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李孝轩

作品数:41 被引量:134H指数:7
供职机构:中国电子科技集团第十四研究所更多>>
相关领域:电子电信金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 18篇期刊文章
  • 18篇会议论文
  • 2篇专利
  • 1篇学位论文
  • 1篇标准

领域

  • 25篇电子电信
  • 12篇金属学及工艺

主题

  • 11篇芯片
  • 8篇键合
  • 7篇倒装焊
  • 7篇多芯片
  • 6篇金丝键合
  • 5篇微波组件
  • 5篇T/R
  • 4篇凸点
  • 4篇微波
  • 4篇微组装
  • 4篇激光
  • 4篇封装
  • 4篇T/R组件
  • 4篇MCM
  • 3篇倒装芯片
  • 3篇电路
  • 3篇电子封装
  • 3篇镀层
  • 3篇多芯片模块
  • 3篇多芯片组件

机构

  • 36篇中国电子科技...
  • 3篇南京电子技术...
  • 1篇南京航空航天...
  • 1篇南京理工大学
  • 1篇南京信息工程...

作者

  • 40篇李孝轩
  • 20篇严伟
  • 14篇胡永芳
  • 10篇禹胜林
  • 8篇王听岳
  • 8篇韩宗杰
  • 6篇许立讲
  • 4篇刘刚
  • 3篇崔殿亨
  • 3篇丁友石
  • 2篇朱小军
  • 2篇郝新锋
  • 2篇崔凯
  • 2篇吴娜
  • 1篇王从香
  • 1篇左艳春
  • 1篇崔洪波
  • 1篇薛松柏
  • 1篇王锋
  • 1篇朱建军

传媒

  • 7篇电子机械工程
  • 3篇电焊机
  • 2篇电子工艺技术
  • 2篇2010年中...
  • 2篇北京电子学会...
  • 1篇焊接学报
  • 1篇电子工业专用...
  • 1篇电子器件
  • 1篇微波学报
  • 1篇现代雷达
  • 1篇电子与封装
  • 1篇2006年中...
  • 1篇中国电子学会...
  • 1篇中国电子学会...
  • 1篇2005年机...
  • 1篇2010中国...

