朱秀榕
- 作品数：7 被引量：38H指数：4
- 供职机构：南昌大学理学院物理系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学电子电信金属学及工艺更多>>
- 直流反应磁控溅射氮化钛薄膜及其性能的研究
- 采用直流反应磁控溅射法,在Si(111)基底上制备氮化钛(TiNx)薄膜.研究了溅射沉积过程中基底温度对TiNx 薄膜结构及性能的影响.研究发现:在其它工艺参数不变的情况下,改变基底温度,薄膜的主要成分是立方相TiN,2...
- 朱秀榕赖珍荃刘倩范定寰李海翼
- 关键词：氮化钛薄膜磁控溅射法溅射沉积基底温度
- 文献传递
- 氮化钛薄膜的制备及其光、电性能的研究
- 氮化钛(TiNx)是过渡金属氮化物，它由离子键、金属键和共价键混合而成，它独特的电子结构所表现出高硬度、高熔点、化学稳定性高以及优良导电性能和红外波段较高光学反射率使它在切削工具、装饰和抗摩擦等方面得到越来越广泛的应用和...
- 朱秀榕
- 关键词：氮化钛薄膜反应磁控溅射电阻率
- 文献传递
- 氩气与氮气流量比对磁控溅射法制备TiN薄膜的影响被引量：12
- 2009年
- 用直流反应磁控溅射法在Si(100)基底上制备了TiN薄膜,采用X射线衍射仪和原子力显微镜对其结构和形貌进行了表征,利用四探针测试仪测量了TiN薄膜的方块电阻,使用紫外可见分光光度计测定了薄膜反射率;研究了溅射沉积过程中氩气与氮气流量比对TiN薄膜结构及性能的影响。结果表明:在不同氩气与氮气流量比下,所制备薄膜的主要组成相是(200)择优取向的立方相TiN;随着氩气与氮气流量比的增加,薄膜厚度逐渐增大,而表面粗糙度与电阻率先减小后增大;当氩气与氮气流量比为15:1时,薄膜表面粗糙度和电阻率均达到最小值;TiN薄膜的反射率与氩气与氮气流量比的关系不大。
- 刘倩刘莹朱秀榕胡敏
- 关键词：TIN薄膜磁控溅射氩气氮气
- 直流反应磁控溅射氮化钛薄膜及其性能的研究
- 采用直流反应磁控溅射法,在Si(111)基底上制备氮化钛(TiNx)薄膜。研究了溅射沉积过程中基底温度对TiNx薄膜结构及性能的影响。研究发现:在其它工艺参数不变的情况下,改变基底温度,薄膜的主要成分是立方相TiN,24...
- 朱秀榕赖珍荃刘倩范定寰李海翼
- 关键词：氮化钛薄膜磁控溅射基底温度反射率
- 文献传递
- 磁控溅射TiN薄膜的工艺及电学性能研究被引量：16
- 2009年
- 采用反应直流磁控溅射法，在Si基底上制备TiN薄膜。研究了溅射沉积过程申溅射气压和Ar／N2气体流量比对TiN薄膜结构及其电学性能的影响，并对试验结果进行了分析。研究发现，在Ar／N2气体流量比为15：1时，TiN薄膜的表面均方根粗糙度和电阻率都为最小。当溅射气压增大时，薄膜厚度减小。当溅射气压为0．3～0．5Pa时，薄膜表面较光滑，电阻率较小。
- 胡敏刘莹赖珍荃刘倩朱秀榕
- 关键词：TIN薄膜磁控溅射溅射气压电学性能
- 氮气流量对反应磁控溅射制备TiN_x薄膜的影响被引量：8
- 2008年
- 采用直流磁控溅射法,在S i基底上制备TiNx薄膜。研究了溅射沉积过程中氮气流量对TiNx薄膜生长及性能的影响。研究发现:在其它工艺参数不变的情况下,改变N2流量,薄膜的主要成分是(110)择优取向的四方相Ti2N。随着N2流量的增加,薄膜的厚度逐渐增加,薄膜粗糙度、颗粒尺寸和电阻率先减小后变大。
- 朱秀榕赖珍荃蒋雅雅范定寰
- 关键词：氮化钛薄膜磁控溅射
- DC磁控溅射制备的TiN_x薄膜组分及性能分析
- 2010年
- 利用DC磁控溅射法在p-Si(111)衬底上制备了TiNx薄膜.利用X射线能谱仪(EDX)、X射线衍射(XRD)、紫外/可见分光光度计、四探针电阻率测试仪等分析了薄膜的组分、结构和光电特性.结果表明,薄膜中N/Ti原子比接近于1;衬底温度对薄膜的择优取向影响显著,240℃附近是TiNx薄膜结晶择优取向由(111)向(200)转变的临界点;薄膜在近红外波段平均反射率随衬底温度的升高,先增大后减小;薄膜的电阻率随着衬底温度的升高而显著降低.
- 李海翼赖珍荃朱秀榕胡敏
- 关键词：氮化钛薄膜磁控溅射反射率
