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李爱珍

作品数：166 被引量：178H指数：8
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信理学一般工业技术机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 70篇专利
  • 46篇期刊文章
  • 28篇科技成果
  • 22篇会议论文

领域

  • 80篇电子电信
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  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇航空宇航科学...

主题

  • 66篇激光
  • 62篇激光器
  • 38篇半导体
  • 28篇分子束
  • 28篇分子束外延
  • 25篇氮化镓
  • 24篇量子级联
  • 24篇量子级联激光...
  • 22篇红外
  • 21篇探测器
  • 20篇气相外延
  • 20篇半导体激光
  • 19篇氢化物气相外...
  • 18篇光电
  • 17篇光电探测
  • 17篇光电探测器
  • 16篇中红外
  • 16篇衬底
  • 14篇半导体激光器
  • 13篇气态源分子束...

机构

  • 165篇中国科学院
  • 1篇华东师范大学
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  • 1篇浙江师范大学
  • 1篇中国科学院上...
  • 1篇中国科学院上...
  • 1篇中国科学院大...

作者

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传媒

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  • 1篇太阳能学报
  • 1篇中国激光
  • 1篇光学学报
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年份

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  • 24篇2004
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  • 10篇2002
  • 4篇2001
  • 1篇2000
共 166 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
磷化铟基中红外波段量子级联激光器缓冲层及其制备方法
李爱珍陈建新徐刚毅张永刚
利用本专利方法生长的InP缓冲层，可以作为下波导包裹层，有效裁剪下波导层包裹层的折射率，实现了对激光器有效的光学限制和自由载流子限制；或作为量子级联激光器的高台面深度腐蚀的腐蚀终止层，防止中红外量子级联激光器有源区电流向...
关键词：
关键词：激光器缓冲层
气态源分子束外延InGaP/GaAs HBT材料
齐鸣徐安怀陈晓杰朱福英艾立鹍李爱珍李存才胡建
解决了GSMBE生长InGaP/GaAs HBT外延材料的关键科学和技术问题，建立了稳定优化的GSMBE生长工艺，研制出性能优良的4英寸InGaP/GaAs HBT材料。所发展的超薄层异质外延材料技术，在InGaP/Ga...
关键词：
关键词：GSMBE
用于中红外分布反馈量子级联激光器的全息光栅
徐刚毅李爱珍
光栅的制备是研制分布反馈激光器的重要关鍵。对同一周期的光栅，不同的形貌，即不同的深度、占空比以及光栅轮廓都会影响光栅的耦合效率和波导损耗，从而改变激光器的边模抑制比和输出功率。因此，发展一种制备中红外波段半导体单模分布反...
关键词：
关键词：激光器光栅
磷化铟基中红外波段量子级联激光器缓冲层及其制备方法
本发明涉及一种新型InP基量子级联激光器异质结构多功能缓冲层及制作方法。其特征在于(a)所述的一种结构是在10<Sup>18</Sup>cm<Sup>-3</Sup>高施主掺杂InP衬底上外延生长1-5×10<Sup>1...
李爱珍陈建新徐刚毅张永刚
文献传递
可调谐发布反馈量子级联激光器的波导与光栅的结构及所述光栅的制备方法
徐刚毅李耀耀李爱珍
分布反馈量子级联激光器可提供中远红外波段的可调谐单模激光，可以作为半导体吸收光谱的光源高灵敏度地检测各种痕量气体，如CO2、CH4、HCl、NO2、N2O等，因此在空气质量检测、医疗诊断、工业控制等领域有重要的应用前景。...
关键词：
关键词：可调谐激光器波导光栅
2～3微米波段InP基无锑激光器和光电探测器被引量：1
2016年
介绍了我们基于InP衬底采用无锑材料体系开展的2～3μm波段激光器及光电探测器方面的持续探索，包括采用赝配三角形量子阱方案的2～2．5μm波段I型InGaAs多量子阱激光器、采用虚拟衬底异变方案的2．5～3μm波段I型InAs多量子阱激光器、以及截止波长大于1．7μm的高In组分InGaAs光电探测器等，这些器件结构均采用GSMBE方法生长，其中2．5μm以下波长的激光器已实现了高于室温的CW激射并获实际应用，2．9μm波长的激光器也在热电制冷温度下实现了脉冲激射，含超晶格电子阻挡势垒层的截止波长2．6μm InGaAs光电探测器暗电流显著减小，此类光电探测器材料已用于航天遥感焦平面组件的研制．
张永刚顾溢陈星佑马英杰曹远迎周立奚苏萍杜奔李爱珍李好斯白音
关键词：半导体激光器光电探测器气态源分子束外延
InAs/InGaAs数字合金应变补偿量子阱激光器(英文)
2014年
采用气态源分子束外延在InP衬底上生长InAs/InGaAs数字合金应变补偿量子阱激光器.有源区的多量子阱结构由压应变的InAs/In_(0.53)Ga_(0.47)As数字合金三角形势阱和张应变的In_(0.43)Ga_(0.57)As势垒构成.X射线衍射测试表明赝晶生长的量子阱结构具有很高的晶格质量.在100K、130mA连续波工作模式下,激光器的峰值波长达到1.94μm,对应的阈值电流密度为2.58 kA/cm^2.随着温度升高,激光器的激射光谱出现独特的蓝移现象,这是由于激光器结构中相对较高的内部吸收和弱的光学限制引起最大增益函数斜率降低所导致的.
曹远迎顾溢张永刚李耀耀方祥李爱珍周立李好斯白音
关键词：分子束外延
氢化物气相外延生长氮化镓膜中的低温插入层及制备方法
本发明涉及一种氢化物气相外延(HVPE)氮化镓膜中的低温插入层及制备方法，其特征在于在GaN膜的HVPE制备过程中采用了低温AlN插入层的结构。在HVPE制备GaN膜的过程中，先在GaN模板上低温沉积一层AlN薄层，然后...
于广辉雷本亮叶好华齐鸣李爱珍
文献传递
气态源分子束外延生长扩展波长InGaAs探测器性能分析(英文)被引量：4
2006年
从理论与实验两方面对截止波长为1.7μm(x=0.53),1.9μm(x=0.6)和2.2μm(x=0.7)p in InxGa1-xAs探测器性能进行了研究.对探测器暗电流的研究结果表明,扩展波长In0.6Ga0.4As,In0.7Ga0.3As探测器在反向偏置低压区,欧姆电流占据主导地位;在反向偏置高压区,缺陷隧穿电流占主导地位;且扩展波长In0.6Ga0.4As,In0.7Ga0.3As探测器的暗电流比In0.53Ga0.47As探测器增加较大.对探测器R0A随温度及i层载流子浓度变化关系的研究结果表明,在热电制冷温度下探测器性能可得到较大提高,i层的轻掺杂可使探测器的R0A得到改善.
郝国强张永刚顾溢李爱珍朱诚
关键词：光电子学光电探测器温度特性
一种束源炉断电或误操作用的保护系统、构建方法及应用
本发明涉及一种束源炉断电或误操作用的保护系统、构建方法及应用，包括在多种可能的断电或误操作状态下对各种型号规格的束源炉及其坩埚进行有效保护的系统以及相关部件的参数确定的规则。本发明提供的保护系统包括三个子系统，分别是用于...
张永刚李爱珍
文献传递
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