年份

  • 1篇2024
  • 1篇2023
  • 1篇2022
  • 1篇2020
  • 1篇2019
  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 2篇2014
  • 1篇2013
  • 2篇2012
  • 3篇2011
  • 7篇2010
  • 3篇2009
  • 6篇2008
  • 1篇2006
  • 3篇2005
  • 1篇2000
  • 2篇1999
  • 1篇1997
41 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
基于田口方法的微波组件金丝键合工艺优化被引量:2
2012年
为了提高微波组件金丝键合的可靠性,采用楔形金丝键合工艺进行了金丝互连,通过田口试验方法设计和试验验证,确定了金丝键合最优化的工艺参数组合。研究结果表明:键合金丝质量的影响因素依次是超声功率、键合压力和键合时间,优化的工艺参数组合依次为超声功率、键合压力、键合时间,优化的工艺参数组合为超声功率15、键合压力16、键合时间50;采用优化后的工艺参数进行金丝键合操作,获得了稳定性良好的互连金丝,完全满足混合集成微波电路金丝键合互连应用的需求。
韩宗杰王锋李孝轩胡永芳严伟
关键词:微波组件金丝键合田口方法参数优化
激光焊点的实时检测被引量:1
1997年
本文介绍了激光焊接过程中焊点的实时检测的原理,为此而建立的红外检测系统,检测数据库及典型的红外实时曲线等.
李孝轩王听岳沈强崔殿亨
关键词:焊点激光焊接
激光焊接技术在电子封装中的应用及发展被引量:19
2011年
为推动激光焊接技术在行业中的普及应用,文中简要介绍了激光焊接技术的特点,总结了激光焊接技术在电子封装领域(如电池制造、微波组件封装等)中的研究和应用现状,介绍了激光焊接数值模拟方面的进展,并指出了YAG激光焊接技术目前存在的问题及未来的发展趋势。研究表明,激光焊接已成为目前电子封装行业中最受欢迎的焊接技术之一,而且随着激光焊接系统的发展,激光焊接技术将具有更加广阔的应用前景。
郝新锋朱小军李孝轩严伟
关键词:YAG激光电子封装数值模拟
倒装焊技术探索被引量:6
2008年
倒装芯片焊接技术是一种新型的微组装技术。文中概述了倒装芯片焊接技术的发展历程及国内外的研制情况。简要阐述了倒装芯片焊接的概念特点、工艺流程及关键技术。描述了两个应用实例——砷化镓MM IC倒装芯片焊接及采用LTCC和FC技术的集成化LNA,对距离参数完成了微机仿真和实验验证。最后,对应用前景进行了展望。
李孝轩王听岳禹胜林严伟
关键词:倒装焊微波单片微波集成电路
微波GaAs功率芯片的低空洞率真空焊接技术研究被引量:23
2008年
文章选用80Au20Sn焊料对微波GaAs功率芯片的焊接技术进行了较为系统深入的研究,通过对共晶焊接设备与真空烧结设备分别对焊接时气体保护、焊片大小、真空工艺过程的施加和夹具设计等因素进行了试验分析。结果表明,以上参数对微波GaAs功率芯片焊接均有显著的影响,在保护气体流量为1.5L·min-1的氮气保护下,通过施加适当的夹具静压力和金锡焊料熔化时的抽真空应用,AuSn焊料能够充分和快速润湿,实现较高的焊接质量。X射线检测结果表明,微波GaAs功率芯片焊接具有较低的空洞率,焊透率高达90%以上,焊接过程主要通过夹具装配完成,人为影响因素少,成品率高。
李孝轩胡永芳禹胜林严伟徐骏善
关键词:功率芯片空洞率真空
基于倒装焊接的多层堆叠工艺技术要求
孟伟朱建军胡永芳崔凯周凤拯王越飞王从香邓晓燕孙毅鹏李孝轩
片式钽电容在微波电路板上的无铅焊接工艺研究
绿色环保无铅焊接技术是当前电子制造的大势所趋,民品中广泛应用,而在军品中鲜有应用。随着微波模块复杂程度的提高、多温度阶梯焊接的迫切需求,解决无铅焊接可靠性的问题迫在眉睫。本文主要对片式钽电容在微波电路板上的无铅焊接工艺进...
李孝轩韩宗杰徐玮严伟
关键词:无铅焊接工艺失效模式
电子封装中Au80Sn20焊料与镀层之间的相互作用及组织演变被引量:10
2015年
电子元器件常通过镀层提高可焊性,主要包括Au、Ni、Cu、Au/Ni(Ti)、Au/Pt/Ti、Au/TiW等。Au80Sn20焊料是电子封装中的常用材料,文中总结了AuSn焊料与镀层之间的相互作用及组织演变。润湿性主要取决于AuSn焊料表面的氧化以及镀层在AuSn焊料中的溶解速度,Cu、Pt的原子结构与Au相似,以置换原子的形式溶解在AuSn焊料中,Ti与AuSn焊料之间的润湿性较差。AuSn焊料与镀层发生界面反应生成(Ni,Au)3Sn2、ζ-(Au,Cu)5Sn、Au5Sn、Ni3Sn4等金属间化合物(IMC),IMC的形成和组织演变与焊点结构、工艺参数、服役条件等因素有关。
吴娜李孝轩胡永芳
关键词:镀层金属间化合物
微波多芯片组件微组装关键技术及其应用研究
微波多芯片组件(MMCM)技术是在混合微波集成电路(HMIC)基础上发展起来的新一代微波封装和互连技术,它是将多个MMIC/ASIC芯片和其它元器件高密度组装在三维微波多层电路互连基板上,形成高密度、高可靠和多功能的电路...
李孝轩
关键词:多芯片组件倒装焊空洞率微波封装
文献传递
基于金基共晶钎料的毫米波T/R组件连接技术研究
本文对Au-Sn及Au-Ge二元合金相图、Au-Sn及Au-Ge共晶钎料的综合性能进行了简单介绍,讨论了Au-Sn及Au-Ge共晶钎料在芯片封装领域的应用。文章基于金基共晶钎料(Au-Sn、Au-Ge)采用BTU烧结炉研...
许立讲李孝轩刘刚严伟
关键词:毫米波T/R组件
文献传递
共4页<1234>
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