝秋艳解新建陈贵锋冯玉春朱军山赵丽伟景微娜
- 项目名称：硅基衬底外延氮化镓失配问题研究（E200500042）。任务来源：河北省自然科学基金。GaN是继Si、GaAs之后的第三代重要的半导体材料，它的禁带宽度宽，电子迁移率高，高的击穿电压、耐高温、耐化学腐蚀等优良特...
- 关键词：
- 关键词：失配
- Si基外延GaN中位错的光助湿法化学显示
- 2006年
- 采用1000W卤钨灯作为光源,对GaN外延膜在KOH溶液中进行化学腐蚀,以显示晶体位错.采用扫描电子显微镜、原子力显微镜观察位错密度及表面形貌,得到了清晰的腐蚀图形.提出了腐蚀机理,光照激发位错处产生电子空穴对,加速位错处的腐蚀速率.GaN表面出现了大量的六角腐蚀坑(位错露头).优化了KOH溶液的腐蚀条件.
- 赵丽伟刘彩池滕晓云郝秋艳朱军山孙世龙王海云徐岳生冯玉春郭宝平
- 关键词：GAN湿法化学腐蚀
