李晓莹
- 作品数：9 被引量：7H指数：1
- 供职机构：厦门大学物理与机电工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- In组分渐变提高InGaN/GaN多量子阱发光二极管发光性能被引量：4
- 2010年
- 利用金属有机物化学气相沉积系统在蓝宝石衬底上通过有源层的变温生长,得到In组分渐变的量子阱结构,从而获得具有三角形能带结构的InGaN/GaN多量子阱发光二极管(LED)(简称三角形量子阱结构LED).变温光致发光谱结果表明,相对于传统具有方形能带结构的量子阱LED(简称方形量子阱结构LED),三角形量子阱结构有效提高了量子阱中电子和空穴波函数的空间交叠,从而增加了LED的内量子效率;电致发光谱结果表明,三角形量子阱结构LED器件与传统结构LED器件相比,明显改善了发光峰值波长随着电流的蓝移现象.通过以上的结果比较,三角形量子阱结构LED比传统结构LED具有更高的发光效率.
- 朱丽虹蔡加法李晓莹邓彪刘宝林
- 关键词：金属有机物化学气相沉积INGAN/GAN多量子阱发光二极管内量子效率
- MOCVD侧向外延生长GaN的研究被引量：1
- 2008年
- 在低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)系统中利用侧向外延生长(epitaxial lateral overgrowth,ELO)技术进行了二次外延GaN的研究。SEM观察结果表明,翼区和窗口区宽度比值不同的图形衬底,侧向和纵向的生长速率不同;其AFM表面形貌图像表明,长平的ELO-GaN表面平整,位错密度较低。ELO-GaN的光致发光(PL)谱的带边峰比传统方法生长的GaN的带边峰红移了14.0 meV,表明ELO-GaN的应力得到部分释放,晶体质量提高。ELO-GaN和普通外延GaN的拉曼散射谱比较表明,ELO-GaN中的应力较小,晶体质量较高,A1(TO)模的出现说明其晶轴取向相对于(0001)方向发生微小的偏移。
- 朱丽虹李晓莹刘宝林
- 关键词：氮化镓原子力显微镜扫描电子显微镜
- 低压下激光剥离的研究被引量：1
- 2014年
- 为了研究低压环境对激光剥离的影响,利用准分子激光剥离系统和真空腔对GaN/蓝宝石样品分别在低压下和常压下进行多脉冲激光照射,之后用台阶仪测量样品的分解深度,得知相比常压环境,低压下GaN分解深度在脉冲次数为10次、20次、30次时分别增加了为10.2%,19.0%,24.3%,之后结合GaN材料分解过程和脉冲激光照射GaN/蓝宝石结构过程进行理论分析得到相应低压和常压下的GaN材料的理论分解深度,得到与实验一致的趋势。证明了低压环境能提高激光剥离速率。
- 林飞陈志远刘宝林朱丽虹李晓莹曾凡明
- 关键词：GAN激光剥离
- GaN基多量子阱结构的高亮度发光二极管及其制备方法
- GaN基多量子阱结构的高亮度发光二极管及其制备方法，涉及发光二极管。发光二极管从下到上依次为衬底、低温缓冲层、n型掺杂的GaN层、3～5个InGaN/GaN多量子阱、p型掺杂的AlGaN层、p型掺杂的GaN层、5个周期的...
- 刘宝林李晓莹
- 文献传递
- 一种GaN基垂直结构发光二极管及其制备方法
- 一种GaN基垂直结构发光二极管及其制备方法，涉及一种发光二极管。从下到上依次为蓝宝石衬底、低温GaN缓冲层、第1掺硅GaN层、5～10个周期的n-InGaN/n-AlGaN或n-AlGaN/n-GaN超晶格层、第2掺硅G...
- 刘宝林李晓莹
- 提高GaN基垂直结构LED发光效率的研究
- 宽禁带Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体材料具有优异的物理和化学特性，其合金材料的禁带宽度在0.7～6.2eV范围内连续可调，对应的波长覆盖了红外到远紫外光的范围且任意组分的合金均为直接带隙。因此已被广泛应用于制作高亮度发光器件、光电...
- 李晓莹
- 关键词：发光二极管氮化镓发光效率
- GaN基多量子阱结构的高亮度发光二极管及其制备方法
- GaN基多量子阱结构的高亮度发光二极管及其制备方法，涉及发光二极管。发光二极管从下到上依次为衬底、低温缓冲层、n型掺杂的GaN层、3～5个InGaN/GaN多量子阱、p型掺杂的AlGaN层、p型掺杂的GaN层、5个周期的...
- 刘宝林李晓莹
- 文献传递
- 一种GaN基垂直结构发光二极管及其制备方法
- 一种GaN基垂直结构发光二极管及其制备方法，涉及一种发光二极管。从下到上依次为蓝宝石衬底、低温GaN缓冲层、第1掺硅GaN层、5～10个周期的n-InGaN/n-AlGaN或n-AlGaN/n-GaN超晶格层、第2掺硅G...
- 刘宝林李晓莹
- 文献传递
- 侧壁粗化提高GaN基发光二极管出光效率的研究被引量：1
- 2015年
- 采用工艺成熟且成本低廉的芯片技术实现侧壁粗化以提高GaN基发光二极管(LED)的出光效率是备受关注的研究课题.通过普通光刻技术和感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术在器件内部引入侧壁粗化结构,有效提高了LED芯片的出光效率.由于侧壁几何微元结构的改变,光线到达该界面位置处的全反射作用得到抑制而使芯片的出光总量增加.结果表明,注入电流为350 mA时,具有三角状侧壁粗化结构的LED芯片比传统LED芯片的输出光功率增加20.6%,出光效率提升20.5%,并且侧壁粗化后不会影响LED芯片的电学性能和发光稳定性.光强空间分布特性显示,发光强度的增加主要位于-35°^-20°和+20°^+35°的斜角范围内.
- 李晓莹朱丽虹邓彪张玲刘维翠曾凡明刘宝林
- 关键词：GAN发光二极管出光效率
