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朱小健

作品数：23 被引量：1H指数：1
供职机构：中国科学院宁波材料技术与工程研究所宁波材料技术与工程研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金宁波市自然科学基金中国科学院国际合作局对外合作重点项目更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术文化科学金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 21篇专利
  • 2篇期刊文章

领域

  • 6篇电子电信
  • 5篇自动化与计算...
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇文化科学

主题

  • 4篇人工神经
  • 3篇电导
  • 3篇三明治
  • 3篇突触
  • 3篇离子
  • 3篇衬底
  • 3篇存储器
  • 2篇底电极
  • 2篇点接触
  • 2篇电流
  • 2篇电性能
  • 2篇电阻
  • 2篇信息存储
  • 2篇信息显示
  • 2篇掩模
  • 2篇掩模版
  • 2篇氧化物
  • 2篇原位
  • 2篇振荡
  • 2篇振荡电流

机构

  • 23篇中国科学院宁...
  • 2篇宁波大学
  • 1篇中国科学院大...

作者

  • 23篇朱小健
  • 23篇李润伟
  • 6篇刘宜伟
  • 4篇陈斌
  • 4篇杨华礼
  • 3篇尚杰
  • 2篇詹清峰
  • 2篇诸葛飞
  • 2篇左正笏
  • 2篇苏文静
  • 2篇胡本林
  • 2篇刘钢
  • 2篇王保敏
  • 2篇谢亚丽

传媒

  • 1篇功能高分子学...
  • 1篇无机材料学报

年份

  • 1篇2024
  • 6篇2023
  • 3篇2022
  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 3篇2015
  • 1篇2014
  • 2篇2013
  • 3篇2012
  • 1篇2011
共 23 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种自支撑多铁性复合薄膜的制备方法
本发明公开了一种自支撑多铁性复合薄膜的制备方法，改方法采用由硅片层、中间层和厚度为纳米级的铂薄膜层组成的镀铂硅片；将镀铂硅片放入氢氟酸溶液，使镀铂硅片的中间层与氢氟酸反应被刻蚀，铂薄膜从硅片上脱离而漂浮在溶液表面；然后将...
李润伟左正笏陈斌刘宜伟朱小健杨华礼
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一种高稳定性的电阻式随机存储器及其制备方法
本发明提供了一种高稳定性的电阻式随机存储器及其制备方法。该存储器包括绝缘衬底，位于绝缘衬底上表面的第一电极，位于第一电极上表面的中间层，以及位于中间层上表面的第二电极；中间层的上表面具有一个底端为尖形的内凹结构，第二电极...
李润伟朱小健胡本林尚杰
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基于扫描探针显微镜的微/纳米热电原位探测装置及探测方法
本发明提供了一种基于扫描探针显微镜的微/纳米热电原位探测装置。该装置系统采用具有导电、导热性的探针，能够提供样品的表面形貌探测、电信号探测以及热信号探测模式，通过控制探针的位移或振动轨迹，能够原位、同步、实时地探测样品的...
李润伟朱小健刘宜伟陈斌王保敏
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一种高稳定性的电阻式随机存储器及其制备方法
本发明提供了一种高稳定性的电阻式随机存储器及其制备方法。该存储器包括绝缘衬底，位于绝缘衬底上表面的第一电极，位于第一电极上表面的中间层，以及位于中间层上表面的第二电极；中间层的上表面具有一个底端为尖形的内凹结构，第二电极...
李润伟朱小健胡本林尚杰
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基于扫描探针显微镜的微/纳米热电原位探测装置及探测方法
本发明提供了一种基于扫描探针显微镜的微/纳米热电原位探测装置。该装置系统采用具有导电、导热性的探针，能够提供样品的表面形貌探测、电信号探测以及热信号探测模式，通过控制探针的位移或振动轨迹，能够原位、同步、实时地探测样品的...
李润伟朱小健刘宜伟陈斌王保敏
一种具有智能显示功能的人工神经突触晶体管器件及智能显示突触装置
本发明公开了一种具有智能显示功能的人工神经突触晶体管器件，包括从下到上依次设置的衬底层、功能层、沟道层和栅介质层，功能层由位于同一平面的源极、漏极和栅极组成，栅介质层的材料为电解质，沟道层的材料为具有阳离子掺杂效能的无机...
孙翠蒋倩刘雪蓉朱小健李润伟
一种光电多功能结构单元、其制备方法与应用
本发明提供了一种新型的功能结构单元，在电致电阻结构单元的基础上结合发光性能，使该结构单元在电致电阻变化的同时，发光状态也发生相应变化，从而实现了集阻变与光变于一体的新型多功能结构单元。该结构单元可以利用电阻的变化进行信息...
李润伟檀洪伟刘钢朱小健
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一种具有爆发型放电行为的忆阻人工神经元的制备方法
本发明提供了一种具有爆发型放电行为的忆阻人工神经元的制备方法，涉及新型神经形态器件技术领域，本方法包括步骤S1：将ITO底电极置于烧杯，加入丙酮和酒精利用超声机清洗，利用去离子水浸泡清洗表面有机溶剂残留，氮气枪吹干；S2...
朱小健刘慧媛王薇李欣泽段吉鹏刘雪蓉李润伟
一种基于双离子调控的忆阻器单元及其制备方法
本发明涉及一种基于双离子调控的忆阻器单元及其制备方法，采用简单的平面忆阻器结构，工艺简单，并采用离子插层工艺，将第一离子和第二离子插入到介质层的范德瓦尔斯间隙，通过改变施加在忆阻器单元上的电场大小、方向产生不同的阻变现象...
朱小健张峥吴柳孙翠段吉鹏李润伟
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一种电流振荡器及其制备方法
本发明公开了一种新型的电流振荡器，该振荡器由第一电极，第二电极，以及设置在第一电极和第二电极之间的中间层组成，中间层采用过渡金属氧化物薄膜，并且过渡金属氧化物薄膜的厚度为50nm～200nm，在第一电极和第二电极输入一定...
李润伟苏文静诸葛飞朱小健
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